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公开(公告)号：CN119950942A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411987636.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市恒润光电有限公司
Abstract: 本发明涉及抑郁症辅助治疗领域，特别是涉及一种治疗抑郁症的靶向光源的白光补偿方法及应用。本发明通过调节LED光源的靶向光谱的自然属性特征并应用于调节抑郁症生物节律和季节性情感障碍症状，为治疗抑郁症的药物治疗的辅助手段提供了光谱技术方案。针对这种特殊的靶向光谱及应用，一是在调节抑郁症生物节律的光疗仪器或装置中融入了LED光源技术的光照波长、光照计量、最优作用模式以及靶向光谱的自然属性特征的智能控制调节；二是基于调节抑郁症生物节律的光疗仪器或装置进行了靶向光谱的设定和防蓝光的白光补偿方法，使调节抑郁症生物节律的仪器或装置提供更精确的光配方需求。
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公开(公告)号：CN119601521A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411887985.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L23/373 , H01L21/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种金刚石薄膜的转移方法，包括：在表面光滑的异质衬底上生长金刚石薄膜；利用粘接剂在所述金刚石薄膜的表面粘接临时载体；掀开所述临时载体，以使所述金刚石薄膜跟随所述临时载体脱离所述异质衬底，完成金刚石薄膜的一次转移。本发明采用临时载体与金刚石通过粘接剂粘接，能够精准且完整地将大面积超薄金刚石薄膜从异质衬底上转移出来，从而适用于大面积超薄金刚石薄膜的转移。
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公开(公告)号：CN116387346A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310512094.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件，该外延材料层的结构比较薄，不需要传统外延结构的应力释放层及高耐压调控层，通过直接把传统中外延结构缓冲层的结构去除，相当于把这外延结构的起到电子俘获的材料缺陷直接去除,从而实现低导通动态电阻特性，由于氮化镓沟道层本身漏电低，没有缓冲层漏电通道，所以也实现了高耐压，900V‑1200V，高达到1700伏，相比现有技术获得了较高的性能。
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公开(公告)号：CN114335297A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111682183.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及LED封装技术领域，尤指一种LED透镜的丝印封装方法，包括如下步骤：LED芯片与LED基板完成电气连接；将丝印钢网与LED基板对位，向丝印钢网倒入无机粘合剂，进行丝印封装；取出完成丝印封装的LED基板，将透镜与LED基板进行贴合，获得无机封装LED结构；对无机封装LED结构进行检测后，再进行固化，从而形成LED的气密性封装结构。本发明采用无机气密封装焊接技术形成优化封装结构，提高LED出光效率。
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公开(公告)号：CN111816550A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010630174.1
申请日：2020-07-03
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。工艺步骤简单，可操作性强，无需激光处理，不受功能材料的尺寸限制，利于在工业中应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409647A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611111212.2
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01J63/06
CPC classification number: H01J63/06
Abstract: 本发明公开了一种紫外阴极射线光源，包括依次顺序设置的电子发射装置、电子倍增器、电场、磁场、高反膜、发光芯片、紫外光增透膜及出光窗口，发光芯片受电子激发发光，电子发射装置发出的电子依次经过电子倍增器、电场、磁场、高反膜后进入发光芯片激发该发光芯片发光，光线从出光窗口射出，电子发射装置为场发射装置或热发射装置。本发明实现阴极射线紫外光源在功率及光束尺寸要求等方面均可调的目的。
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公开(公告)号：CN119433485A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606061.2
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种易剥离金刚石薄膜及其制备方法，包括如下步骤：选取表面光滑的硅片作为衬底；用等离子体活化硅片表面；在活化后的硅片表面涂布纳米金刚石种晶；将涂布种晶的硅片转入MPCVD设备金刚石生长设备中，在生长金刚石膜的初期阶段，硅片表面温度低于750℃，在工艺气体中除了含氢、碳的气体外，还通入适量的含氮气体，然后调节腔压、微波功率以及气体配方，继续升温至适宜金刚石生长的温度区间，当金刚石薄膜生长到预定厚度以后，降温取出。本发明方法生长的金刚石薄膜既保持金刚石薄膜完整无裂纹，又保证了通过物理方法将金刚石薄膜从硅片上完整剥离下来，且金刚石薄膜的剥离面光滑度高，方便下一步的工业应用。
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公开(公告)号：CN119061461A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411314662.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种自动调节氮化镓晶体生长的坩埚装置、生长设备以及生长方法，其中，本发明中的坩埚装置包括第一坩埚、活塞以及驱动件；第一坩埚为中空结构，活塞滑动设置于中空结构内且活塞的外周边缘与第一坩埚的内侧壁密封配合，活塞与中空结构构成用于容置高温熔体的容置腔，驱动件与活塞连接并驱动活塞在中空结构内上下滑动以调节容置腔的容量；第一坩埚的内侧壁与第一坩埚的外侧壁之间还设置有溢流槽，溢流槽的顶部槽口与容置腔的顶部开口相连通。上述设计中，通过调节高温熔体的高度，能够将高温熔体表层的杂质流出高温熔体，从而有效增加氮气与高温熔体的接触面积以使氮气更快地在熔体表面解离成N离子，进而促进GaN单晶的生长。
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公开(公告)号：CN119041003A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411269545.2
申请日：2024-09-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶的搅拌装置、生长设备以及生长方法，其中搅拌装置包括固定架、转轴、旋转传动组件以及装载有熔体的反应釜；转轴连接有驱动件，驱动件用于驱动转轴绕其自身轴线旋转，转轴的外侧连接有至少一个第一传动轴，反应釜转动连接于第一传动轴上，并且反应釜上开设有用于供氮气输入的进气通道，固定架围绕转轴设置，并且反应釜通过旋转传动组件与固定架连接；驱动件驱动转轴旋转时，反应釜绕转轴的轴线进行公转，并且，反应釜通过旋转传动组件绕其自身轴线进行自转。通过上述设计，能够有效解决现有生长GaN单晶的搅拌装置的搅拌效果较差，导致N离子的解离速度较低，无法有效使N离子均匀分布于熔体中的技术问题。
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公开(公告)号：CN117328144A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311149602.9
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
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