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公开(公告)号：CN118516770A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410706054.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生长的旋转摇摆式装置，涉及于半导体设备技术领域。用于单晶生长的旋转摇摆式装置包括旋转组件、反应釜和第一推杆；旋转组件包括有旋转驱动件和凹型盘；方形凹槽的底壁面为向下凹入的第一曲面；反应釜的底部端面为向下凸出的第二曲面；第一曲面部分与第二曲面部分相抵接，反应釜可摆动地设置于方形凹槽；反应釜的横截面为椭圆形，椭圆形的长轴的长度为a；第一推杆靠近反应釜的一端与反应釜的中心轴线之间间隔的距离为n，n
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公开(公告)号：CN115928204A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211727679.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供了一种用于气相外延生长的防返流气体输运装置及方法，该装置呈喷头结构，至少包括多路管道进气口、多路气体输运管道、多路管道出气口、喷口多路管道出气口、一内置反应室、及多处变径防返流板。通过在多路管道出气口处设置防返流板，形成类漏斗式结构，避免因多路管道出气口横截面积小、流速大、压强小而导致出气管口受周围气体影响形成湍流乃至导致流体返流。本发明通过调控喷口多路管道出气口压强差的方法，避免喷口因单一管道出气口流速过大而出现虹吸返流现象。调控气流层流输运，可以有效减少预反应产生的颗粒，进而提高晶体质量。本发明结构简单，易于制造且实用性较强，具有极高的商业价值。
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公开(公告)号：CN119601521A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411887985.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L23/373 , H01L21/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种金刚石薄膜的转移方法，包括：在表面光滑的异质衬底上生长金刚石薄膜；利用粘接剂在所述金刚石薄膜的表面粘接临时载体；掀开所述临时载体，以使所述金刚石薄膜跟随所述临时载体脱离所述异质衬底，完成金刚石薄膜的一次转移。本发明采用临时载体与金刚石通过粘接剂粘接，能够精准且完整地将大面积超薄金刚石薄膜从异质衬底上转移出来，从而适用于大面积超薄金刚石薄膜的转移。
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公开(公告)号：CN118516738A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702870.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种Ga源自动化补充装置及控制方法，其中Ga源自动化补充装置中的第一导线的第一端与控制器电连接，第一导线的第二端始终浸没在高温熔体中；进液管的第一端与加液装置连通，进液管的第二端浸没在高温熔体内，并且，当高温熔体的液面下降时，进液管的第二端与高温熔体相分离；第二导线的第一端与进液管电连接或进入于进液管内与其内部的Ga液电连接，第二导线的第二端与控制器电连接；第一导线、第二导线、高温熔体、进液管或Ga液以及控制器构成闭合电路，控制器通过闭合电路的电流控制驱动件，驱动件与加液装置连接。上述设计中，利用闭合电路的原理解决GaN晶体生长过程中液相液面下降的问题，确保了GaN晶体质量稳定。
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公开(公告)号：CN116377559A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310253879.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法，该装置包括用于氮气离子化的解离室和用于氮化镓单晶生长的生长室，解离室的下端连通第一管线，第一管线通过第一驱动器通往生长室的上部，生长室的下端连通第二管线，第二管线通过第二驱动器通往解离室的上部；生长室内设有支撑杆，支撑杆的上端套有涡轮，涡轮上安装有叶片，涡轮的上端设有圆台，圆台上设有凹槽，凹槽用于放置籽晶。本发明既实现氮离子浓度分布均匀，又能让氮化镓单晶衬底自动旋转，实现氮离子溶解与消耗的分离，让整个熔体系统实现循环流动，而循环流体又可以自动带动单晶衬底旋转，解决籽晶表面生长速率不均匀，氮化镓生长质量较低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119433486A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606062.7
