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公开(公告)号：CN1874012A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200510073285.2
申请日：2005-06-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构，例如具有结构或粗糙化的微图形，光子晶体结构等，通过在出光面上引入这种表面微结构，使得光在出射介质的界面面积得到增加，增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向，增加出射几率，进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN101383480B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
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公开(公告)号：CN101383480A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
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公开(公告)号：CN1808801A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510011195.0
申请日：2005-01-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目的，同时可以省略掉磨片、划片、裂片等大量工艺过程，简化工艺、降低成本。本发明是通过在GaN外延片的n面上电镀具有GaN基LD激光器管芯结构的厚铜，镀铜层具有于激光器管芯相同的间隔和周期，接着以铜作为解理激光器芯片时的支撑，并且作为LD芯片最终的热沉。本发明的特点在于同时解决了目前氮化镓基激光器导热、导电性能差和难以制备自然解理面的困难。
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公开(公告)号：CN100352116C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510011195.0
申请日：2005-01-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目的，同时可以省略掉磨片、划片、裂片等大量工艺过程，简化工艺、降低成本。本发明是通过在GaN外延片的n面上电镀具有GaN基LD激光器管芯结构的厚铜，镀铜层具有于激光器管芯相同的间隔和周期，接着以铜作为解理激光器芯片时的支撑，并且作为LD芯片最终的热沉。本发明的特点在于同时解决了目前氮化镓基激光器导热、导电性能差和难以制备自然解理面的困难。
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