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公开(公告)号：CN106856184A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510904189.1
申请日：2015-12-08
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/68785
摘要： 本发明提供的加热基座以及半导体加工设备，包括用于加热被加工工件的加热装置，该加热装置包括基座、加热丝、冷却盘、连接筒和固定座，其中，基座用于承载被加工工件；加热丝设置在基座中；冷却盘叠置在基座的底部，用以冷却基座；固定座设置在冷却盘的下方；连接筒竖直设置，且分别与冷却盘和固定座固定连接，该连接筒包括呈回旋曲线状的筒壁，以延长连接筒的热量传导路径。本发明提供的加热基座，其可以提高加热装置的加热均匀性，从而在无需加热灯泡辅助的前提下，使被加工工件的温度均匀性达到工艺要求。
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公开(公告)号：CN105629417A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410583803.4
申请日：2014-10-27
发明人： 李冰
摘要： 本发明提供一种反应腔室的观察窗组件及应用其的反应腔室，在该反应腔室的腔室壁上设置有观察孔，观察窗组件包括透明玻璃和凹透镜，其中，透明玻璃设置在腔室壁上，且位于与观察孔相对的位置处；凹透镜设置在腔室壁上，且位于与观察孔相对的位置处。本发明提供的反应腔室的观察窗组件，其可以在相同的观察窗面积的条件下，扩大观察窗的视野，从而可以观察到腔室内所需观察的区域。
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公开(公告)号：CN105603370A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410593283.5
申请日：2014-10-29
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种半导体加工设备，包括反应腔室和设于所述反应腔室外侧的电磁装置，所述电磁装置包括电源和多个独立的电磁线圈，所述多个电磁线圈沿反应腔室的圆周方向间隔排列，所述电源为所述电磁线圈提供电能。该半导体加工设备不仅可实时调节不同半径处的磁场强度，而且可以实时调节相同半径、不同圆周位置处的磁场强度。
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公开(公告)号：CN105779952A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410826533.5
申请日：2014-12-24
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种磁控管组件及磁控溅射设备，包括中心永磁铁和环绕在该中心永磁铁周围的环形永磁铁，中心永磁铁和环形永磁铁的极性相反；其中，环形永磁铁采用一体式结构。本发明提供的磁控管组件，其不仅安装方便、安全，而且还可以提高外圈磁场的分布均匀性，以及在相同尺寸的外圈磁铁的条件下具有更高的磁场强度，从而在保证磁场强度不减小的情况下，可以获得更高的功率密度。
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公开(公告)号：CN105088173A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410156195.9
申请日：2014-04-17
IPC分类号： C23C14/56
摘要： 本发明提供了一种半导体设备，包括反应腔室和波纹管装置，波纹管装置包括波纹管、波纹管轴和波纹管固定件，波纹管固定件实现将波纹管装置固定在反应腔室底部，波纹管和波纹管固定件套置在波纹管轴的外侧壁，且波纹管的两端分别与波纹管轴和波纹管固定件固定连接，借助波纹管沿波纹管轴的轴向伸缩，实现位于波纹管轴上的基片在反应腔室内上下移动，在波纹管轴的外侧壁上设置有限位件，限位件的外径不小于波纹管固定件的内径，限位件在波纹管轴的轴向上的位置设置为：在波纹管拉伸至最大允许长度的条件下，限位件与波纹管固定件相接触的位置处。该半导体设备可提高波纹管使用寿命、精度、稳定性和可靠性，拆卸更加容易、方便，降低设备维护时间。
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公开(公告)号：CN105331947A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410241015.7
申请日：2014-05-30
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明公开了一种用于真空镀膜设备中的顶针升降机构，涉及真空镀膜技术领域，为解决将顶针升降机构装配到真空镀膜设备上的装配效率低的问题。所述顶针升降机构包括：与真空腔室内的支撑台上的三个预留孔一一对应的三个顶针组件，每个顶针组件包括：固定安装在预留孔中的直线轴承，穿插在预留孔中和直线轴承的轴承孔中的顶针，顶针的上端设有可通过预留孔、且能防止顶针从轴承孔中脱落的限位帽；位于支撑台的下方用于承托三个顶针的托板；以及位于真空腔室外并与托板相连用于驱动托板升降的驱动单元。本发明提供的顶针升降机构用于真空镀膜时取放基片。
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