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公开(公告)号：CN106282914A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510251571.7
申请日：2015-05-15
IPC分类号： C23C14/00
摘要： 本发明提供一种加热腔室以及半导体加工设备，包括：设置在加热腔室内的加热筒体以及可拆卸地安装在加热筒体中的上盖环形光源组件；该上盖环形光源组件包括：环绕设置在加热筒体内侧的筒状热源，用于自加热筒体的周围向内部辐射热量；电引入总成，用于将电流传导至筒状热源；支撑总成，包括：环形支撑组件，筒状热源安装在该环形支撑组件上；上盖组件，可拆卸地设置在环形支撑组件的顶部，电引入总成安装在上盖组件上，且通过环形支撑组件与筒状热源间接电连接。本发明提供的加热腔室，其可以简化筒状热源的拆装过程，从而可以更方便地对加热腔室进行维护。
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公开(公告)号：CN103572244B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210250738.4
申请日：2012-07-19
摘要： 本发明提供一种薄膜沉积装置及薄膜沉积方法，薄膜沉积装置包括反应腔室、靶材、晶圆支撑装置、能量控制器以及与所述靶材电连接的功率源，所述功率源设置在所述反应腔室外，所述靶材设置在所述反应腔室内的顶部，所述晶圆支撑装置设置在所述反应腔室内的底部并与所述靶材相对，所述能量控制器设置在所述靶材和所述晶圆支撑装置之间并接地，而且在所述能量控制器上设有贯穿其厚度的多个通孔，所述通孔的内径小于分子碰撞的平均自由程。该薄膜沉积装置可以减少晶圆表面的损伤。
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公开(公告)号：CN105603370A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410593283.5
申请日：2014-10-29
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种半导体加工设备，包括反应腔室和设于所述反应腔室外侧的电磁装置，所述电磁装置包括电源和多个独立的电磁线圈，所述多个电磁线圈沿反应腔室的圆周方向间隔排列，所述电源为所述电磁线圈提供电能。该半导体加工设备不仅可实时调节不同半径处的磁场强度，而且可以实时调节相同半径、不同圆周位置处的磁场强度。
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公开(公告)号：CN105331936A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410272974.5
申请日：2014-06-18
CPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种ITO薄膜的沉积方法，采用磁控溅射工艺进行ITO薄膜的沉积，包括以下步骤：利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；利用DC溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。其通过射频和直流共溅射，有效降低了溅射粒子对基片表面轰击造成的损伤。此外，本发明还提供了一种GaN基LED芯片，该芯片的ITO透明电极采用本发明的ITO薄膜的沉积方法制备而成。在进行ITO透明电极的沉积时，由于采用本发明的ITO薄膜的沉积方法，有效降低了溅射粒子对GaN基片表面轰击造成的损伤，从而降低了ITO透明电极与GaN基片之间的接触电阻，进而降低了LED芯片的能耗，增加了LED芯片的光电转化效率，提高了LED芯片的寿命。
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公开(公告)号：CN104810228A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032274.9
申请日：2014-01-23
CPC分类号： H01J37/3405 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01J25/58 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J23/09 , H01J25/50 , H01J37/34
摘要： 本发明涉及一种螺旋形磁控管及磁控溅射设备，螺旋形磁控管包括极性相反的分别由多条螺旋线组成的内磁极和外磁极；内磁极螺旋线的螺旋中心围绕在内磁极内部；外磁极的螺旋中心与内磁极的螺旋中心相同，外磁极螺旋线与内磁极螺旋线从螺旋中心向外周螺旋离散；外磁极逐层包围内磁极；离螺旋中心最远的内磁极螺旋线与相邻的内磁极螺旋线在末端合并，合并末端沿离所述螺旋中心最远的内磁极螺旋线的轨迹延伸；离螺旋中心最远的外磁极螺旋线包围所述合并末端，离螺旋中心最远的外磁极螺旋线的末端与相邻外磁极螺旋线之间圆弧连接；相邻内磁极螺旋线圆滑封闭连接，相邻外磁极螺旋线圆滑封闭连接；内磁极、外磁极螺旋线依方程分布，实现溅射沉积均匀。
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公开(公告)号：CN104746026A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310738693.X
申请日：2013-12-29
摘要： 本发明涉及一种薄膜沉积设备，其包括反应腔室、激励电源和可变电容；反应腔室包括承载装置和靶材；靶材设置于反应腔室的顶部，且与激励电源电连接；承载装置设于反应腔室内，且位于与靶材相对应的位置处，用于承载基片；可变电容的一端与承载装置连接，另一端接地。上述薄膜沉积设备可以通过改变可变电容的电容值来控制沉积至基片上的薄膜的沉积速率；并且，在其控制的不同薄膜沉积速率下，沉积至基片上的薄膜的性能保持基本不变。
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公开(公告)号：CN102534473B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201010591783.7
申请日：2010-12-08
IPC分类号： C23C14/02
摘要： 本发明提供一种加热装置，用于在基片处理设备中对基片进行加热，该加热装置包括多个加热灯及用于安装多个加热灯的安装板，以及与上述安装板相连接的旋转机构，该旋转机构用于驱动安装板进行旋转运动，从而实现对基片的快速、均匀加热。此外，本发明还提供一种应用上述加热装置的基片处理设备。
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公开(公告)号：CN103839875A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210480416.9
申请日：2012-11-23
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67109
摘要： 本发明公开一种衬底处理系统，包括去气腔、输气单元和气体处理装置，其中去气腔包括承载半导体衬底且位于腔内的支撑件；输气单元包括用于接收气体的输入口以及与所述去气腔封闭相连的一个或多个输出口；气体处理装置包括加热单元，所述气体处理装置与所述输气单元的输出口连接并位于所述支撑件上方；气体处理装置对接收到的气体进行加热，并将加热后的气体引入所述去气腔，通过气体作为传热介质对所述去气腔内的半导体衬底加热。本发明能够有效改善半导体衬底表面热辐射系数对加热温度的影响，实现不同类型半导体衬底的加热兼容性。
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公开(公告)号：CN103515177A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210207761.5
申请日：2012-06-20
摘要： 本发明提供一种反应腔室、基片加工设备及温度控制方法，其包括腔室本体、设置于所述腔室本体内的加热单元和支撑单元，所述加热单元用于加热被加工工件，所述支撑单元用于承载被加工工件，其中，所述支撑单元包括铠装热电偶，所述铠装热电偶与所述被加工工件直接接触，用以直接检测被加工工件的温度。上述反应腔室可以直接检测被加工工件的温度，从而可以准确地获得被加工工件的温度。
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公开(公告)号：CN103177918A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110448612.3
申请日：2011-12-26
摘要： 本发明提供一种磁控管及等离子体加工设备，所述磁控管包括极性相反的内磁极和外磁极，所述内磁极与所述外磁极相互不接触地嵌套在一起，所述内磁极和外磁极在其径向截面上的形状均为螺旋线。该磁控管可以提高靶材的利用率，不仅可以降低等离子体加工设备生产成本，而且可以提高等离子体加工设备的生产效率。
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