SiC晶片的生成方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108735578A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810315321.9

    申请日:2018-04-10

    发明人: 平田和也

    IPC分类号: H01L21/02 H01L21/04

    摘要: 本发明提供一种SiC晶片的生成方法,其能够更经济地从单晶SiC晶锭生成晶片。该SiC晶片的生成方法包括下述工序:剥离层形成工序,将对晶锭(2)具有透过性的波长的脉冲激光光线LB的聚光点FP定位在距离晶锭(2)的平坦面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度,对晶锭(2)照射脉冲激光光线LB,形成剥离层(26);晶片的剥离工序,以剥离层(26)作为起点,将要生成的SiC晶片(40)从晶锭(2)剥离;以及平坦面精整工序,对剥离SiC晶片(40)后的晶锭(2)的上表面(42)进行磨削,除去凹凸,精整成平坦面。平坦面精整工序包括:第一磨削步骤,对晶锭(2)的上表面(42)进行粗磨削,有残留地不完全除去凹凸;以及第二磨削步骤,对晶锭(2)的上表面(42)进行精磨削,除去残留的凹凸,精加工成平坦面。

    一种可加工任意形状玻璃芯片的激光扫边装置

    公开(公告)号:CN105014236A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510292858.4

    申请日:2015-06-01

    IPC分类号: B23K26/00 B23K26/08 B23K26/70

    摘要: 一种可加工任意形状玻璃芯片的激光扫边装置,它涉及太阳能电池组件加工领域。本发明为解决传统利用激光对玻璃芯片进行扫边的过程中扫边平行度无法精确控制,导致扫边的精度差,影响加工质量的问题。一种可加工任意形状玻璃芯片的激光扫边装置,气浮平台为圆环形,真空吸盘设置在外壳内的中部,真空吸盘的下端通过可旋转支架设置在外壳底端面的上表面上,真空吸盘的上端由气浮平台的中心孔穿出,定位装置设置在气浮平台的上方,两个万向推手与设置在外壳右侧壁的可升降支架的上端固接,每个万向推手的长度方向与可升降支架的长度方向垂直设置,两个万向推手关于外壳的长度方向的中心线对称设置。本发明用于加工玻璃芯片。