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公开(公告)号：CN108305932A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810191251.0
申请日：2018-03-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中皓照明科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高光效白光LAMP-LED结构及封装方法，解决了现有技术在白光LAMP LED封装过程中焊线不良、出光效率不佳的问题。本发明包含有倒装LED芯片，倒装LED芯片安装在平头Γ型支架的平台上；LED荧光粉胶混合物将倒装LED芯片与平头Γ型支架上端包裹并形成半球形LED荧光粉发光层；环氧树脂胶包裹在半球形LED荧光粉发光层外围并形成环氧树脂胶透镜；倒装LED芯片与平头Γ型支架的平台通过固晶锡膏连接；平头Γ型支架由匹配的一对平头Γ型正极支架、平头Γ型负极支架组成。本发明利用平头Γ型支架作为白光LED封装支架，简化了固晶焊线工艺并提高产品的可靠性，大大提高了白光LAMP LED出光效率。
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公开(公告)号：CN106498499A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610966496.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/14 , C30B30/02
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
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公开(公告)号：CN101337494A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810118133.3
申请日：2008-08-12
Applicant: 北京大学
IPC: B60F3/00
Abstract: 本发明涉及一种水陆两栖仿生机器人，其特征在于：它包括一个密封的主舱体和四个桨腿复合推进机构，主舱体内设置有控制装置、电源装置和水路环境检测传感器；四个桨腿复合推进机构两两相对且对称设置在主舱体两侧，每个桨腿复合推进机构均包括两个主动杆、一从动杆和一摆动桨，两个主动杆的一端分别连接两电机的输出端，且一个主动杆靠近主舱体中间部位，它的另一端通过一转轴连接摆动桨一端；另一主动杆靠近主舱体外侧，它的另一端通过一转轴连接从动杆，从动杆通过一转轴连接摆动桨的中间位置，摆动桨的另一端为执行末端。本发明具有良好的环境适用能力，稳定可靠，运动灵活，可在沼泽、近海域地带完成各种勘查、作业等任务，在未来的海上登陆作战中也可发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN100352116C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510011195.0
申请日：2005-01-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目的，同时可以省略掉磨片、划片、裂片等大量工艺过程，简化工艺、降低成本。本发明是通过在GaN外延片的n面上电镀具有GaN基LD激光器管芯结构的厚铜，镀铜层具有于激光器管芯相同的间隔和周期，接着以铜作为解理激光器芯片时的支撑，并且作为LD芯片最终的热沉。本发明的特点在于同时解决了目前氮化镓基激光器导热、导电性能差和难以制备自然解理面的困难。
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公开(公告)号：CN119465395A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202310990328.1
申请日：2023-08-08
Applicant: 香港大学 , 北京大学东莞光电研究院 , 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种规模化制造超平多晶金刚石膜的方法，包括：(1)采用化学气相沉积法在表面具有金刚石晶种的生长衬底上生长一层多晶金刚石膜；(2)将生长后的衬底裁剪下至少一部分，形成多晶金刚石膜与生长衬底接合的分界线；(3)粘贴剥离胶带；(4)拉动剥离胶带将多晶金刚石膜从生长衬底表面剥离下来，以使多晶金刚石膜的成核表面暴露，其中，暴露后的成核表面的粗糙度小于生长表面的粗糙度。本发明通过将生长的多晶金刚石膜的成核表面翻转过来，开发了一种新颖而简便的方法来制造价格合理、可规模化生长、超平坦且可转移的多晶金刚石膜，在实际应用中具有巨大潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118712186A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411018360.4
