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公开(公告)号:CN106367804A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201610963655.8
申请日:2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/08 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜,包括釜体,釜体内设有晶体生长室,釜体外设有加热装置,釜体内填充有液体镓源,所述釜体内还设有压强调节室,晶体生长室底面设有隔板,该隔板上设有连接孔,该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通,压强调节室上设有增压阀和减压阀,隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口,连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异,可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
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公开(公告)号:CN106367804B
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201610963655.8
申请日:2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜,包括釜体,釜体内设有晶体生长室,釜体外设有加热装置,釜体内填充有液体镓源,所述釜体内还设有压强调节室,晶体生长室底面设有隔板,该隔板上设有连接孔,该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通,压强调节室上设有增压阀和减压阀,隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口,连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异,可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
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