公开(公告)号：CN101599456B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200910148966.9

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  大力浩二

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明的目的是防止薄膜集成电路在转移到基底材料的工艺期间脱落。通过本发明的制造方法，在衬底表面上选择性地形成分离层；由此，形成提供分离层的第一区和不提供分离层的第二区。在分离层之上形成薄膜集成电路。然后，形成用于暴露分离层的开口部分，将蚀刻剂引入到开口部分中以去除分离层。因此，在提供有分离层的区域中产生间隔，而在没有分离层的区域中不产生间隔。因此，通过之后提供不产生间隔的区域，即使在去除了分离层之后也能防止薄膜集成电路脱落。

公开(公告)号：CN101499479B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200910003822.4

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  丸山纯矢 ,  田村友子 ,  杉山荣二 ,  道前芳隆

IPC: H01L27/13 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n-型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p-型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。

公开(公告)号：CN101521233A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910126408.2

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  池田隆之 ,  宫入秀和 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  井上卓之 ,  小林聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及显示装置。改善涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。该薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层相离地设置；导电层，该导电层在上述栅极绝缘层上重叠于上述栅电极及上述添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层的一方；以及非晶半导体层，该非晶半导体层从上述导电层上延伸到上述栅极绝缘层上，与添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层双方接触，并且连续设置在该添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层之间。

公开(公告)号：CN100521117C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200580005460.2

申请日：2005-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大力浩二

IPC: H01L21/336 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  G06K19/10 ,  G11C17/12 ,  H01L21/20 ,  H01L27/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02683 ,  G11C17/12 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/13 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明旨在提供一种达到高机械强度而不缩小电路规模并且能够在降低成本的同时防止数据被伪造和非法更改的半导体器件。本发明公开了一种以从包括具有高结晶度的第一区和结晶度低于第一区的第二区的半导体薄膜形成的ID芯片为代表的半导体器件。具体地，通过使用第一区形成要求高速操作的电路的TFT(薄膜晶体管)，并通过使用第二区形成用于识别ROM的存储元件。

公开(公告)号：CN100517728C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200580020651.6

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  大力浩二

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明的目的是防止薄膜集成电路在转移到基底材料的工艺期间脱落。通过本发明的制造方法，在衬底表面上选择性地形成分离层；由此，形成提供分离层的第一区和不提供分离层的第二区。在分离层之上形成薄膜集成电路。然后，形成用于暴露分离层的开口部分，将蚀刻剂引入到开口部分中以去除分离层。因此，在提供有分离层的区域中产生间隔，而在没有分离层的区域中不产生间隔。因此，通过之后提供不产生间隔的区域，即使在去除了分离层之后也能防止薄膜集成电路脱落。

公开(公告)号：CN100502018C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580004073.7

申请日：2005-01-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大力浩二

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G06K19/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07758 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求预计会增加，且需要进一步降低成本。本发明的一个目的在于提供一种能以更低成本生产的IC芯片结构和过程。考虑到上述目的，本发明的一项特点在于提供在绝缘基片上形成分离层、并在分离层上形成具有半导体膜作为反应区的薄膜集成电路的步骤，其中不分离上述薄膜集成电路。与将芯片去除圆形硅晶片的情况相比，在使用绝缘基片的情况中对母基片的形状的限制较少。因此，可以实现IC芯片成本的降低。

公开(公告)号：CN101378082A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810212476.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN101369541A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210498.9

申请日：2008-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  鸟海聪志 ,  古野诚 ,  神保安弘 ,  大力浩二 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的目的在于提供一种质量良好的微晶半导体膜的制造方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜，然后，在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜。再者，接触微晶半导体膜上地对缓冲层进行层叠。另外，在第一成膜条件之前，进行氩等离子体处理等的稀有气体等离子体处理及氢等离子体处理，以去除衬底上的吸附水。

公开(公告)号：CN1873915A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610088627.2

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田村友子 ,  荻田香 ,  大力浩二 ,  丸山纯矢

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/7806 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低的成本制造具有高可靠性的半导体器件的方法，其中从衬底剥离具有提供于衬底上方的薄膜晶体管等的元件形成层，以便制造半导体器件。根据本发明，在衬底上方形成金属膜，在一氧化二氮的气氛下对金属膜进行等离子体处理以在金属膜的上方形成金属氧化膜，连续地形成第一绝缘膜而不暴露于空气，在第一绝缘膜的上方形成元件形成层，以及从衬底剥离元件形成层，以便制造半导体器件。

公开(公告)号：CN1815699A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510129683.1

申请日：2005-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  森末将文 ,  小路博言 ,  丸山纯矢 ,  大力浩二 ,  青木智幸

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/11 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L28/10 ,  H01L29/78621 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种具有导电层的衬底的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成具有期望形状的有机树脂层；在所述无机绝缘层的第1暴露区域上形成对含有导电颗粒的混合物的低可湿性层；去除所述有机树脂层；用所述含有导电颗粒的混合物涂覆所述无机绝缘层的第2暴露区域并烘焙，从而形成导电层。