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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108374153B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810042756.0
申请日：2018-01-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，对衬底进行清洗处理；亲水处理；将聚甲基丙烯酸支撑的多孔氧化铝薄膜模板(PMMA/AAO)转移至丙酮溶液中去除超薄多孔氧化铝的PMMA支撑层；将去除了PMMA支撑层的超薄多孔氧化铝转移至过氧化氢溶液中室温浸泡2至10小时进行亲水处理；将亲水处理后的超薄多孔氧化铝转移至丙酮溶液中，在丙酮溶液中将超薄多孔氧化铝转移至经亲水处理的衬底上并室温风干；将覆盖有多孔氧化铝的衬底固定于平行对着磁控溅射溅射源的衬底托上；采用磁控溅射生长相应材料；蒸镀完金属后，采用聚酰亚胺高温胶带揭除或采用5～10％的NaOH去除多孔氧化铝，获得大面积、高度有序纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN108374153A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810042756.0
申请日：2018-01-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，对衬底进行清洗处理；亲水处理；将聚甲基丙烯酸支撑的多孔氧化铝薄膜模板(PMMA/AAO)转移至丙酮溶液中去除超薄多孔氧化铝的PMMA支撑层；将去除了PMMA支撑层的超薄多孔氧化铝转移至过氧化氢溶液中室温浸泡2至10小时进行亲水处理；将亲水处理后的超薄多孔氧化铝转移至丙酮溶液中，在丙酮溶液中将超薄多孔氧化铝转移至经亲水处理的衬底上并室温风干；将覆盖有多孔氧化铝的衬底固定于平行对着磁控溅射溅射源的衬底托上；采用磁控溅射生长相应材料；蒸镀完金属后，采用聚酰亚胺高温胶带揭除或采用5～10％的NaOH去除多孔氧化铝，获得大面积、高度有序纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN111695634A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010536444.2
申请日：2020-06-12
Applicant: 江苏方天电力技术有限公司 , 南京大学 , 江苏万维艾斯网络智能产业创新中心有限公司
Abstract: 本发明针公开了一种新的异常突变点检测方法，尤其是一种基于有限陪审团机制的数据异常突变点检测算法。利用有限陪审团机制，帮助在工业数据流中的对突变点进行高效、准确的识别和检测。本发明提出了有限陪审团思想，通过选取有限的高质量陪审团，并构建待检测点组，实现对数据流异常突变点的有效识别与检测。该算法具备较低延迟，能够在实时数据流中及时识别异常突变点。
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公开(公告)号：CN106601881B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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公开(公告)号：CN106601881A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0079
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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