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公开(公告)号：CN114717657A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210272003.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子体辅助沉积，通过激光分子束外延，对生长条件进行了优化，在常温下获得了NiO单晶，提高了晶体质量，降低了表面粗糙度，使得器件性能的提升更为可观。得益于对衬底的有效预处理，衬底表面形成了宏观台阶流结构，从而有利于NiO单晶的形成；此外，氧气等离子体的辅助，活化了氧原子，在常温下异质外延单晶NiO。这种天然的p型材料在氧化镓衬底上的高质量异质外延，拓宽了氧化镓基高功率器件的实现途径。
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公开(公告)号：CN114477339A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111615655.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 南京大学
IPC: C02F1/14 , A01G9/14 , C02F103/08
Abstract: 本发明公开了一种协同现代农业的太阳能海水淡化系统，包括种植棚和设置在种植棚左右两侧的海水池，所述海水池内部靠近种植棚一侧的底部连通有扁平矩形导水管，所述扁平矩形导水管的一端贯穿种植棚并延伸至种植棚的中部，本发明涉及太阳能海水淡化技术领域。该协同现代农业的太阳能海水淡化系统，通过将界面蒸发系统直接耦合进农业种植棚中，具备占地面积小，易于大规模农业生产的特点，且较常规界面太阳能海水淡化技术而言，半透明状拱形蒸发桥采用具备选择性光吸收性能的有机染料，实现高透射植物生长所需阳光的同时充分利用植物生长所不需要的其他波段阳光实现高效海水淡化，以提供植物生长所需的淡水。
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公开(公告)号：CN114087596A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111373185.7
申请日：2021-11-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种有效防盐沉积的高效太阳能水蒸气产生系统，涉及海水淡化技术领域，包括塑料水池，所述塑料水池内放置有适量的污水或待淡化的海水，且塑料水池内放置有漂浮在水上的泡沫盖板，且泡沫盖板上开设有多个均匀分布的限位孔，且限位孔内放置有冷凝水收集瓶，所述塑料水池的上表面安装有透明防护罩，所述泡沫盖板的四角处均贯穿有蒸发器件，且蒸发器件插在泡沫盖板的四角处，且蒸发器件的下端向下延伸并位于塑料水池内，蒸发器件的侧壁为锯齿形，所述塑料水池的下表面固定连接有配重组件，通过合理的设计，可在处理污水(海水)时，将盐沉积在蒸发器件侧壁而非蒸发表面上，防止蒸发器件效率降低。
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公开(公告)号：CN106645323B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201611079255.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
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公开(公告)号：CN108374153A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810042756.0
申请日：2018-01-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，对衬底进行清洗处理；亲水处理；将聚甲基丙烯酸支撑的多孔氧化铝薄膜模板(PMMA/AAO)转移至丙酮溶液中去除超薄多孔氧化铝的PMMA支撑层；将去除了PMMA支撑层的超薄多孔氧化铝转移至过氧化氢溶液中室温浸泡2至10小时进行亲水处理；将亲水处理后的超薄多孔氧化铝转移至丙酮溶液中，在丙酮溶液中将超薄多孔氧化铝转移至经亲水处理的衬底上并室温风干；将覆盖有多孔氧化铝的衬底固定于平行对着磁控溅射溅射源的衬底托上；采用磁控溅射生长相应材料；蒸镀完金属后，采用聚酰亚胺高温胶带揭除或采用5～10％的NaOH去除多孔氧化铝，获得大面积、高度有序纳米颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098812B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610466410.4
申请日：2016-06-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池，自上而下依次为：包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列、包裹纳米线底端的PMDS支撑层和p型掺杂高导单晶硅层衬底，利用具有中间带特性的氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列作为光电吸收层；在AZO透明导电薄膜和p型掺杂高导单晶硅层分别引出电极。
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公开(公告)号：CN106098812A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610466410.4
申请日：2016-06-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/077 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/02963 , H01L31/032 , H01L31/035227 , H01L31/18 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池，自上而下依次为：包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列、包裹纳米线底端的PMDS支撑层和p型掺杂高导单晶硅层衬底，利用具有中间带特性的氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列作为光电吸收层；在AZO透明导电薄膜和p型掺杂高导单晶硅层分别引出电极。
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公开(公告)号：CN103938183A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410177089.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排净反应室中的空气；充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理；高温预处理的温度为1000℃-1200℃，处理时间为3min-8min；将衬底降温到适合ZnO缓冲层薄膜生长的温度，使用高纯二甲基锌作为Zn源，叔丁醇t-BuOH作为O源，在MOCVD设备中生长ZnO缓冲层；ZnO薄膜生长是选用N2作为稀释气体，同时加入适当流量的H2；采用LP－MOCVD技术在ZnO缓冲层上生长ZnO。
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公开(公告)号：CN102912315A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210344800.6
申请日：2012-09-17
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02
Abstract: 制备InN基薄膜的方法，其利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜。蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长I nN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700-900℃；HCl流量：1-20sccm，HCl的氮气载气流量10-1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50-500sccm；生长时间10-120分钟。制备InxGa1-xN合金薄膜时，在上述条件的基础上，镓源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化镓，金属源区温度700-900℃。
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公开(公告)号：CN102856172A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210320301.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/30617
Abstract: 一种制备低应力GaN薄膜的方法，通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。本发明用于降低氢化物气相外延（HVPE）生长半导体材料GaN薄膜材料中应力。
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