公开(公告)号：CN114447100A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210060232.0

申请日：2022-01-19

Applicant: 南京大学 ,  南京大学深圳研究院

Inventor： 叶建东 ,  张贻俊 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法，所述肖特基二极管由下往上依次包括衬底层，氧化镓层，氧化镓微米柱的肖特基阵列；所述氧化镓层材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓，所述氧化镓微米柱材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓。本发明将HVPE和Mist CVD结合，快速制备出氧化镓微米柱阵列，制备高质量的氧化镓阵列材料，以实现低开启电压、快开关速度和低能源损耗的氧化镓微米柱阵列的肖特基二极管。相对于其他氧化镓肖特基二极管的方法，本发明制备的氧化镓微米柱阵列形貌精准可控，重复性好，效率高，制造工艺简单，可以有效地集成和大规模生产。

公开(公告)号：CN115621327A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202110792656.1

申请日：2021-07-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  胡天澄 ,  巩贺贺 ,  郁鑫鑫 ,  徐阳 ,  张贻俊 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出了一种基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N‑漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N‑漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与N‑漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N‑漂移层形成肖特基接触；PN异质结与肖特基接触相并联。本发明利用Ni薄膜在快速热退火下形成的自组装纳米岛代替光刻胶作为掩膜，省去了光刻的步骤，大大简化了制备工艺，不仅缩短了制备周期，而且节约了成本。

公开(公告)号：CN114717657B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210272003.5

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  陈燕婷 ,  张贻俊 ,  郝景刚 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子体辅助沉积，通过激光分子束外延，对生长条件进行了优化，在常温下获得了NiO单晶，提高了晶体质量，降低了表面粗糙度，使得器件性能的提升更为可观。得益于对衬底的有效预处理，衬底表面形成了宏观台阶流结构，从而有利于NiO单晶的形成；此外，氧气等离子体的辅助，活化了氧原子，在常温下异质外延单晶NiO。这种天然的p型材料在氧化镓衬底上的高质量异质外延，拓宽了氧化镓基高功率器件的实现途径。

公开(公告)号：CN114717657A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210272003.5

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  陈燕婷 ,  张贻俊 ,  郝景刚 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子体辅助沉积，通过激光分子束外延，对生长条件进行了优化，在常温下获得了NiO单晶，提高了晶体质量，降低了表面粗糙度，使得器件性能的提升更为可观。得益于对衬底的有效预处理，衬底表面形成了宏观台阶流结构，从而有利于NiO单晶的形成；此外，氧气等离子体的辅助，活化了氧原子，在常温下异质外延单晶NiO。这种天然的p型材料在氧化镓衬底上的高质量异质外延，拓宽了氧化镓基高功率器件的实现途径。