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公开(公告)号:CN1127004C
公开(公告)日:2003-11-05
申请号:CN99800002.7
申请日:1999-01-11
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种供如半导体制造设备中气体供给系统用的流体供给设备,它使得有可能在开始供给流体或流体转换时高精度控制流体流速而不产生流体的瞬时过冲现象。本发明的流体供给设备包括:压力流量控制器,用来调节流体的流率;流体转换阀,用来打开和关闭压力流量控制器次级侧的流体通道;以及流体供给控制单元,用来控制压力流量控制器和流体转换阀的操作;压力流量控制器包括:注流孔5;设置在注流孔5上游侧的控制阀1;设置在控制阀1和注流孔5之间的压力检测器3;以及计算控制单元6,它把流率信号Qc和流率指定信号Qs之间的差值作为控制信号Qy输入到控制阀1的驱动器2,流率信号Qc是利用流率Qc=KP1(K=常数)、根据由压力检测器3检测到的压力P1计算的;其中,通过借助打开和关闭控制阀1来调节注流孔上游侧的压力P1而控制注流孔5下游侧的流率。
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公开(公告)号:CN1359454A
公开(公告)日:2002-07-17
申请号:CN00809795.X
申请日:2000-06-05
IPC: F16K47/08
Abstract: 提供一种节流孔内设阀,可用于具有半导体制造装置或化学品制造设备中所使用的压力式流量控制装置的供气设备中,不仅能够降低制造成本,而且能够提高节流孔的加工精度并在进行阀的组装时能够防止节流孔变形,从而能够获得优良的流量控制特性。为此,本发明中,由形成有与上开口的阀室连通的气体流入通路和气体流出通路的耐热材料制造的阀本体,设置在阀本体的阀室内的、形成有与所说阀本体的气体流出通路连通的气体流出通路及阀座的合成树脂制造的阀座体,可自由拆装地安装在阀座体的气体流出通路中的耐热材料制造的节流孔盘,以及形成于节流孔盘上的、使阀座体的气体流出通路缩径的节流孔构成节流孔内设阀的主要部分;预先在不锈钢制造的节流孔盘上形成节流孔,并且,将另行加工而形成了该节流孔的金属制造的节流孔盘和合成树脂制造的阀座体可自由拆装地加以组合,经由金属制造的节流孔盘推压合成树脂制造的阀座体使其压缩,从而将二者呈气密状态组装在阀本体上。
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公开(公告)号:CN1359143A
公开(公告)日:2002-07-17
申请号:CN01130253.4
申请日:2001-12-13
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: B23K10/003 , B23K2101/40
Abstract: 在暴露于空气的微波入口窗(4)的一边,设置带有槽(11a)和谐振单元(3)的槽板(11)。槽板(11)和谐振单元(3)相对于加工室(6)整体放置,可通过线性导轨(12、13)滑动。用这种方法,可以设置等离子加工设备,它实现高度均匀的等离子加工,并具有极好的等离子发生特性。
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公开(公告)号:CN1342217A
公开(公告)日:2002-03-27
申请号:CN00802778.1
申请日:2000-01-13
IPC: C23C30/00
CPC classification number: C23C8/02 , C23C26/00 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的是在任意金属材料上,形成不含其它金属氧化膜的、耐蚀性好的氧化铬膜。可低价地、在短时间内形成不含其它金属氧化膜的、耐蚀性好的氧化铬膜,可提供能安全地供给强腐蚀性流体的流体供给系统。在表面粗度(Ra)1.5μm以下的金属材料上,覆盖铬后,在氧化性环境中进行热处理,形成由氧化铬构成的非动态膜。
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公开(公告)号:CN1319683A
公开(公告)日:2001-10-31
申请号:CN01112386.9
申请日:2001-01-13
IPC: C23C16/513 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/511
Abstract: 在反应容器1的上壁1a上配置多个微波导入窗2a、2b。向与反应容器1的侧壁1b的位置关系中处于等效位置配置的例如2个微波导入窗2a投入相同功率的微波,而向处于非等效位置关系的例如2个微波导入窗2a、2b投入不同功率的微波。从而,能够得到即使在反应室内生成等离子体的负载阻抗不同时,仍能实现均匀的等离子体处理,成本低廉的等离子体处理装置。
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公开(公告)号:CN1275218A
公开(公告)日:2000-11-29
申请号:CN99801434.6
申请日:1999-08-09
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
