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公开(公告)号:CN107180745A
公开(公告)日:2017-09-19
申请号:CN201710082551.0
申请日:2017-02-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , H01J2237/334 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , H01L21/02 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/562
Abstract: 一种元件芯片的制造方法。元件芯片的制造方法包括准备基板的工序,基板具备第1主面及第2主面,并且具备作为半导体层的第1层和包含绝缘膜的第2层。包括激光划片工序,对分割区域从第1主面侧照射激光从而形成具备露出第1层的露出部的开口,在露出部以外的开口的周围形成残留了分割区域中的第2层的残留区域,在分割区域中的第1层形成包含露出部的第1层的表层部的第1损伤区域和被残留区域覆盖的第1层的表层部的第2损伤区域。包括:露出工序,使第2损伤区域露出;和等离子体切割工序,在支承构件支承了第2主面的状态下,将开口暴露于第1等离子体,与第1损伤区域以及第2损伤区域一起蚀刻第1层,分割为具备元件区域的多个元件芯片。
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公开(公告)号:CN107039292A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710063033.4
申请日:2017-01-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/3081 , H01L21/31138 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L21/784 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L2224/80801 , H01L2224/81 , H01L2924/15323 , H01L21/56 , H01L23/291 , H05K3/34
Abstract: 一种元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体及其制造方法,能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。将具有多个元件区域且元件面被绝缘膜(4)覆盖的基板分割而制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中,通过将基板暴露于第一等离子体,将基板分割成元件芯片(10),成为具备第一面(10a)、第二面(10b)及侧面(10c)的元件芯片(10)彼此隔开间隔地保持在载体(6)上且露出了绝缘膜(4)的状态,通过将这些元件芯片(10)暴露于灰化用的第二等离子体,使绝缘膜(4)后退而形成凹陷部(C)后,通过保护膜形成用的第三等离子体,用保护膜(12a)覆盖凹陷部(C),抑制安装过程中导电性材料向侧面(10c)的爬升。
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公开(公告)号:CN106024566A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610032933.8
申请日:2016-01-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L21/6833 , H01L21/6836 , H01L21/68742 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01J37/32431 , H01J37/32733
Abstract: 一种等离子处理装置,具备:反应室;使反应室中产生等离子的等离子产生部;配置在反应室的内部,搭载输送载体的工作台;具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构;在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部;和使支撑部相对于工作台升降的升降机构,1)在使支撑部下降,将输送载体搭载于工作台时,在进行设置在工作台内部的加热器对工作台的加热的状态下,静电吸附机构开始向电极部施加电压,在输送载体与工作台接触后,且停止加热器对工作台的加热后,等离子产生部产生等离子,或2)在使支撑部下降,将输送载体搭载于工作台时,支撑部支撑输送载体,以使框架在相对于工作台倾斜的状态下与工作台接触。
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