公开(公告)号：CN110310996A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910634597.8

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体以及半导体装置。所述结晶性层叠结构体包括：底层基板；和刚玉结构的结晶性氧化物半导体薄膜，直接或介由其他层设置于所述底层基板上，其中所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，所述结晶性氧化物半导体薄膜的厚度为1μm以上。

公开(公告)号：CN104952926B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510144633.4

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

公开(公告)号：CN110071037A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910354277.7

申请日：2013-09-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  平尾孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。

公开(公告)号：CN110620145B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910915606.0

申请日：2015-05-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。

公开(公告)号：CN109417036B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201780040522.6

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  谷川幸登

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H01L33/02

Abstract: 本申请提供了具有优异的导电性的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。通过使包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的原料溶液雾化产生喷雾的雾化步骤；利用载气将喷雾运载至基材表面附近的运载步骤；以及在氧气气氛下使基材表面附近的喷雾发生热反应的过程，在该基材上形成p‑型氧化物半导体，其具有包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的金属氧化物作为主要组分。

公开(公告)号：CN109427867B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810971991.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN109423691B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201810954980.7

申请日：2018-08-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。

公开(公告)号：CN109423690B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201810948079.9

申请日：2018-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B25/04 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

Abstract: 根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。

公开(公告)号：CN110164961B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201910603781.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及结晶性层叠结构体及半导体装置。本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

公开(公告)号：CN106796891B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201580047084.7

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  高塚章夫 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/16 ,  H01L33/26

Abstract: 提供结晶性优异的层叠结构体和迁移率良好的上述层叠结构体的半导体装置。该层叠结构体的特征在于，是直接或介由其他层将含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分的晶体膜在具有刚玉结构的晶体基板上层叠而成的，上述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，上述结晶性氧化物包含选自铟、铝、以及镓中的一种或两种以上的金属。