Abstract: 对于使用孔板的流量控制装置,可不必拆解配管而通过检测上游压力判断孔板是否堵塞,可使流量控制装置的寿命延长、安全性得到提高。具体地说就是,在上游压力P1保持为下游压力P2的约2倍以上、以QC=KP1(K:常数)进行下游流量QC的计算、利用该计算流量QC与设定流量QS二者的差信号QY对控制阀CV的开闭进行控制的流量控制装置FCS中,其堵塞检测装置由:储存有孔板2无堵塞的条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL而测定的上游压力P1的基准压力衰减数据Y(t)的存储装置M,在孔板2的实际条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL以对上游压力P1的压力衰减数据P(t)进行测定的压力检测器14,对压力衰减数据P(t)与基准压力衰减数据Y(t)二者进行对比运算的中央运算处理装置CPU,以及当压力衰减数据P(t)偏离基准压力衰减数据Y(t)达到既定程度以上时报知堵塞的报警电路46等构成。
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公开(公告)号:CN1236449A
公开(公告)日:1999-11-24
申请号:CN98801151.4
申请日:1998-08-13
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0647 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种在半导体制造装置的气体供给系统中使用的压力式流量控制装置,节流孔口径为可变型,可简单地改变流体的流量控制范围,同时可使压力式流量控制装置小型化和提高气体置换性,并提高防止产生尘埃的性能以及降低制造成本等。具体地说,作为一种由节流孔;设置于节流孔上游侧的控制阀;设置于控制阀与节流孔之间的压力检测器;根据压力检测器的检测压力P1以Q=KP1(其中K为常数)计算流体的流量Q并以流量指令信号Qs与上述计算出的流量信号Q二者之差作为控制信号Qy向上述控制阀的驱动部输出的控制装置所构成,并在将节流孔的上游侧压力P1与下游侧压力P2之比保持在被控制流体的临界压比以下的状态下,通过上述控制阀的开闭来调整节流孔上游侧的压力P1,对节流孔下游侧的流体流量Q进行控制的压力式流量控制装置,是以直接接触型金属隔膜阀作为上述节流孔,以阀座与膜片之间的环形间隙作为可变节流孔,并且可通过节流孔驱动装置调整上述间隙的大小。
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公开(公告)号:CN101922566B
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN200910171113.7
申请日:2003-12-18
CPC classification number: F16K47/02 , F16K47/023 , F16L55/043 , Y10T137/0324 , Y10T137/0379 , Y10T137/0396 , Y10T137/7761 , Y10T137/86389 , Y10T137/86461
Abstract: 通过极为简单的装置及操作,不会发生水击、而且在短时间内,可以将流体通路紧急关闭。为此,由以下部分构成无水击关闭装置:加装在流体通路上的致动器动作式阀;向致动器动作式阀供应两级阶梯状的致动器动作压力Pa的电气变换装置;可自由拆装地固定到前述致动器动作式阀的上游侧管路上的振动传感器;输入由振动传感器检测出来的振动检测信号Pr、并且向电气变换装置输出控制前述两级阶梯状的致动器动作压力Pa的阶梯动作压力Ps′的大小的控制信号Sc,通过该控制信号Sc的调整、从电气变换装置输出振动检测信号Pr基本上成为零的阶梯动作压力Ps′的两级阶梯状的致动器压力Pa的调整箱。
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公开(公告)号:CN101273445B
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN200580051725.2
申请日:2005-09-28
Applicant: 大见忠弘
CPC classification number: H01L24/81 , B23K20/004 , B23K20/02 , B23K20/10 , B23K2101/40 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/75 , H01L2224/78 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2224/48 , H01L2224/45099
Abstract: 一种压接压接部的接合装置,通过使其内部的压接部气氛的水分浓度比装置外部气氛的水分浓度小,从而能够在低温、低压条件下进行压接。此时,形成压接部的接合金属端子及被接合金属端子的各表面的吸附水分量为1×1016分子/cm2以下。
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公开(公告)号:CN101567389B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200910141534.5
申请日:2004-05-24
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L29/045 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66734
Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中,使用栅极绝缘膜,该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压,并且平面化硅表面,或者含有Kr、Ar或Xe。
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