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公开(公告)号：CN1947132B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580012187.6
申请日：2005-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H04B5/0012 , G06K7/10178 , G06K17/00 , G06K19/07758 , G06K2017/0051 , H04B5/0056 , H04B5/0081
Abstract: 当与ID标签相连的产品置于包装体内部时，存在使用读取器/写入器与ID标签的通信被阻断的风险。从而，难以在产品的分发过程中管理产品，这导致失去ID标签的方便性。本发明的一个特征是包括用于包装与ID标签相连的产品的包装体和读取器/写入器的产品管理系统。ID标签包括薄膜集成电路部分和天线，包装体包括含有天线线圈和电容器的谐振电路部分，谐振电路部分可与读取器/写入器和ID标签通信。从而，即使当产品被包装体包装时，也可确保附连于产品的ID标签与R/W之间的通信的稳定性，且可简单并有效地进行产品管理。
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公开(公告)号：CN100520882C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN02151411.9
申请日：2002-09-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3241 , G09G3/2022 , G09G3/2077 , G09G3/3283 , G09G2300/0426 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2310/0256 , G09G2310/027 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
Abstract: 一种发光器件，能防止各个发光元件的亮度随所施加的TFT的电特性而波动，以适当控制供应给各个发光元件的电流，也能通过防止发光元件的亮度在有机发光层降级时降低的方式，产生恒定亮度而不受到有机发光层的可能降级和温度变化的负面影响。用适当控制经信号线驱动电路流入TFT的电流的方式而不用控制加到TFT的电压来控制发光元件亮度的方式，可以保持电流以预期值流入发光元件而不受TFT电特性的负面影响。而且，在每个预定时期将反向偏压电压供应给发光元件。上述两种方式增加实际效果，能更可靠地防止亮度随有机发光层的可能降级而减低，可以保持电流以预期值流入发光元件而不受TFT电特性的影响。
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公开(公告)号：CN100409409C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN03102283.9
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。
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公开(公告)号：CN100341158C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03131296.9
申请日：2003-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3275 , G02B6/43 , G09G2360/14 , G09G2370/08 , H01L25/0657 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L2225/06527 , H01L2225/06551 , H01L2225/06575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种使用廉价玻璃衬底、能够适应信息量的增加并进而具有高性能和高速工作的集成电路的半导体器件。在多个玻璃衬底上形成构成集成电路的各种电路，各玻璃衬底间的信号传输通过称为光互连的利用光信号完成。具体地，在被布置在形成于一个玻璃衬底上的上级的电路的输出端提供光发射元件，并形成光检测元件以与布置在形成于另一个玻璃衬底上的下级的电路的输入端的相关光检测元件相对。然后，从位于上级的电路输出的电信号转化而来的光信号被从光发射元件输出，相关光信号被光检测元件转化成电信号并输入到位于下级的电路。
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公开(公告)号：CN1319117C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02160249.2
申请日：2002-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02678 , B23K26/04 , B23K26/0604 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/12 , B23K26/1224 , B23K26/123 , B23K26/127 , H01L21/02683 , H01L21/2026
Abstract: 提供一种采用激光结晶技术的半导体制造装置，用于提高衬底的处理效率和提高半导体膜的迁移率。该多室系统的半导体制造装置包括用于形成半导体膜的膜形成设备以及激光照射设备。激光照射设备包括用于相对于照射物体控制激光照射位置的第一装置、用于发射激光的第二装置(激光振荡器)、用于处理或会聚激光的第三装置(光学系统)、以及按照被第三装置处理的激光的束点可以覆盖根据掩模结构(图形信息)的数据确定的位置的方式用于控制第二装置的振荡和用于控制第一装置的第四装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1938901A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009730.7
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01Q1/38 , B42D15/10 , G06K19/077 , H01Q1/24 , H01Q7/00
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07728 , G06K19/07749 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , G06K19/07784 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L2223/6677 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541
Abstract: 本发明的一个目的在于提供一种增加天线的增益并且增强集成电路的机械强度而没有抑制电路规模的ID芯片。由本发明的ID芯片为代表的半导体器件包括利用由薄半导体膜形成的半导体元件的集成电路和连接至该集成电路的天线。天线和集成电路形成在基板上，并且将包括于天线中的导线或导电膜分成两层并形成，以便夹住提供有集成电路的基板。
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公开(公告)号：CN1302314C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN02145704.2
申请日：2002-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1214 , G02F1/13454 , G09G3/20 , G09G3/3225 , G09G2300/0408 , H01L29/78621 , H01L29/78648 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 无论控制器是什么规格，事先在一个衬底上形成用于控制器的多个TFT。然后，按照控制器的设计，适当地通过在一个与形成这些TFT的层不同的层上形成的布线实现用作每个TFT的三个接线端的源极、漏极和栅极之间的连接，从而形成规格满足要求的控制器。此时，按照控制器的规格不必使用设置在衬底上的所有TFT，有些TFT可以保持不用。
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公开(公告)号：CN1918708A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004279.X
申请日：2005-02-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G06K19/077 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/025 , G06K19/07728 , G06K19/07749 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L2221/6835 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体装置，它能够改善半导体元件的可靠性，并提高其机械强度，而不减小电路规模。该半导体装置包括夹在第一和第二密封薄膜之间的集成电路、与该集成电路电连接的天线，该第一密封薄膜夹在基板和该集成电路之间，它包括多个第一绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第二绝缘薄膜，该第二密封缘薄膜包括多个第三绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第四绝缘薄膜。第二绝缘薄膜的应力比第一绝缘薄膜低，第四绝缘薄膜的应力比第三绝缘薄膜低。第一和第三绝缘薄膜是无机绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1910600A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002912.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , G09F3/00 , H01L27/12 , B42D15/10
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07718 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/78603 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
Abstract: 作为非接触的ID标记，ID标签等被广泛使用，要求以很低的成本制造相当数量的ID标记。例如，要求附加到产品上的ID标记以每个1至几日元而制造，或者优选地少于1日元。因而，这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ID标记。在本发明的ID标记、ID卡和ID标签中所包含的薄膜集成电路器件，各包括诸如薄膜晶体管(TFT)的薄膜有源元件。因此，通过剥离在其上形成TFTs的衬底以分离元件，能够以低成本大量地制造ID标记等。
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公开(公告)号：CN1910596A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002578.X
申请日：2005-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/00 , H01L27/04 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/073 , G06K19/07726 , G06K19/07749 , G06K19/0776 , G06K19/07798 , G06K2017/0064 , H01L23/49855 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在粘到物体之后被剥离时，它能可靠地限制与读/写器之间的信号或电源电压的发射/接收。本发明的半导体装置包括支撑基底上形成的集成电路和天线。本发明的半导体装置中，在支撑基底上形成分离层，该分离层与将绝缘薄膜夹在中间的集成电路和天线交叠。电学连接集成电路和天线的布线、电学连接集成电路中的半导体元件的布线或形成天线的布线经过该分离层。
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