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公开(公告)号：CN1955848A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610150030.6
申请日：2006-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种浸润式光刻装置、光刻装置及其洁净方法，所述光刻装置包括：一成像镜片模块、一基板平台、以及一洁净模块。上述基板平台是位于成像镜片模块下方，以握持一基板，而上述洁净模块是用于洁净光刻装置之用，其中该洁净模块是择自超声波单元、洗涤器、流体喷嘴、静电洁净机及上述装置的组合所组成的族群。本发明所述的浸润式光刻装置、光刻装置及其洁净方法，减少了由污染造成的缺陷产生以及良率降低等不良情况。
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公开(公告)号：CN1955847A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610149997.2
申请日：2006-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70333 , G03F7/70091 , G03F7/70108 , G03F7/70283 , G03F7/70641 , G03F9/7026
Abstract: 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。
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公开(公告)号：CN1932648A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610099439.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式(Immersion)微影系统与制程。此系统至少包括：具有前表面的成像透镜、位于成像透镜的前表面下方的基材平台、浸润液维持结构，此浸润液维持结构是设置来容纳第一流体，其中第一流体是至少部分地填充在前表面与基材平台上的基材间的空间中。此浸润液维持结构包括第一入口和第二入口其中的至少一者，其中第一入口是位于靠近成像透镜并连接至真空泵系统，第一入口可操作来提供第一流体至前表面与基材之间；第二入口是位于靠近成像透镜，并可操作来提供第二流体至基材上。
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公开(公告)号：CN118782461A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410765142.0
申请日：2024-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/00
Abstract: 提供了一种半导体装置的形成方法及光阻剂组成物。用于形成半导体装置的方法包括在基板上方形成包含有机金属化合物的光阻层。有机金属化合物包括金属芯、至少一种与金属芯键合的可水解配位基、以及至少一种与金属芯键合的光酸产生剂配位基。此方法还包括选择性地将光阻层曝光辐射下并对光阻层进行显影以在光阻层中形成图案。
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公开(公告)号：CN118444522A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311651654.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文公开了用于金属光致抗蚀剂的剂量减少底部抗反射涂料。一种形成半导体器件的方法包括，在基板上方沉积涂料层，在所述涂料层上方形成光致抗蚀剂层，将所述光致抗蚀剂层曝光于光化辐射，以及使所述光致抗蚀剂层显影以形成图案化的光致抗蚀剂层。所述涂料层包含聚合物，所述聚合物含有第一单元和第二单元，所述第一单元具有在曝光于光化辐射或暴露于热量时能够产生氢自由基的悬挂氢供体基团，所述第二单元具有在曝光于光化辐射或暴露于热量时能够产生水的悬挂的水供体基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427557B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201810621209.8
申请日：2018-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供进行光刻制程的方法，进行光刻制程的方法包含在基底上方形成光刻胶层，并将光刻胶层的一部分曝光，以在未曝光部分之间形成曝光部分。进行光刻制程的方法还包含将光刻胶层显影以移除光刻胶层的曝光部分，使得开口形成于未曝光部分之间，并在开口中和光刻胶层的未曝光部分上方形成后处理涂布材料。进行光刻制程的方法还包含通过进行后处理制程，光刻胶层的未曝光部分的一部分与后处理涂布材料反应，以及移除后处理涂布材料。
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公开(公告)号：CN116643459A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310328425.4
申请日：2023-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光刻胶层并将碱组合物施加到光刻胶层，所述碱组合物包括无机碱、有机碱、热致碱生成剂或光致碱生成剂。将所述光刻胶层选择性地暴露于光化辐射，以形成潜在图案。通过将显影剂组合物施加到选择性暴露的光刻胶层来使潜在图案显影以在光刻胶层中形成图案。碱组合物在一个或多个选自如下的操作中施加到光刻胶层：碱组合物在形成光刻胶层之前作为底层施加到基板且随后所述组合物被光刻胶层吸收，在预暴露烘烤操作期间，在光刻胶层被选择性暴露之后且在使潜在图案显影之前，以及在使潜在图案显影之后。
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公开(公告)号：CN108227409B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201710565649.1
申请日：2017-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/32
Abstract: 光刻图案化的方法包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光敏剂包含共振环，且共振环包含氮与至少一双键。方法亦包括对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。方法亦包括显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN108333866B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201711183989.4
申请日：2017-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 本公开提供光刻图案化的方法的实施例。方法包括涂布光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包括第一聚合物、第一光产酸剂、以及化学添加剂混合于溶剂中；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及对光致抗蚀剂层进行显影工艺，以形成图案化光致抗蚀剂层。化学添加剂在光致抗蚀剂层中的分布不一致。
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公开(公告)号：CN114779580A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110659034.1
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 在一抗蚀剂分配的方法中，抗蚀剂材料穿过在晶圆上的抗蚀剂泵送系统的喷嘴的管分配。管从喷嘴的顶部延伸到底部，并且具有上部、下部、及中间区段。当未分配时，抗蚀剂材料从下部及中间区段缩回，并且维持在管的上部区段中。当缩回时，第一溶剂流过在喷嘴的底部处的喷嘴尖端来用第一溶剂填充管的下部区段并且在管的中间区段中在抗蚀剂材料与第一溶剂之间产生缝隙。中间区段包括在管的内表面壁上的多个抗蚀剂材料残留物及第一溶剂的蒸汽。第一溶剂的蒸汽防止抗蚀剂材料残留物干燥。
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