多细胞因子检测试剂的应用、试剂、试剂盒及系统

    公开(公告)号:CN115184595A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210706962.3

    申请日:2022-06-21

    Abstract: 本发明提供了一种多细胞因子检测试剂的应用、多细胞因子检测试剂、试剂盒及细胞因子检测系统,本发明提供的多细胞因子检测试剂,应用于制备创伤程度检测试剂,所述多细胞因子检测试剂用于检测待检测溶液中多种细胞因子的浓度,根据所述多种细胞因子的浓度结合确定对应的创伤程度,所述多种细胞因子包括:IL‑6、IL0、APRIL、Angiopoietin‑2、FGF‑basic、MPO、Adiponectin中的至少三种。本发明利用基于磁珠抗体结合多通道检测小分子的方法同时检测多种细胞因子,并结合多种细胞因子的浓度,对患者的创伤程度进行检测,从而可以显著提高创伤程度检测的准确性、敏感性和特异性。

    细胞因子检测试剂的应用、试剂、试剂盒、系统及方法

    公开(公告)号:CN115112901A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210706965.7

    申请日:2022-06-21

    Abstract: 本发明提供了一种细胞因子检测试剂的应用、细胞因子检测试剂、试剂盒、细胞因子检测系统及细胞因子检测方法,本发明提供的细胞因子检测试剂,应用于制备创伤程度检测试剂,所述细胞因子包括以下至少一种:BAFF、APRIL,所述细胞因子检测试剂用于检测待检测溶液中所述细胞因子的浓度,根据所述细胞因子的浓度确定对应的创伤程度。从而,本发明可以利用BAFF、APRIL这两种细胞因子中的至少一种,即可对患者的创伤程度进行检测,可以准确地确定患者的创伤程度。并且,这两种细胞因子的检测可以合并到常规的血液检测过程中,无需额外的检测工作,从而可以便捷地确定患者创伤程度。

    MODS风险评估模型构建方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN117558452B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202410041125.2

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本申请提供的MODS风险评估模型构建方法装置、设备及介质,即对于严重创伤患者外周血中的细胞因子进行多级别层层筛选,首先筛选出多个具有显著差异的特征细胞因子,并基于该多个特征细胞因子构建了初始MODS风险评估模型;之后通过扩大数据集,对初始MODS风险评估模型进行训练,在大量的数据训练过程中即可在多个特征细胞因子中筛选出了若干个目标细胞因子,并基于该目标细胞因子构建目标MODS风险评估模型。该风险评估模型能够精准快速预测严重创伤早期由炎症因子风暴导致的MODS,有助于提高严重创伤的救治成功率。

    一种基于片上冲击强度检测试验机利用电流变化检测微结构冲击碰撞应力波脉宽和峰值方法

    公开(公告)号:CN106370330A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201510427298.9

    申请日:2015-07-21

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于片上冲击强度检测试验机利用电流变化检测微结构冲击碰撞应力波脉宽和峰值方法。该试验机实现了即时的微结构冲击强度测试,利用热驱执行器实现自加载和卸载,排除人为偶然因素,极大地提高了测试准确度,同时利用热驱执行器和V型放大杠杆可以获得大冲击和大冲击脉宽。同时基于该新型试验机提出的测试方法通过同次光刻同次刻蚀释放保证片上试验机的被测样品和实际工作的功能器件具有一致的冲击强度,排除了工艺误差带来的干扰。该方法针对不同尺寸的测试样品,通过调整试验机中冲击质量块以及柔性长梁尺寸保证试验机能够产生高强度的冲击载荷。该方法在获取冲击断裂加速度时,通过记录实际断裂加载挠度,利用商业ansys软件建立力学模型,随后将容易记录的加载位移代入力学模型来获取难以测量的冲击加速度和产生的应力峰值。

    一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法

    公开(公告)号:CN101383480B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200710121505.3

    申请日:2007-09-07

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法,属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括:在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后,P型和N型电极蒸镀前,将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理;优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器;在钝化层表面甩涂光刻胶,光刻P型电极窗口,并随后坚膜;采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层,然后保留原有光刻胶,烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极;进行剥离,完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响,有效的提高了工艺可靠性及器件性能。

    一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法

    公开(公告)号:CN101383480A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200710121505.3

    申请日:2007-09-07

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法,属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括:在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后,P型和N型电极蒸镀前,将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理;优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器;在钝化层表面甩涂光刻胶,光刻P型电极窗口,并随后坚膜;采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层,然后保留原有光刻胶,烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极;进行剥离,完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响,有效的提高了工艺可靠性及器件性能。

    氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN101257080A

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200810101681.5

    申请日:2008-03-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法,属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于,在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层,该介质层设有若干个窗口或窗口组,所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状,可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器,可简化激光器的制备工艺。同时,这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题,结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外,这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。

    一种小鼠严重创伤/全身炎症反应模型的构建方法及其应用

    公开(公告)号:CN116918760A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310886611.X

    申请日:2023-07-19

    Abstract: 本发明属于生物技术领域,尤其涉及一种小鼠严重创伤/全身炎症反应模型的构建方法及其应用。该小鼠严重创伤/全身炎性反应模型的构建方法,包括以下步骤:用肝素盐水浸泡动脉插管;麻醉小鼠,称重后固定,持续麻醉,小鼠备皮,消毒;于小鼠右侧腹股沟处做切口I;分离、暴露股动脉,结扎股动脉远心端,在靠近近心端处提起血管,做切口II,置入插管,连接测量仪;于小鼠左侧股骨处做切口III,分离、暴露股骨,剪断股骨;依小鼠中线做切口IV,剪开小鼠腹部皮肤、腹膜,暴露腹部脏器,缝合;放出30%血量;缝和,麻醉至造模完成后停止。本发明通过股动脉放血、股骨骨折、腹部脏器暴露造成严重损伤,用于探索严重创伤后疾病发展的病理生理变化。

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