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公开(公告)号：CN107017173A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610997829.2
申请日：2016-11-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/683 , C09J7/00 , C09J133/08 , C09J11/04
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/544 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2223/54486 , H01L2224/12105 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J133/08 , C09J2203/00 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , C08L63/00 , C08L61/06 , C08K7/18
Abstract: [课题]提供能够防止由树脂的热固化收缩导致的半导体芯片位置偏移的半导体封装体的制造方法。[解决手段]涉及一种半导体封装体的制造方法，其包括如下工序：在配置在粘合片上的半导体背面保护薄膜上配置半导体芯片的工序；使半导体背面保护薄膜固化的工序；以及，用树脂密封半导体芯片的工序。
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公开(公告)号：CN106206375A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610382308.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83104 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/92125 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L21/67126 , C09J4/00
Abstract: 本发明提供具有再加工性的半导体背面用薄膜及其用途。一种半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。半导体背面用薄膜的基于乙醇的溶胀度优选为1重量％以上。半导体背面用薄膜优选包含丙烯酸类树脂。
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公开(公告)号：CN101847683B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201010114553.1
申请日：2010-02-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , B29C33/68 , H01L33/52 , Y10T428/24521
Abstract: 本发明涉及用于光半导体封装的片，其具有剥离片和层压在剥离片上的封装树脂层，其中所述剥离片在与所述封装树脂层界面处包含具有凹形状和/或凸形状的凹凸部形成层，并且所述封装树脂层在与所述剥离片的界面处具有与所述剥离片的凹形状嵌合的凸形状和/或与所述剥离片的凸形状嵌合的凹形状。
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公开(公告)号：CN101993594B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010267340.2
申请日：2010-08-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L83/06 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C09J7/00 , C09J183/06 , C09J11/06
CPC classification number: C09J183/04 , C08G77/14 , C08K5/19 , C08K5/5419 , C08L2666/44
Abstract: 本发明涉及用于热固性有机硅树脂的组合物，其包含：(1)以式(I)表示的双末端硅烷醇型有机硅树脂，其中R1表示一价烃基，且n是20至10,000的整数，条件是全部R1基团可以相同或不同；(2)三烷氧基硅烷；和(3)缩合催化剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531697A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310272150.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/501 , H01L21/568 , H01L23/28 , H01L33/0095 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置，该制造方法具有：准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置于支承片的厚度方向一侧；层配置工序，在半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖半导体元件的方式配置于支承片的厚度方向一侧；密封工序，使密封层固化，利用挠性的密封层密封半导体元件；切断工序，在密封工序之后，与半导体元件相对应的将挠性的密封层切断，从而获得具有半导体元件和覆盖半导体元件的密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，在切断工序之后，将覆有密封层的半导体元件从支承片剥离下来。
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公开(公告)号：CN103531514A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310272048.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L33/48
CPC classification number: H01L33/505 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L33/0095 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置。该制造方法具有：准备工序，准备具有形成有在厚度方向上贯通的通孔的硬质的支承板和以覆盖通孔的方式层叠在支承板的厚度方向一侧的表面的粘合层的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置在粘合层的在厚度方向上与贯通孔相对的厚度方向一侧的表面；半导体元件覆盖工序，利用密封层覆盖半导体元件，从而获得覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，通过使推压部件从厚度方向另一侧插入上述通孔，从而将覆有密封层的半导体元件从粘合层剥离下来。
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公开(公告)号：CN102738360A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210098056.6
申请日：2012-04-05
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供密封片、发光二极管装置及其制造方法。密封片贴附在安装有发光二极管的基板处，密封发光二极管。密封片具备：划分有从一个侧面埋设发光二极管的埋设区域的密封材料层、和在密封材料层的另一个侧面层叠的第一荧光体层、和在密封材料层的一个侧面以与埋设区域隔着间隔配置的方式层叠的第二荧光体层。
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公开(公告)号：CN102190888A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110051555.5
申请日：2011-03-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08K5/5419 , C08K5/56 , C08K5/57 , H01L33/56 , C08L83/00
Abstract: 本发明涉及一种用于热固性硅树脂的组合物，所述组合物包含：(1)双末端硅烷醇型硅油；(2)含烯基的硅化合物；(3)有机氢硅氧烷；(4)缩合催化剂；和(5)氢化硅烷化催化剂，其中所述(4)缩合催化剂包含锡络合物。
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公开(公告)号：CN203242661U
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201320145522.1
申请日：2013-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 木村龙一
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体基板、半导体装置。半导体基板包括：电路基板，从外部向该电路基板供电；多个半导体元件，其被支承于电路基板之上；以及多条电线，其以分别与多个半导体元件相对应的方式设置，一端与半导体元件电连接，另一端与电路基板电连接。多条电线以沿着在电路基板上具有中心点的假想圆的径向的方式延伸。
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