公开(公告)号：CN115621327A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202110792656.1

申请日：2021-07-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  胡天澄 ,  巩贺贺 ,  郁鑫鑫 ,  徐阳 ,  张贻俊 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出了一种基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N‑漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N‑漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与N‑漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N‑漂移层形成肖特基接触；PN异质结与肖特基接触相并联。本发明利用Ni薄膜在快速热退火下形成的自组装纳米岛代替光刻胶作为掩膜，省去了光刻的步骤，大大简化了制备工艺，不仅缩短了制备周期，而且节约了成本。

公开(公告)号：CN116072706A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310052068.3

申请日：2023-02-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  孙娜 ,  巩贺贺 ,  胡天澄 ,  许轲 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提出了氧化镓异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括p型半导体衬底、绝缘阻隔层、n型氧化镓沟道层、导电电极层、高介电常数氧化物栅介质层，所述p型半导体衬底上方设置绝缘阻隔层，所述阻隔层之间以及上方设置所述n型氧化镓沟道层，所述n型氧化镓沟道层上设置所述高介电常数氧化物介质层，在所述绝缘阻隔层一侧、n型氧化镓沟道层及高介电常数氧化物介质层上方设置所述导电电极层。采用薄层高介电常数氧化物作为栅介质，易于从氧化物半导体结处的p型载流子的外部源吸引空穴，发生带间隧穿，突破传统MOSFET器件的玻尔兹曼限制，使得亚阈值摆幅降低至60mV/decade以下。本发明在高速度和低功耗逻辑开关电路中具有重要的应用前景。