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公开(公告)号：CN105665948B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201510854879.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/08 , B23K101/40
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；晶片剥离步骤，在实施了分离起点形成步骤之后，从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从锭剥离而生成晶片，分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，c轴相对于正面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在正面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；转位步骤，在形成偏离角的方向上使聚光点相对地移动而转位规定的量。
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公开(公告)号：CN108735578A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810315321.9
申请日：2018-04-10
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
CPC classification number: H01L21/02013 , B23K26/3576 , B23K26/53 , B24B7/228 , C30B29/36 , C30B33/02 , H01L29/1608 , H01L21/0405 , H01L21/02008
Abstract: 本发明提供一种SiC晶片的生成方法，其能够更经济地从单晶SiC晶锭生成晶片。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对晶锭(2)具有透过性的波长的脉冲激光光线LB的聚光点FP定位在距离晶锭(2)的平坦面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射脉冲激光光线LB，形成剥离层(26)；晶片的剥离工序，以剥离层(26)作为起点，将要生成的SiC晶片(40)从晶锭(2)剥离；以及平坦面精整工序，对剥离SiC晶片(40)后的晶锭(2)的上表面(42)进行磨削，除去凹凸，精整成平坦面。平坦面精整工序包括：第一磨削步骤，对晶锭(2)的上表面(42)进行粗磨削，有残留地不完全除去凹凸；以及第二磨削步骤，对晶锭(2)的上表面(42)进行精磨削，除去残留的凹凸，精加工成平坦面。
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公开(公告)号：CN108372434A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810018298.7
申请日：2018-01-09
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供晶片生成方法，其能够经济地从单晶SiC晶锭生成晶片。一种SiC晶片的生成方法，其包括下述工序：端面平坦化工序，使晶锭(2)的端面平坦化；剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成将晶片剥离的剥离层(42)；硬板配设工序，利用粘接剂将硬板(44)配设于形成有剥离层(42)的晶锭(2)的端面；和剥离工序，将SiC晶片(58)与硬板(44)一同从晶锭(2)的剥离层(42)剥离。
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公开(公告)号：CN107790898A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710734758.1
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/402
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0823 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , B23K26/402
Abstract: 提供SiC晶片的生成方法，能够容易地将SiC晶片从单晶SiC锭剥离，并且实现生产性的提高。一种SiC晶片的生成方法，其中，该SiC晶片的生成方法包含剥离面生成工序，在形成有偏离角的方向上对锭和聚光点进行相对地转位进给而多次进行形成由改质层和从改质层沿着c面延伸的裂纹构成的分离层的分离层形成加工，形成多个分离层而生成剥离面。剥离面生成工序中的加工进给包含往路移动和返路移动，该往路移动使聚光点从锭的一方的端部向另一方的端部相对地移动，该返路移动使聚光点从另一方的端部向一方的端部相对地移动而追溯已经形成的分离层。
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公开(公告)号：CN107464778A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710372767.0
申请日：2017-05-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , B23K26/38 , B23K26/402
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0823 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , H01L21/78 , B23K26/38 , B23K26/402 , H01L24/94
Abstract: 本发明提供晶片生成方法，实现生产性的提高。一种晶片生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片，该晶片生成方法包含：形成由改质层、裂纹和连结层构成的剥离面的剥离面形成工序；以及以剥离面为界面将锭的一部分剥离而生成晶片的晶片剥离工序。剥离面形成工序包含：形成改质层和从该改质层沿着c面延伸的裂纹的改质层形成工序；以及将在锭的厚度方向上相邻的裂纹连结的连结层形成工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107053498A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610819653.1
申请日：2016-09-13
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
CPC classification number: B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/02005
Abstract: 提供氮化镓基板的生成方法，不浪费地从氮化镓(GaN)锭生成大量的氮化镓基板。该氮化镓锭具有第1面和处于第1面的相反侧的第2面，该氮化镓基板的生成方法包含如下的工序：界面形成工序，从第1面将对于氮化镓具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在氮化镓锭的内部而进行照射，形成将氮化镓破坏而使镓(Ga)和氮(N)析出的界面；保持部件粘接工序，将第1保持部件粘接在氮化镓锭的第1面上，并且将第2保持部件粘接在第2面上；和氮化镓基板生成工序，将氮化镓锭加热到使镓发生熔融的温度，并且使第1保持部件与第2保持部件向互相远离的方向移动，由此从该界面将氮化镓锭分离而生成氮化镓基板。
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公开(公告)号：CN106064425A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610152814.6
申请日：2016-03-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供晶片的生成方法，抑制磨削磨具的消耗量并缩短磨削时间。晶片的生成方法从具有第一端面以及位于该第一端面的相反侧的第二端面的化合物单晶锭生成晶片，包含分离面形成步骤，由卡盘工作台对化合物单晶锭的第二端面进行保持，将对于化合物单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距第一端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，使该聚光点与化合物单晶锭相对地移动而对该第一端面照射该激光束，形成由与该第一端面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕构成的分离面。将构成化合物单晶锭的原子量大的原子和原子量小的原子之中原子量小的原子排列的极性面作为该第一端面，在平坦化步骤中对原子量小的原子排列的极性面即第一端面进行磨削。
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公开(公告)号：CN111162017B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201911079478.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供小面区域的检测方法和检测装置以及晶片的生成方法和激光加工装置。该小面区域的检测方法是能够检测出小面区域和非小面区域的SiC晶锭的小面区域的检测方法。该小面区域的检测方法包括下述工序：荧光亮度检测工序，从SiC晶锭(84)的上表面对SiC晶锭(84)照射规定波长的激发光(EL)，检测SiC固有的荧光亮度；以及坐标设定工序，将荧光亮度检测工序中荧光亮度为规定值以上的区域设为非小面区域(100)，荧光亮度低于规定值的区域设为小面区域(98)，设定小面区域(98)与非小面区域(100)的边界的坐标。
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公开(公告)号：CN117810168A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311213225.0
申请日：2023-09-19
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/77 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供贴合晶片的加工方法和加工装置，能够解决倒角部的去除耗费时间因而生产率差的问题，并且能够解决对另一方的晶片造成损伤的问题。贴合晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从第一晶片的背面定位于能够去除倒角部和凹口的内部而进行照射，呈环状形成多个改质层；以及磨削工序，将第二晶片侧保持于卡盘工作台，对第一晶片的背面进行磨削而薄化。在改质层形成工序中，按照从第一晶片的径向内侧朝向外侧逐渐接近接合层的方式设定激光光线的多个聚光点，通过多个聚光点呈下行台阶状而形成多个环状的改质层。
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公开(公告)号：CN110071034B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910051891.6
申请日：2019-01-21
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法和晶片的生成装置，能够容易地以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，并且能够容易地判别出晶片从六方晶单晶锭的剥离已完成。晶片的生成方法包含如下的步骤：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭(50)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离六方晶单晶锭(50)的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度并向六方晶单晶锭(50)照射激光光线(LB)，从而形成剥离层(74)；超声波产生工序，将超声波产生单元(6)定位成隔着水层(LW)与要生成的晶片对置，通过产生超声波来破坏剥离层(74)；以及剥离检测工序，根据声音的变化对将要从六方晶单晶锭(50)生成的晶片的剥离进行检测。
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