申请日：2024-07-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L25/075 , A01G7/04 , F21K9/235 , F21K9/90 , H01L33/48 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开一种用于LED植物照明的膜片光源及封装方法，依次包括上透明膜片、下透明膜片、LED发光器件和金属电极线路基板；所述LED发光器件包含阵列排布的正白色光、暖白色光、蓝色光、红色光、近红外色光的CSP LED芯片或Micro LED灯珠。本发明采用透明膜片封装技术，进行CSP LED芯片或Micro LED灯珠优化阵列排布封装制作成LED膜片光源，并将其膜片LED光源任意裁切制作成一个植物生长补光培育光源模块，从而进行LED单质光的智能控制光质、光周期、光强度和光合光子通量密度，利于植物的培育生长。
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公开(公告)号：CN118668282A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410715034.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种GaN单晶生长装置及其方法，包括：籽晶；加热组件；反应釜，所述加热组件设置于反应釜外侧，反应釜用于容纳反应原料和籽晶；升降机构，升降机构包括固定部、升降部和悬挂部，固定部设置于反应釜的外部，悬挂部设置于反应釜的内部，升降部的一端连接于所述固定部，升降部的另一端穿过反应釜的上端连接于悬挂部，籽晶设置于悬挂部；旋转机构，反应釜固定于旋转机构上。本发明通过反应釜的旋转实现籽晶的提升与下降，实现当N离子浓度较高时，籽晶浸入熔体，当N离子浓度较低时，籽晶与熔体分离，可以间断性控制GaN单晶的生长，保证了籽晶一直处于N离子的高浓度环境中，提高了GaN单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN118509667A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410733360.6
申请日：2024-06-06
Applicant: 咪咕视讯科技有限公司 , 北京大学
IPC: H04N21/81 , H04N19/597 , H04N21/4402 , H04N21/6587
Abstract: 本公开提供一种信息传输方法、装置、设备、存储介质和计算机程序产品，涉及视频编解码的技术领域。其中方法应用于编码设备时，包括：将目标全景视频拆分为多个视场角视频，所述多个视场角视频对应多个连续的视场角区间；对多个I帧和目标视场角视频对应的P帧进行编码，得到目标信息，其中，所述多个I帧和所述多个视场角视频一一对应，所述目标视场角视频对应的视场角区间包括解码设备对应的视频观看角度；向所述解码设备传输所述目标信息，以使所述解码设备缓存所述多个I帧，所述多个I帧和所述目标视场角视频对应的P帧用于形成解码视频。本公开能避免相关技术因I帧传输造成的时延影响，使切流操作的时延降低。
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公开(公告)号：CN118223107A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326262.0
申请日：2024-03-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置及方法，生长装置包括具有中空内腔的反应釜，反应釜包括生长段和解离段；其中，反应釜具有第一位姿、第二位姿和第三位姿，反应釜可受驱在第一位姿、第二位姿和第三位姿之间旋转切换；当反应釜位于第一位姿时，生长段处于直立状态，使解离腔内的熔体与生长腔内的籽晶分离；当反应釜倾斜至第二位姿时，解离腔内的内容物能够倾倒至流入生长腔中；当反应釜倾斜至第三位姿时，生长段内的内容物能够倾倒至流入解离腔中。本发明将氮元素的解离与生长过程彻底分离，有效解决了初始成核表面不平整的问题，同时能够解决由于蓝宝石与氮化镓单晶之间晶格失配导致的破裂问题，从而有效改善了生长所得的氮化镓单晶的质量。
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公开(公告)号：CN117966275A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410295051.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种GaN单晶生长装置，包括开设有NH3进气口、N2进气口和HC l进气口的反应器，反应器内设置有第一通道、第二通道、第三通道、镓舟、生长盘、生长衬底和盖板；第三通道的入口连通NH3进气口，第二通道的入口连通N2进气口，第一通道的入口连通HC l进气口，第三通道、第二通道和第一通道的出口均呈扁平状；镓舟与第一通道连通；生长衬底位于第三通道、第二通道和第一通道的出口的前方，且生长衬底设置在生长盘上；盖板位于生长衬底的上方，且盖板的高度高于第三通道。本发明可在生长衬底上形成稳定的层流流场，从而可确保得到高质量的GaN单晶，有利于GaN单晶的产业化。
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