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公开(公告)号：CN115224150A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210717030.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 本公开公开了一种硅光电倍增管及其制备方法，涉及光电传感器技术领域，尤其涉及单光子探测器技术领域。其中，该硅光电倍增管，包括。背电极、第一类型外延硅衬底、减反射层和电极，第一类型外延硅衬底包括第一类型硅衬底层、第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区，其中，第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区形成至少一个立体PN结；在第二类型重掺杂区的上表面设置倒金字塔结构；减反射层设置于第一类型外延硅衬底的上表面；电极设置于减反射层不覆盖第一类型外延硅衬底的上表面的区域；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。本公开可以在降低硅光电倍增管的工作电压的同时提高硅光电倍增管的光子探测效率。
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公开(公告)号：CN113782640A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111065535.3
申请日：2021-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L27/144 , C01B32/186 , G01J5/20
Abstract: 本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。
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公开(公告)号：CN112864164A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011643161.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供一种三端人工光学突触，包括：栅极(2)；依次叠设于所述栅极表面的离子存储层(3)；离子导体层(4)和半导体沟道层(5)；源极(6)和漏极(7)，分别位于所述半导体沟道层(5)的表面两端；其中，所述半导体沟道层(5)采用与所述离子存储层(3)的互补的半导体材料。本发明还提供一种该三端人工光学突触的制备方法。本发明通过对半导体沟道层施加不同的光学和电学脉冲调节该层内部的活跃性离子的浓度，从而实现人工光学突触的兴奋和抑制。本发明的三端人工光学突触器件采用互补型半导体的电容效应提高了稳定性和重复率，降低了人工光学突触的能耗，对沟道导电性的增强和抑制的可控性增强。
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公开(公告)号：CN108321119B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201810062157.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/8238 , H01L27/085 , H01L27/12
Abstract: 一种三维光电集成滤波器及其制备方法，包括：自下而上依次沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，通孔上方设置有互连电极；其中，第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层滤波器；第二光电器件层用于制备与第一光电器件层进行光互连的上层滤波器。本发明既可以解决单个平面内光电子集成光互连的损耗和串扰，实现多个平面内多维光电子集成，提高光电子集成的密度和光互连系统的复杂度；又可以解决微环滤波器对环境温度的依赖，通过底层温控电路对顶层滤波器的自动热调谐，实现宽工作温度范围的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111142186A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911424036.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种波导结构的神经突触，包括：脊形波导层(1)、狭缝结构(2)、相变材料(3)以及平板波导层(4)；狭缝结构(2)设置于脊形波导层(1)之间，且与脊形波导层(1)接触，狭缝结构(2)与脊形波导层(1)之间形成凹槽结构(5)；相变材料(3)填充凹槽结构(5)，相变材料(3)还设置于脊形波导层(1)以及填充后的凹槽结构(5)的表面；脊形波导层(1)以及狭缝结构(2)设置于平板波导层(4)的上方，脊形波导层(1)、狭缝结构(2)以及平板波导层(4)形成的结构能够实现波导的单模传输。本发明提供的波导结构的神经突触至少用于解决神经突触中权重动态范围低以及动态功耗高的问题。
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公开(公告)号：CN110068894A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810062158.X
申请日：2018-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种三维光电集成光栅耦合器及其制备方法，所述三维光电集成光栅耦合器包括自下而上沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，所述通孔上方设置有互连电极；其中，第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层光栅耦合器；第二光电器件层用于制备与所述第一光电器件层进行光互连的上层光栅耦合器。本发明可实现光栅耦合器与CMOS集成电路单片集成，并实现三维光互连，降低层间光互连的传输损耗，最大化层间耦合效率。本发明与CMOS工艺兼容，易于制备，可用于三维光电集成，实现高密度光电子器件与微电子电路集成。
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公开(公告)号：CN104037068B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410324605.6
申请日：2014-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种全新的芯片表面污物清洁处理的方法，包括步骤：将待清理芯片在烘箱中烘烤第一预定时间；将待清理芯片在室温下冷却后置于热板上；在冷却后的待清理芯片上放置一限位框，所述限位框具有一中空部分，用于在所述待清理芯片表面限定待清理部位；在限位框中滴入液态胶，使其充满限位框的中空部分；打开热板电源，使温度升高至第一预定温度并保持第二预定时间；将带限位框的芯片由热板放到去离子水中；剥离限位框和芯片；将芯片先后在丙酮、乙醇中浸泡，然后在去离子水反复冲洗后用氮气吹干。本发明能够实现某些功能芯片重复利用以及对芯片特定区域进行清洁处理提供有效解决办法。
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公开(公告)号：CN104090447A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410331789.9
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种无源光限幅器，包括：一基底，该基底上面开有一凹槽；一输入光路，其制作在基底上面的一侧，一端探入到凹槽上；一输出光路，其制作在基底上面的另一侧，一端探入到凹槽上，该输入光路和输出光路之间有一狭缝，形成镜面微腔；一光输入端，其与输入光路连接；一光输出端，其与输出光路连接。本发明提供的无源光限幅器，具有结构简单，成本低，反应速度快，性能稳定的优点。
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公开(公告)号：CN104037068A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410324605.6
申请日：2014-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/02068
Abstract: 本发明公开了一种全新的芯片表面污物清洁处理的方法，包括步骤：将待清理芯片在烘箱中烘烤第一预定时间；将待清理芯片在室温下冷却后置于热板上；在冷却后的待清理芯片上放置一限位框，所述限位框具有一中空部分，用于在所述待清理芯片表面限定待清理部位；在限位框中滴入液态胶，使其充满限位框的中空部分；打开热板电源，使温度升高至第一预定温度并保持第二预定时间；将带限位框的芯片由热板放到去离子水中；剥离限位框和芯片；将芯片先后在丙酮、乙醇中浸泡，然后在去离子水反复冲洗后用氮气吹干。本发明能够实现某些功能芯片重复利用以及对芯片特定区域进行清洁处理提供有效解决办法。
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