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种金刚石薄膜及其制备方法和可重复利用的衬底材料，金刚石薄膜的制备方法包括：选取表面光滑的异质衬底，对异质衬底进行预处理；在异质衬底上生长所需厚度的金刚石薄膜，在金刚石薄膜的形核成膜阶段，工艺气体中通入适量的氮气；通过物理方法将金刚石薄膜从异质衬底上剥离，得到金刚石薄膜和衬底材料；将衬底材料进行表面处理，形成表面光滑的异质衬底，重复使用。本发明金刚石薄膜的制备方法既可以保持金刚石薄膜完整无裂纹，又可以通过简单的物理方法将金刚石薄膜从衬底材料上剥离，获得完整的金刚石薄膜和衬底材料，衬底材料经过简单的清洁、抛光等处理方法后即可重复使用，节约了金刚石薄膜制造过程中的材料成本。
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公开(公告)号：CN117883902A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410105550.3
申请日：2024-01-24
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B01D46/24 , B01D46/681 , B01D46/58
Abstract: 本发明公开一种气动自清洁过滤罐，包括外罐体、套设于所述外罐体的内罐体、安装于所述外罐体和内罐体之间的气动刮板装置及与所述气动刮板装置联动的匀流孔刮板装置、及设置于所述内罐体的过滤组件；所述外罐体上设有正向气动喷口和反向气动喷口，所述正向气动喷口和反向气动喷口通过喷气驱动气动刮板装置进行上下往复运动。本发明通过设置气体驱动方式驱动自清洁构件对过滤罐内部进行清洁，减少了外部构件安装；内置的清洁机构保证了过滤罐本身真空度不被破坏；驱动气体对尾气进行了扰动与降温，使尾气更好的进行冷却沉淀与均匀分散，提高整体滤芯的使用效率。
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公开(公告)号：CN116121845A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211704586.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种气体驱动的可自动升降搅拌装置，该装置包括壳体、升降杆、转轴、涡轮、活塞。其中，壳体的最上部是压力腔，压缩气体可通过气路进入压力腔控制升降杆的升降，涡轮安装固定在转轴上，涡轮上下通过转轴各配置一个活塞，转轴顶部与升降杆下部连接同一活塞。涡轮处设计有进气口与出气口，压缩气体可进入推动涡轮旋转。本发明装置同时设有升降与搅拌的双重功能，且都是压缩气体驱动，既解决了电力驱动搅拌装置容易短路、易腐蚀、难以适应高温高压环境的问题，又可以通过升降装置实现反应溶液的间断性搅拌。引入压缩气体作为驱动动力，不仅降低了升降旋转装置的加工制造成本，而且增加了设备的安全运行性。
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公开(公告)号：CN118668282A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410715034.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种GaN单晶生长装置及其方法，包括：籽晶；加热组件；反应釜，所述加热组件设置于反应釜外侧，反应釜用于容纳反应原料和籽晶；升降机构，升降机构包括固定部、升降部和悬挂部，固定部设置于反应釜的外部，悬挂部设置于反应釜的内部，升降部的一端连接于所述固定部，升降部的另一端穿过反应釜的上端连接于悬挂部，籽晶设置于悬挂部；旋转机构，反应釜固定于旋转机构上。本发明通过反应釜的旋转实现籽晶的提升与下降，实现当N离子浓度较高时，籽晶浸入熔体，当N离子浓度较低时，籽晶与熔体分离，可以间断性控制GaN单晶的生长，保证了籽晶一直处于N离子的高浓度环境中，提高了GaN单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN117739789A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311774741.0
申请日：2023-12-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种嵌套物体同轴度测量调控装置及其方法，包括载物台、设置于载物台上方的中心齿轮、及设置于载物台下方的载物支架；载物台上表面的中心设置有用于安装中心齿轮的轮轴，轮轴周侧的不同水平面分布有互相垂直设置的两组第一悬臂组，两组第一悬臂组均与中心齿轮进行啮合；载物支架包括连接于载物台下方的中心轴、及互相垂直设置于中心轴周侧的两组第二悬臂组，中心轴的中轴线与所述轮轴的中轴线重合。本发明齿轮安装在载物台中心轮轴上，分别控制两组第一悬臂伸缩运动；通过第一悬臂和第二悬臂可准确确定内套物与外套物的中心，从而测量并调控同轴度；操作简便，测量调控精度高。
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