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公开(公告)号:CN106498499A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201610966496.7
申请日:2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/14 , C30B30/02
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法,包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚,坩埚内填充有反应物溶液,坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板,反应釜上设有氮气进口和排气口,还包括电装置,该电装置包括电压源、上电极和下电极,上电极和下电极分别通过导线与电压源连接,上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方,下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
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公开(公告)号:CN106498499B
公开(公告)日:2019-02-19
申请号:CN201610966496.7
申请日:2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法,包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚,坩埚内填充有反应物溶液,坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板,反应釜上设有氮气进口和排气口,还包括电装置,该电装置包括电压源、上电极和下电极,上电极和下电极分别通过导线与电压源连接,上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方,下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
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