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公开(公告)号：CN110491811B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910886765.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置，包括剥离室和激光器，剥离室顶部设有光学窗口，剥离室底部设有样品托盘装置，还包括光强调节装置，光强调节装置装设于剥离室内，光强调节装置位于样品托盘装置上方，激光剥离时，激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室，进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后，再照射至样品托盘装置的待剥离样品，进行激光剥离，本发明通过调整激光光强，形成光强的强弱分布，实现样品表面光强可调，有效控制激光剥离过程，避免样品炸裂。
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公开(公告)号：CN110491978A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910886342.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法，本发明的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本发明提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，且制得的LED芯片结构紧凑合理，便于进行巨量转移；本发明提供的应用LED芯片结构的巨量转移方法，步骤操作简单，对位容易，巨量转移方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491978B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910886342.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法，本发明的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本发明提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，且制得的LED芯片结构紧凑合理，便于进行巨量转移；本发明提供的应用LED芯片结构的巨量转移方法，步骤操作简单，对位容易，巨量转移方便。
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公开(公告)号：CN110491811A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910886765.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置，包括剥离室和激光器，剥离室顶部设有光学窗口，剥离室底部设有样品托盘装置，还包括光强调节装置，光强调节装置装设于剥离室内，光强调节装置位于样品托盘装置上方，激光剥离时，激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室，进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后，再照射至样品托盘装置的待剥离样品，进行激光剥离，本发明通过调整激光光强，形成光强的强弱分布，实现样品表面光强可调，有效控制激光剥离过程，避免样品炸裂。
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公开(公告)号：CN210296333U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921567990.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/673 , H01L33/48
Abstract: 本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种用于MicroLED显示的巨量转移结构，包括基板和设于基板上的若干个用于容置发光二极管芯片的容置槽，容置槽匹配发光二极管芯片的大小设置，还包括送料装置，送料装置一端贴合基板设有容置槽的一面设置，送料装置设有送料轨道，送料轨道对应容置槽设置，送料装置贴合基板的一端，送料轨道与容置槽连通，送料装置未贴合基板的一端，设有防止来料掉落的挡板，本实用新型结构简单，设计合理，便于通过送料轨道，将巨量的发光二极管芯片送入容置槽。
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公开(公告)号：CN210296316U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921568500.X
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置，包括剥离室和激光器，剥离室顶部设有光学窗口，剥离室底部设有样品托盘装置，还包括光强调节装置，光强调节装置装设于剥离室内，光强调节装置位于样品托盘装置上方，激光剥离时，激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室，进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后，再照射至样品托盘装置的待剥离样品，进行激光剥离，本实用新型通过调整激光光强，形成光强的强弱分布，实现样品表面光强可调，有效控制激光剥离过程，避免样品炸裂。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210296404U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921568207.3
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构，本实用新型的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本实用新型提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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