-
公开(公告)号：CN105256372B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510838898.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设在反应釜内的内部线圈和设在反应釜外的外部线圈，该外部线圈与电源连接，反应釜内设有支撑杆，内部线圈活动套装在该支撑杆上，内部线圈的一端与晶种模板连接，外部线圈接通电源后带动内部线圈作受迫运动，使该内部线圈在支撑杆上移动。本发明通过感应线圈机构来控制晶种模版的实时生长位置，保证晶种模版一直处在最佳的生长溶液环境，由此促进GaN单晶生长。
-
公开(公告)号：CN106498499A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610966496.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/14 , C30B30/02
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
-
公开(公告)号：CN106367804A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610963655.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/08 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜，包括釜体，釜体内设有晶体生长室，釜体外设有加热装置，釜体内填充有液体镓源，所述釜体内还设有压强调节室，晶体生长室底面设有隔板，该隔板上设有连接孔，该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通，压强调节室上设有增压阀和减压阀，隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口，连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异，可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
-
公开(公告)号：CN106757359B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201611110488.9
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法，包括釜体和设在釜体内的加热器，所述釜体内至少设置一个晶体生长用坩埚和一个反应物溶液调整坩埚，该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚通过充满反应物溶液的连通管路连接，釜体上设有升降移动控制机构，该升降移动控制机构分别与晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚连接，带动该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚上升或下降。本发明实现反应物液体在两个坩埚间循环流动，该流动会进一步促进反应物液面的波动，增强反应物液体与氮气的进一步混合，提高材料生长速率和质量。
-
公开(公告)号：CN108799851A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810442994.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21K9/20 , F21V19/00 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21K9/64 , F21K9/60 , F21K9/61 , F21Y115/10 , F21Y113/13
CPC classification number: F21K9/20 , F21K9/60 , F21K9/61 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21V19/001 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明公开了一种发光装置和光源成像系统，包装光源，所述光源包括发光元件阵列和具有入光口的复合抛物面集光器；发光元件阵列设在复合抛物面集光器的入光口处，使得复合抛物面集光器对来自发光元件阵列的光束进行收集，发光元件阵列中各发光元件的发光面积之和大于或者等于复合抛物面集光器的入光口的面积的50%。本发明能够出射较高亮度的光束，提高出光效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105420814A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510838168.4
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/12
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长反应釜，包括釜体，所述釜体的侧壁为平面结构，釜体内设有腔体，该腔体的侧壁为平面结构，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成有晶体生长区，该晶体生长区放置晶种模板，釜体侧壁外表面设有加热器，腔体内设有加热器，釜体内设有至少一个腔体，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成至少两个晶体生长区。本发明有效克服了传统反应釜曲面壁造成的反应釜内温场不均匀的问题，特别是有效提高了晶种模板表面温场的均匀度，提高晶体质量。
-
公开(公告)号：CN106498499B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610966496.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
-
公开(公告)号：CN109262797A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811095977.0
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种集成封装发光器件的3D打印方法，包括步骤：设计模型，转换成可识别的文件格式，在铜基底上打印具有散热通道的陶瓷基板，以及打印出凹槽和线槽，然后在凹槽内打印电子元器件，线槽中打印石墨烯线路，再打印一层陶瓷薄料层，将电子元器件和石墨烯线路覆盖，根据分层切片信息，直到散热通道、电子元器件和线路打印完毕；接着打印晶片焊盘、电源外接焊盘及相关表层线路；打印碗杯，碗杯内壁喷涂反光层材料，在晶片焊接处打印一层焊料，固上晶片加热固定；然后再次打印键合丝、荧光粉胶，后续装上透镜完成封装。本发明不仅极大简化了传统工艺、缩短了生产周期、降低了制造成本，而且在产品尺寸微型化、复杂化提供了更多的选择。
-
公开(公告)号：CN106367804B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610963655.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜，包括釜体，釜体内设有晶体生长室，釜体外设有加热装置，釜体内填充有液体镓源，所述釜体内还设有压强调节室，晶体生长室底面设有隔板，该隔板上设有连接孔，该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通，压强调节室上设有增压阀和减压阀，隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口，连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异，可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
-
公开(公告)号：CN105420814B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510838168.4
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长反应釜，包括釜体，所述釜体的侧壁为平面结构，釜体内设有腔体，该腔体的侧壁为平面结构，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成有晶体生长区，该晶体生长区放置晶种模板，釜体侧壁外表面设有加热器，腔体内设有加热器，釜体内设有至少一个腔体，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成至少两个晶体生长区。本发明有效克服了传统反应釜曲面壁造成的反应釜内温场不均匀的问题，特别是有效提高了晶种模板表面温场的均匀度，提高晶体质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.029 seconds)
