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公开(公告)号：CN108117035A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710511666.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0051 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/0133 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , B81C2203/0792
Abstract: 本申请涉及堆叠裸片间具有电触点的半导体集成器件及相应制造工艺。提供一种集成器件，其具有：第一裸片；第二裸片，沿着竖直轴以堆叠的方式耦合在该第一裸片上；耦合区域，安排在第一裸片与第二裸片的沿竖直轴面向彼此并位于与竖直轴正交的水平平面内的面对表面之间，耦合区域用于机械耦合第一裸片与第二裸片；电接触元件，由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载，这些电接触元件沿着竖直轴成对地对准；以及导电区域，安排在由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载的这些电接触元件对之间，这些导电区域用于电耦合第一裸片与第二裸片。支撑元件安排在第一裸片与第二裸片之间的至少一者的面对表面处并且弹性地支撑对应的电接触元件。
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公开(公告)号：CN107685540A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710189425.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/14
CPC classification number: B05D1/02 , B05B1/24 , B41J2/1404 , B41J2/14145 , B41J2202/12 , B41J2/14072 , B41J2002/14362 , B41J2002/14403
Abstract: 一种用于热喷射液体的微流体设备(50)，该微流体设备包括：多个腔室(51)；多个喷嘴(58)，该多个喷嘴被安排在这些腔室(51)之上；多个沟道加热器(60)，该多个沟道加热器在每个腔室(51)附近；液体入口(59)，该液体入口连接到这些腔室；以及循环沟道(52)，该循环沟道集成在该本体中并且连接到该液体入口(59)。沿该循环沟道(52)的加热器在该设备不工作期间维持液体运动，防止颗粒在液体中沉积或聚合。
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公开(公告)号：CN106814451A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610483722.6
申请日：2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS器件，包含：固定结构(10)；活动结构(12)，其包括反射元件(90)；第一可变形结构(22)和第二可变形结构(24)，它们被布置在固定结构和活动结构之间。第一可变形结构和第二可变形结构中的每个包括相应数量的主压电元件(40)。第一可变形结构和第二可变形结构的主压电元件(40’，40”)能够被电控制以引起活动结构分别关于第一轴线(A1)和第二轴线(A2)的振荡。第一可变形结构还包括相应数量的次压电元件(42’)，它们能够被电控制从而改变活动结构关于第一轴线的第一谐振频率。
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公开(公告)号：CN116854022A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311029811.X
申请日：2018-11-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及压电型微机电致动器装置和集成微机电致动器装置的设备。微机电致动器装置包括固定结构和移动结构。移动结构包括第一可变形带、第二可变形带和第三可变形带，均在第一可变形带的相对侧上延伸，每个带均承载压电致动器。在第二和第三压电体被偏置的工作状态下，第二和第三可变形带经历负弯曲，而第一可变形带经历正弯曲。因此产生的两个加在一起的平移引起第一可变形带的位移大于可由相等基面的单个膜获得的位移。
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公开(公告)号：CN116140172A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211449389.9
申请日：2022-11-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及去除所述半导体本体的从所述第二表面向所述第二腔室的一个或多个相应的选择性部分。一种MEMS超声换能器MUT器件，包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括：第一腔室，其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中；由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜；膜上的压电元件；在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室；中心流体通道，所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室；以及一个或多个横向流体通道，所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992192B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202011360102.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司(IT)
Abstract: 本公开的各种实施例提供了用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺。该读/写设备包括固定结构；膜区域，包括被约束到固定结构的第一膜和第二膜以及介于第一膜与第二膜之间的中心部分；第一压电致动器和第二压电致动器，分别被机械地耦合到第一膜和第二膜；以及读/写头，被固定到膜区域的中心部分。可以控制第一压电致动器和第二压电致动器以导致第一膜和第二膜的对应的变形，第一膜和第二膜的所述变形导致读/写头相对于固定结构的对应的移动。
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公开(公告)号：CN115501987A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210726259.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及用于喷射非常小的液滴的改进的微流体设备。一种微流体设备具有腔室；与腔室流体连接的流体进入通道；与腔室流体连接的多个喷嘴孔；以及可操作地耦合到流体容纳腔室并且被配置为在微流体设备的操作条件下使流体的液滴喷射通过喷嘴孔的致动器。腔室具有细长形状，具有长度和最大宽度，其中腔室的长度与最大宽度之间的纵横比为至少3:1。喷嘴孔被配置为在使用中生成具有总液滴体积的多个液滴，其中总液滴体积与腔室体积的比率为至少15％。
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公开(公告)号：CN115103280A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111441249.2
申请日：2021-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于在传播介质中转换声波的微机械装置，包括：本体；第一电极结构，叠加至本体并且与本体电绝缘，第一电极结构和本体在它们之间限定第一掩埋腔；以及第一压电元件，叠加至第一电极结构，其中，本体、第一电极结构和掩埋腔形成第一电容式超声换能器，并且第一电极结构和第一压电元件形成第一压电超声换能器。
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公开(公告)号：CN113493186A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110295228.8
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统。基于科里奥利力的流量感测装置的实施例和用于制造该基于科里奥利力的流量感测装置的实施例的方法的实施例，包括以下步骤：形成驱动电极；在驱动电极上形成第一牺牲区域；在第一牺牲区域上形成第一结构部分，在第一结构部分中埋设有第二牺牲区域；形成用于选择性地蚀刻第二牺牲区域的开口；在开口内形成具有孔隙的多孔层；通过多孔层的孔隙去除第二牺牲区域，形成埋入通道；在多孔层上并且不在埋入通道内生长第二结构部分，第二结构部分与第一结构区域形成结构体；选择性地去除第一牺牲区域，从而将结构体悬置在驱动电极上。
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公开(公告)号：CN109278407B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201810790541.7
申请日：2018-07-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有压电致动的微流体MEMS器件及其制造工艺。一种微流体器件具有多个喷射器元件。每个喷射器元件包括：容纳第一流体流动通道和致动器室的第一区域；容纳流体容纳室的第二区域；以及容纳第二流体流动通道的第三区域。流体容纳室流体耦合到第一和第二流体流动通道。第二区域由膜层、膜限定层和流体腔室限定体形成，膜限定层机械地耦合到膜层并且具有膜限定开口，流体腔室限定体机械地耦合到膜限定层并且具有腔室限定开口，腔室限定开口的宽度大于膜限定开口的宽度。因此，膜的宽度由腔室限定开口的宽度限定。
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