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公开(公告)号：CN106325002A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510860952.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/325 , C07C69/12 , C07C69/22 , C07C69/62 , C07C69/63 , H01L21/0274 , H01L21/0337
Abstract: 一种光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化之方法，用于光刻技术图案化之方法包括以下步骤：提供基板；在此基板之上形成材料层；将此材料层的一部分暴露于辐射；且在显影剂中移除此材料层的一未暴露部分，产生图案化材料层。显影剂具有大于1.82的Log P值且含有有机溶剂。在一实施例中，有机溶剂为由化学式CH3R5CHR4CHR3CHR2COOCH2R1表示的乙酸正丁酯衍生物，其中R1、R2、R3、R4，及R5各自选自由以下各者组成的群组：氢基、甲基、乙基、及氟烷基。由此显影剂所形成的抗蚀剂图案具有低的线边缘粗糙度及线宽度粗糙度，因此，本发明的显影剂能够在光刻工艺中提供高的图案保真度。
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公开(公告)号：CN106168737A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201510859835.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种化学增幅光阻材料、共聚物及微影方法。敏感材料包含一共聚物，共聚物包括聚合物单元，聚合物单元包括：疏水单元；亲水单元，亲水单元包含酸产生剂；以及连接单元，连接单元接合于疏水单元与亲水单元之间，连接单元包含遇酸不稳定基团。当以此敏感材料作为光阻，在微影工艺期间的酸扩散会受到连接单元的抑制。
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公开(公告)号：CN105990104A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510860185.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/26
Abstract: 本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂来处理该负型光致抗蚀剂层；该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品。
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公开(公告)号：CN103177937B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210058766.6
申请日：2012-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0273
Abstract: 一种方法包括形成光刻胶图案，以及对光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，光刻胶图案的第二部分未暴露于光。将光酸反应材料涂布在光刻胶图案的第一部分和第二部分上。该光酸反应材料与光刻胶图案反应形成膜。然后，去除光酸反应材料的未与光刻胶图案反应的部分，并且使膜留在光刻胶图案上。本发明提供了CMOS工艺中的图案化步骤的选择性偏置补偿。
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公开(公告)号：CN104698757A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738378.1
申请日：2014-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
Abstract: 通过利用会分解的小基团在光刻胶曝光和后曝光烘烤中降低了收缩和质量损失。可选地，可以利用不会分解的大基团或者会分解的小基团和不会分解的大基团的组合。另外，可以利用极性官能团以便降低反应物穿过光刻胶的扩散。本发明还涉及光刻胶和方法。
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公开(公告)号：CN104689619A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410736750.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B01D67/0093 , B01D65/003 , B01D69/02 , B01D2313/04 , B01D2323/30 , B01D2323/34 , G03F7/16
Abstract: 根据实施例，在使用过滤膜过滤工艺流体之前，使用密封材料密封过滤膜。密封材料是氟基聚合物或具有交联基团的聚合物。一旦已经将密封材料放置为与过滤膜接触，可以使用物理或化学工艺引发交联反应以交联密封材料并将过滤膜密封到密封材料内，从而使过滤膜与工艺流体间隔开，以减小或消除过滤膜浸出至工艺流体内。本发明涉及具有密封处理的过滤器。
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公开(公告)号：CN101930170B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010142457.8
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0751 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0752 , G03F7/085 , G03F7/11 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供了用于蚀刻衬底的方法。该方法包括：在衬底上形成图样化感光层；对衬底施加蚀刻化学流体，其中，所述图样化感光层包括粘合增进剂和/或疏水添加剂；去除蚀刻化学流体；以及去除抗蚀剂图样。
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公开(公告)号：CN102468141A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110228993.4
申请日：2011-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , C23C16/455
Abstract: 一种用于形成薄膜的蒸发喷射沉积装置包括处理室、流体线以及在处理室附近与流体线连接的喷射头。流体线被设置成向喷射头传输聚合物流体和溶剂混合物。喷射头被设置成接收聚合物流体和溶剂混合物并且雾化该聚合物流体和溶剂混合物，从而以基本上蒸发的形式喷出该聚合物流体和溶剂混合物以沉积在表面上，并且由此在溶剂蒸发之后在该表面上形成聚合物薄膜。在实施例中，该蒸发喷射沉积装置可以包括加热装置以对聚合物进行硬烘烤工艺。在实施例中，蒸发喷射沉积装置被设置成向该薄膜聚合物提供沉积后溶剂喷射修整工艺。本发明还提供了一种蒸发聚合物喷射沉积系统。
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公开(公告)号：CN101789367B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200910169143.4
申请日：2009-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张庆裕
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/31111 , H01L21/31133
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制法，其制法包括以下步骤：形成一材料层于一基材之上；形成一牺牲层于材料层之上，其中材料层与牺牲层各自具有小于100埃的厚度；形成一图案化光致抗蚀剂层于牺牲层之上；利用图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，施加一第一湿式蚀刻工艺以蚀刻牺牲层，借以形成一图案化牺牲层；施加一第二湿式蚀刻工艺以蚀刻材料层；以及施加一第三湿式蚀刻工艺以移除图案化牺牲层。本发明可将蚀刻时间延长而不会发生光致抗蚀剂剥落(peeling)的问题；或可减少对第二材料层进行湿式蚀刻的时间，且可解决光致抗蚀剂剥落的问题；或可解决氮化钛表面残留光致抗蚀剂残余物的问题。
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公开(公告)号：CN101950719A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010128088.7
申请日：2010-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供了用于半导体集成电路的自组装图样和制造半导体器件的方法，该方法包括提供衬底。在衬底之上形成材料层。在材料层之上形成聚合物层。纳米部件使用聚合物层的一部分而自组装。使用纳米部件对衬底进行图样化。
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