公开(公告)号：CN114717657A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210272003.5

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  陈燕婷 ,  张贻俊 ,  郝景刚 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子体辅助沉积，通过激光分子束外延，对生长条件进行了优化，在常温下获得了NiO单晶，提高了晶体质量，降低了表面粗糙度，使得器件性能的提升更为可观。得益于对衬底的有效预处理，衬底表面形成了宏观台阶流结构，从而有利于NiO单晶的形成；此外，氧气等离子体的辅助，活化了氧原子，在常温下异质外延单晶NiO。这种天然的p型材料在氧化镓衬底上的高质量异质外延，拓宽了氧化镓基高功率器件的实现途径。

公开(公告)号：CN114717657B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210272003.5

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  陈燕婷 ,  张贻俊 ,  郝景刚 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子体辅助沉积，通过激光分子束外延，对生长条件进行了优化，在常温下获得了NiO单晶，提高了晶体质量，降低了表面粗糙度，使得器件性能的提升更为可观。得益于对衬底的有效预处理，衬底表面形成了宏观台阶流结构，从而有利于NiO单晶的形成；此外，氧气等离子体的辅助，活化了氧原子，在常温下异质外延单晶NiO。这种天然的p型材料在氧化镓衬底上的高质量异质外延，拓宽了氧化镓基高功率器件的实现途径。