一种可调节光强型激光剥离装置

    公开(公告)号:CN110491811B

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN201910886765.2

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置,包括剥离室和激光器,剥离室顶部设有光学窗口,剥离室底部设有样品托盘装置,还包括光强调节装置,光强调节装置装设于剥离室内,光强调节装置位于样品托盘装置上方,激光剥离时,激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室,进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后,再照射至样品托盘装置的待剥离样品,进行激光剥离,本发明通过调整激光光强,形成光强的强弱分布,实现样品表面光强可调,有效控制激光剥离过程,避免样品炸裂。

    一种基于LD的双色温照明装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN110594702A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910880317.1

    申请日:2019-09-18

    Abstract: 本发明涉及LD技术领域,具体涉及一种基于LD的双色温照明装置及其制备方法,包括外壳、LD光源和电源,LD光源与电源电性连接,还包括热沉、活动反光单元和双色荧光单元,热沉装设于壳体内侧底部,双色荧光单元装设于壳体内侧顶部,LD光源贴合热沉设置,活动反光单元设于LD光源与双色荧光单元之间,热沉、LD光源、活动反光单元和双色荧光单元的中心位于同一中心轴线,本发明使用LD光源,其具有体积小,光线平行度高,可以很好的减少光线损失,旋转反光单元可以改变激光方向,从而实现色温调整,使用效果好;本发明提供的制备方法,其工艺简单,容易制造,且制得的照明装置使用效果好。

    一种高光效白光LAMP-LED结构及封装方法

    公开(公告)号:CN108305932A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810191251.0

    申请日:2018-03-08

    Abstract: 本发明公开了一种高光效白光LAMP-LED结构及封装方法,解决了现有技术在白光LAMP LED封装过程中焊线不良、出光效率不佳的问题。本发明包含有倒装LED芯片,倒装LED芯片安装在平头Γ型支架的平台上;LED荧光粉胶混合物将倒装LED芯片与平头Γ型支架上端包裹并形成半球形LED荧光粉发光层;环氧树脂胶包裹在半球形LED荧光粉发光层外围并形成环氧树脂胶透镜;倒装LED芯片与平头Γ型支架的平台通过固晶锡膏连接;平头Γ型支架由匹配的一对平头Γ型正极支架、平头Γ型负极支架组成。本发明利用平头Γ型支架作为白光LED封装支架,简化了固晶焊线工艺并提高产品的可靠性,大大提高了白光LAMP LED出光效率。

    一种可控悬浮晶体生长反应釜
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109402738A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811608232.X

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种可控悬浮晶体生长反应釜,包括反应釜体、籽晶和设置在该反应釜体内的坩埚,所述坩埚内装载有反应溶液,所述籽晶设于反应溶液内,还包括位于坩埚内的悬浮装置,所述籽晶与所述悬浮装置连接,所述悬浮装置可在反应溶液内上升或下降以调整所述籽晶在反应溶液内的位置,与现有技术相比,本发明通过增加了悬浮装置,悬浮装置能够在反应溶液中实现上浮或下沉动作,籽晶装设在悬浮装置上,实际应用中,通过调节悬浮装置在反应溶液中的位置,籽晶可以随悬浮装置连动而上浮或下沉到反应溶液内任意位置,由此可根据生长过程调整籽晶在反应溶液中的位置,有利于籽晶生长的各方面可控,保证籽晶一直处在最佳的反应溶液环境,进而大大加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。

    一种氮化铝COBLED光源的封装方法

    公开(公告)号:CN103730565B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201410023171.6

    申请日:2014-01-17

    CPC classification number: H01L2224/48091 H01L2924/00014

    Abstract: 本发明公开了一种氮化铝COB LED光源及封装方法,包括氮化铝陶瓷散热基板,散热基板上形成镀铜电路层,电路层上镀有反光层。在基板上形成环氧树脂杯碗,在杯碗内安装有LED芯片,LED芯片通过引线连接到基板上,LED上方涂覆荧光粉凃层。本发明通过在氮化铝陶瓷基板上采用脱模塑封形成多个环氧树脂杯碗,有效解决了陶瓷基板本身光学设计加工的难题,同时也解决COB光源光色度一致性控制的难题,能够很好地解决COB光源散热的问题。

    一种三相交流驱动LED的集成封装光源结构

    公开(公告)号:CN103731964A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201410023174.X

    申请日:2014-01-17

    CPC classification number: Y02B20/40

    Abstract: 本发明公开了一种三相交流驱动LED的集成封装光源结构结构,将LED芯片晶粒分为七个部分,其中第七部分LED为主光源部分,剩余部分LED组成一个具有三相全波整流作用的LED芯片晶粒串组,该结构无需将驱动电源进行AC/DC转换,采用AC电源直接驱动,从而使得该结构一方面更加的节能省电,同时在驱动上更加的方便,另一方面主光源部分LED的晶粒串组能够连续点亮,因此提高了交流LED的利用率,由于采用三相全波整流结构,整个电路电压更加稳定,使LED发光更加连续均匀,提高了LED光源的品质。

    一种光调制局部加强的晶体生长装置

    公开(公告)号:CN109440189B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN201811615323.6

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本发明涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置,包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件,反应釜设有入射窗口,激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内,光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间,通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束,与现有技术相比,本发明增设有光束整型元器件,激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内,光束整型元器件可汇聚或减弱光束,光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域,从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整,有效局部地增强或减弱晶体生长速率。

    一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法

    公开(公告)号:CN110491978A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910886342.0

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法,本发明的LED芯片结构包括衬底和发光单元,发光单元与衬底连接,还包括钝化层和欧姆接触层,发光单元与衬底连接处设有金属层,钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接,欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接,本发明提供的LED芯片结构,设计合理,在巨量转移过程中,无需识别LED芯片的电极,减小对位难度,方便转移;本发明的制备方法,工艺简单,制备容易,且制得的LED芯片结构紧凑合理,便于进行巨量转移;本发明提供的应用LED芯片结构的巨量转移方法,步骤操作简单,对位容易,巨量转移方便。

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