-
公开(公告)号：CN119433485A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606061.2
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种易剥离金刚石薄膜及其制备方法，包括如下步骤：选取表面光滑的硅片作为衬底；用等离子体活化硅片表面；在活化后的硅片表面涂布纳米金刚石种晶；将涂布种晶的硅片转入MPCVD设备金刚石生长设备中，在生长金刚石膜的初期阶段，硅片表面温度低于750℃，在工艺气体中除了含氢、碳的气体外，还通入适量的含氮气体，然后调节腔压、微波功率以及气体配方，继续升温至适宜金刚石生长的温度区间，当金刚石薄膜生长到预定厚度以后，降温取出。本发明方法生长的金刚石薄膜既保持金刚石薄膜完整无裂纹，又保证了通过物理方法将金刚石薄膜从硅片上完整剥离下来，且金刚石薄膜的剥离面光滑度高，方便下一步的工业应用。
-
公开(公告)号：CN119256065A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380042648.2
申请日：2023-05-23
Applicant: 港大科桥有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石微粒的物理不可克隆功能材料及其制备方法和应用，其包括：单晶硅衬底和在其上原位生长的具有硅空位色心的金刚石微粒。硅衬底上金刚石微粒的制备是随机过程，这是制造物理不可克隆功能标签的关键要求。本发明利用金刚石微粒的散射光谱及其形貌特征和空间位置关系作为金刚石物理不可克隆功能材料的指纹信息。由于金刚石材料的极耐热、机械、化学和光稳定性，本发明的高鲁棒性标签可以满足各种环境中许多实际应用的要求，在电子元件、医药包装、车辆、奢侈品等巨大的防伪市场中具有现实的商业价值。
-
公开(公告)号：CN118957751A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310540694.7
申请日：2023-05-15
Applicant: 香港大学 , 北京大学东莞光电研究院 , 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种规模化制造超平多晶金刚石膜的方法，包括：(1)在表面具有金刚石籽晶的生长衬底上进行化学气相沉积生长多晶金刚石膜，其中，所述多晶金刚石膜的暴露表面为生长表面，具有第一粗糙度；与生长衬底接合的表面为掩埋表面；(2)用粘合剂将所述生长表面与转移衬底粘合；(3)将所述生长衬底去除，以使所述多晶金刚石膜的掩埋表面暴露，其中，暴露后的掩埋表面具有第二粗糙度，并且所述第二粗糙度小于第一粗糙度。本发明通过将生长的多晶金刚石膜的掩埋表面翻转过来，开发了一种新颖而简便的方法来制造价格合理、可规模化生长、超平坦且可转移的多晶金刚石膜，在实际应用中具有巨大潜力。
-
公开(公告)号：CN111394792B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010053354.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B28/14 , C30B29/04 , C30B29/64 , C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法，本发明的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带，本发明的样品托采用非对称式底部花纹，利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长；本发明的生长方法，采用上述结构的样品托进行生长，工艺简单，容易生长，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。
-
公开(公告)号：CN112201567B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011023502.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/04 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域，尤指一种用于氮化物材料外延的高导热衬底的制备方法，包括选用基础衬底的材料，并对基础衬底进行预处理；在基础衬底上沉积一层金刚石导热层；对基础衬底背向金刚石导热层的一面进行抛光减薄，最终获得复合层衬底。本发明主要是利用高导热比的金刚石材料与传统氮化物外延衬底结合实现高导热衬底，其中基础衬底起到氮化物成核功能层的作用，金刚石导热层起到导热的作用，能解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题，使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态，提高其可靠性及性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112968005A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110142309.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法，首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔，以形成带孔基片；在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜，最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度、高导热率、高绝缘电阻、低介电常数、高化学稳定性的复合片，在很多场合可以作为多晶金刚石自支持片的替代材料。
-
公开(公告)号：CN111394792A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010053354.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B28/14 , C30B29/04 , C30B29/64 , C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法，本发明的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带，本发明的样品托采用非对称式底部花纹，利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长；本发明的生长方法，采用上述结构的样品托进行生长，工艺简单，容易生长，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。
-
公开(公告)号：CN107611268B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710807661.9
申请日：2017-09-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种柔性太阳能电池及其制备方法，包括正电极和负电极，所述正电极和负电极设在钙钛矿结构的吸光层内，正电极的外表面涂覆有空穴传输层，负电极的外表面涂覆有电子传输层，正电极的空穴传输层和/或负电极的电子传输层外表面设有多孔骨架层，钙钛矿结构的吸光层外包覆有透明的柔性绝缘层，正电极和负电极的端部分别裸露在透明的柔性绝缘层外，正电极和负电极采用垂直交叉形式编织，或者平行交替方式排布。本发明通过将正电极和负电极都包覆在钙钛矿结构的吸光层内，实现双面吸光发电，还可使用纺织机械或打印机械大批量大面积生产，使其又具有编织物的柔性，可以很好地扩展太阳能电池的应用领域。
-
公开(公告)号：CN111074343A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010053405.7
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法，本发明的样品托包括外托和内托，外托设有用于容置内托的凹槽，凹槽设有内螺纹，内托设有与内螺纹相匹配的外螺纹，内托置于凹槽时，可经外螺纹和内螺纹调节内托相对外托的位置，本发明通过拧动外螺纹拧入内螺纹的位置，实现内托相对外托的位置调整，以维持内托上面的温度，从而更好地满足金刚石单晶的生长温度，有效抑制多晶生成；本发明的生长方法，通过采用高度可调节的样品托，有利于防止在MPCVD法生长一定厚度金刚石单晶时，多晶的生成，可通过多次、长时间生长，得到大厚度、高质量及均匀性好的单晶金刚石。
-
公开(公告)号：CN103888047B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201410132421.X
申请日：2014-04-03
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Inventor： 王忠强
IPC: H02S20/32
Abstract: 本发明公开了一种自动跟踪太阳光伏发电装置，包括液压传动装置、太阳跟踪装置和定时控制器，所述定时控制器控制所述液压传动装置输出动力从而控制太阳跟踪装置对太阳光进行跟踪。本发明采用液压传动方式，巧妙地将高减速比与低成本结合起来，与现有的双轴跟踪装置相比，既减少了价格昂贵的减速机，又具有低功耗、低成本、易维护的特点，而且稳定性好，具有抗风能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
58
records
(took 0.034 seconds)
