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公开(公告)号：CN106994209A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610041826.1
申请日：2016-01-22
Applicant: 北京大学 , 北京大学东莞光电研究院
IPC: A61N5/06
CPC classification number: A61N5/0618 , A61N2005/0651 , A61N2005/0662
Abstract: 一种治疗抑郁发作的光源及光治疗设备，所述光源包括第一组发射蓝光的LED发射源和第二组发射白光的LED发射源，第一组LED发射源包括至少一个LED，第二组合LED发射源包括至少一个LED；其中第一组LED发射源的波长为460nm‑480nm，第二组LED发射源的波长为420nm‑700nm；第一组LED发射源的LED数量与第二组LED发射源的LED数量的比例为0.03‑0.25。还涉及了所述光治疗设备的使用方法。
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公开(公告)号：CN106994209B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201610041826.1
申请日：2016-01-22
Applicant: 北京大学第六医院 , 北京大学东莞光电研究院
IPC: A61N5/06
Abstract: 一种治疗抑郁发作的光源及光治疗设备，所述光源包括第一组发射蓝光的LED发射源和第二组发射白光的LED发射源，第一组LED发射源包括至少一个LED，第二组合LED发射源包括至少一个LED；其中第一组LED发射源的波长为460nm‑480nm，第二组LED发射源的波长为420nm‑700nm；第一组LED发射源的LED数量与第二组LED发射源的LED数量的比例为0.03‑0.25。还涉及了所述光治疗设备的使用方法。
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公开(公告)号：CN110491978B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910886342.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法，本发明的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本发明提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，且制得的LED芯片结构紧凑合理，便于进行巨量转移；本发明提供的应用LED芯片结构的巨量转移方法，步骤操作简单，对位容易，巨量转移方便。
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公开(公告)号：CN112968005B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110142309.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法，首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔，以形成带孔基片；在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜，最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度、高导热率、高绝缘电阻、低介电常数、高化学稳定性的复合片，在很多场合可以作为多晶金刚石自支持片的替代材料。
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公开(公告)号：CN115074824A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210851067.0
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用边缘金属掩膜技术制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明采用在复合外延基板上制备金属掩膜环，限域外延生长GaN单晶牺牲层，再通过原位温差梯度法，利用单晶石墨烯的层间解耦分离得到自支撑的GaN单晶牺牲层，然后扩径外延得到GaN单晶厚膜，最后化学机械法修整GaN单晶厚膜，得到无应力的自支撑GaN单晶衬底；金属掩膜环与氢化物气相外延法氮化镓单晶制备工艺兼容性良好，对氮源分解反应具有高效催化作用，禁止GaN单晶厚膜的边缘生长的同时提高GaN单晶衬底的晶体质量并增大曲率半径；GaN单晶牺牲层与复合外延基板利用单晶石墨烯的层间解耦分离，最终得到的自支撑GaN单晶衬底中无失配应力积聚与缩径问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111155163B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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公开(公告)号：CN109982478B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910096408.6
申请日：2019-01-31
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
IPC: H05B45/325 , H05B45/20
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN109920888B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910179563.4
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，以形成纳米柱；形成绝缘层于所述纳米柱之间，以及于所述第一金属电极与第二金属电极之间；制备第一金属电极焊盘于所述第一金属电极上以及第二金属电极焊盘于所述第二金属电极上，形成互相连接的纳米柱结构；形成倒装焊接板于所述发光二极管芯片对应的位置上。
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公开(公告)号：CN112064111B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010830589.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法，该装置包括包括壳体、直径检测单元、升降式旋转支架和掩膜单元，壳体通过狭缝隔板分成上腔室和下腔室，上腔室内设有微波等离子体；本发明的方法通过升降式旋转支架带动金刚石圆片转动及升降，金刚石圆片一部分穿过狭缝隔板暴露在微波等离子体中，掩膜单元在金刚石圆片上涂布掩膜，抑制金刚石圆片的轴向生长，使得金刚石圆片只沿着径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片；并且根据直径检测单元的反馈，随着金刚石圆片直径生长变大，升降式旋转支架逐步降低，维持金刚石圆片的顶部高度不变，以便在微波等离子体下形成稳定的生长环境。
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