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公开(公告)号：CN100592478C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200480035952.1
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786
Abstract: 随着布线变厚，覆盖此布线的绝缘膜的不连续性已经成了问题。难以形成用于目前高分辨率显示器件的薄膜晶体管的宽度足够小的布线。随着布线被做得更薄，布线电阻造成的信号延迟已经成了问题。考虑到上述各问题，本发明提供了一种结构，其中，导电膜被形成在绝缘膜的孔中，且导电膜与绝缘膜的表面是平坦的。结果，能够防止覆盖导电膜和绝缘膜的薄膜的不连续。借助于控制孔的宽度，能够将布线做得更细。而且，借助于控制孔的深度，能够将布线做得更厚。
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公开(公告)号：CN100559245C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200410071231.8
申请日：2004-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H05B33/00 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G09G3/20 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/0289 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 当半非晶TFT用于形成信号线驱动器电路和像素时，需要大的幅度来驱动该像素，由此需要高的电源电压。另一方面，当移位寄存器由具有单一导电率的晶体管构成时，需要自举电路，将超过电源的电压施加给特定的元件。因此，利用单一电源并不是可以既实现驱动幅度又实现可靠性的。根据本发明，提供具有单一导电率的电平移位器来解决这样的问题。
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公开(公告)号：CN100533808C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510007056.0
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0022 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L51/055 , H01L51/529
Abstract: 本发明通过提高材料的有效性以及简化步骤来提供了一种显示器件及其制造方法。本发明还提供了形成诸如用于形成显示器件的引线之类的图形的技术，使之具有极佳的可控性的预定形状。制造显示器件的方法包括以下步骤：形成疏液性区域；将激光束选择性地照射到疏液性区域，以形成亲液性区域；在亲液性区域中排放包含导电材料的合成物，以形成栅极电极层；在栅极电极层上形成栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上排放包含导电材料的合成物，以形成源极电极层和漏极电极层；以及在源极电极层或漏极电极层上形成像素电极层。
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公开(公告)号：CN100467141C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480018026.3
申请日：2004-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B05D1/26 , B05D3/04 , B05C5/00 , B05C9/10 , H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/288 , H01L21/30
CPC classification number: B05B17/0607 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L51/0004 , H01L51/0021
Abstract: 本发明的特征在于：包含下述工序，即通过发生等离子体的单元(102)，使在具有绝缘性的基板例如玻璃基板上形成的拨液性的薄膜例如半导体膜有选择地变为亲液性，通过液滴排出单元(103)向上述亲液性表面排出液滴组成物，从而制作图形。通过用拨液性区域来夹持有选择地形成的亲液性区域，能够使滴落后的液滴不从滴落位置移动地来形成。
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公开(公告)号：CN100437976C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510051846.9
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明公开了在一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤，利用感光材料在基底上形成第一薄膜图案，利用激光束对其进行照射使第一薄膜图案曝光，以此方式形成第二薄膜图案，将第二薄膜图案的表面变成微滴脱落表面，利用微滴排出方法，通过将导电材料排放到微滴脱落表面的外缘，而形成源极和漏极，并在源极和漏极上，形成半导体层，栅绝缘层，和栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1894803A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037686.6
申请日：2004-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G06K19/067
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L29/78684
Abstract: IC卡比磁卡要贵得多，电子标签作为条形码的替代物也要贵得多。因此，本发明的目的是提供与传统硅晶片的芯片不同、能低成本大量生产的极薄集成电路以及该集成电路的制造方法。本发明的一个特征是通过能够选择性地形成图形的形成方法，在除大块基板之外的玻璃基板、石英基板、不锈钢基板、由例如丙烯的具有柔性的合成树脂所制成的基板等上面形成薄型集成电路。此外，本发明的一个特征是形成其中装配有根据本发明的薄膜集成电路和天线的ID芯片。
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公开(公告)号：CN1890787A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035952.1
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786
Abstract: 随着布线变厚，覆盖此布线的绝缘膜的不连续性已经成了问题。难以形成用于目前高分辨率显示器件的薄膜晶体管的宽度足够小的布线。随着布线被做得更薄，布线电阻造成的信号延迟已经成了问题。考虑到上述各问题，本发明提供了一种结构，其中，导电膜被形成在绝缘膜的孔中，且导电膜与绝缘膜的表面是平坦的。结果，能够防止覆盖导电膜和绝缘膜的薄膜的不连续。借助于控制孔的宽度，能够将布线做得更细。而且，借助于控制孔的深度，能够将布线做得更厚。
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公开(公告)号：CN1815686A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510129682.7
申请日：2005-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/1292 , H01L27/14621
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件和显示器件及其制造方法，通过简化了的工艺，能够以改进了的材料效率来制作这种半导体器件和显示器件。另一目的是提供一种技术，此技术能够以良好的可控性在所需的形状中形成诸如包括在半导体器件或显示器件中的布线之类的图形。制造本发明半导体器件的方法的一个特点是包括下列步骤：形成具有粗糙表面的层；在粗糙表面上形成对包含导电材料的组分浸润性低的区域以及对此组分浸润性高的区域；以及用此组分在浸润性高的区域中形成导电材料。由于能够形成浸润性非常不同的各个区域(浸润性差别大的区域)，故液体导电材料或绝缘材料仅仅被精确地固定到形成区。因此，能够在所需图形中精确地形成导电层或绝缘层。
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公开(公告)号：CN1577767A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061738.5
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/318 , H01L21/311 , G02F1/136 , H05B33/00 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , H01L21/02274 , H01L21/3185 , H01L27/3244 , H01L51/0022 , H01L51/5228 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引入沉积室中，并且反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。
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公开(公告)号：CN101477990B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200810186809.2
申请日：2006-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L27/32 , H01L27/15 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78678 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的发明名称是电子器件、半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。
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