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公开(公告)号：CN100396656C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610030474.6
申请日：2006-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种五蝶烯对苯二醌化合物的合成方法，其特征在于一步法制备是将对苯二醌或对苯多醌、蒽、四氯苯醌化合物，溶于溶剂中，加热至回流反应，趁热过滤，用乙醚洗涤滤饼，真空干燥；所述的对苯二醌或对苯多醌、蒽、四氯苯醌三种化合物的摩尔比为依次为1mmol∶1.2～5mmol∶1.2～10mmol；对苯二醌或对苯多醌化合物与溶剂的用量比为1mmol∶3～200mL；所述的回流反应温度为117-118℃，时间为6-24小时。本发明提供的一步合成方法，产率最高可达88.5%，这高于文献报道值，且环境友好型，适合于规模合成和工业化生产。
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公开(公告)号：CN100373259C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200310122870.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备最小尺寸可达纳米量级图形的印刻方法，属于微电子领域。其特征在于先制备出“印”，“印”上刻有所需的凸起或凹进的图形。接着利用得到的印压在较为柔软的材料上，印上突起的部分就在该材料上印刻出了所需的图形。如印凹进则相反。目前微电子工业中制备纳米图形主要采用Spacer技术。Spacer技术的工艺比较复杂，需要经过很多流程而且不易控制；而电子束曝光成本较高，不适合于大批量生产。而本发明提出的印刻方法成本低廉，只要制备出一个印，就能印刻出相同条件的很多样品，有很高的可重复性。
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公开(公告)号：CN101108721A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710042104.9
申请日：2007-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种磁性微结构的制作方法，其特征在于包括多层模具的制作和磁性微结构制作两部分。前者包括用标准RCA清洗工艺清洗硅片，在硅片表面甩涂多层SU－8光刻胶，前烘，光刻，后烘显影得到多层SU－8模具；然后本发明通过在多层模具中直接填充磁性粉末，在PDMS芯片铸模成型的同时，在芯片内部形成磁性微柱结构。利用所提供的制作方法，可以省却电镀工艺，在微流体芯片内快速地制作磁性微结构。制作微结构高度在几微米至几百微米之间，由甩涂SU－8光刻胶层数决定，且所述的磁性微结构为微柱、微线条、微环或微线圈中任一种。
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公开(公告)号：CN100356607C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510030637.6
申请日：2005-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层SiO2，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成较高的纳米点。接着沉积一层SiO2，用CMP进行抛光使其平整，沉积顶电极。整个存储器的结构见图8。施加脉冲信号，并测量其I-V特性，电阻率有较大的变化。本发明通过生长硫系化合物纳米点，为制备相变存储器提供了一种新的方法。
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公开(公告)号：CN100356606C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200310109372.X
申请日：2003-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备10-400nm的过渡层和50-400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10-500um的掩膜连续溅射约为10-1000nm的合金层以及20-400nm的上电极，得到了众多柱体。然后针对合金层进行腐蚀，由于该腐蚀液对上下电极和合金腐蚀速度的不同，上下电极将基本不被腐蚀；腐蚀后合金层呈现出为两头粗中间细的形状。这种中间细的结构有利于相变合金材料的相变，正是相变存储器研发设计中所要求的。最后，在上述样品上沉积填充物，在柱体中段凹进去的地方形成了间隙，间隙在此起到绝热和抑制合金层相变时膨胀的作用。相变合金层不一定是柱状，可以为其他形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101067621A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710041619.7
申请日：2007-06-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于微加工方法制作的微型固相萃取芯片及使用方法。该芯片包括至少一个盖层和一个管道层，所述管道层通过微加工形成至少一段固相萃取填料填充管道和一段过滤管道，其中固相萃取填料填充管道通过坝型结构或栅栏结构与相邻管道部分分隔，但保持与相邻管道部分气相和液相的连通性，过滤管道部分由光引发聚合物形成的微孔结构构成；同时所述管道层对应固相萃取填料填充管道区域背面加工有微型加热电极和温度感应电极，用于加热控温。本发明可应用于分析化学和生物化学领域的微量样品快速萃取。
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公开(公告)号：CN101064360A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710036527.X
申请日：2007-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法。本发明基于硫系化合物相变材料在脉冲电流或电压等的作用下能够发生结构变化，从而引起其电阻性能产生巨大的变化，多晶状态时处于低阻态，非晶状态时处于高阻态，两种状态下的电阻相差可达五个数量级以上，利用硫化相变材料的这种特性可以制备新型限流器，对电路能够其起到很好的保护作用，最大程度避免电路被超大电流或电压破坏。采用薄膜制备工艺和微纳加工技术制作出限流器，其结构包括横向结构和纵向结构两种。由于相变材料的高、低阻两种状态之间是可逆变化的，这种新型限流器可重复使用，在民用和军事领域等方面具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN100342562C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200310108864.7
申请日：2003-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变随机存储器(PRAM)用的相变薄膜材料纳米线的制备方法，属于微电子领域。本发明特征在于在(100)取向的Si片上，先后用蒸发方法沉积20—100nm的TiO2或Ti和100—300nm的W；接着在衬底冷却的条件下磁控溅射约为50—300nm的相变薄膜材料；最后在气压为0.5—1Pa氮气或氩气保护下对薄膜进行快速热处理。升温速率为10—30℃/s，保温时间为300—1500s，退火温度高于相变材料的结晶温度，低于熔化温度。在相同的氮气保护气压下自然冷却到室温。对样品进行SEM观测，可以看到相变薄膜材料纳米线的生成过程。本发明有助于通过组装的方法，制备新的纳米量级的相变薄膜材料存储器单元器件，从而促进相变存储器的开发。
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公开(公告)号：CN100342550C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410067219.X
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管。
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公开(公告)号：CN101046457A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710040418.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制备方法。本发明特征是在(100)取向的硅片上，先后沉积具有λ/4(λ为波长)厚度的Bragg反射层；接着在Bragg反射层上沉积压电薄膜层和金电极层；采用相关电极图形化工艺，在其上制作与标准微波测量相匹配的电极结构；经相关退火温度得到硅基压电薄膜传感器；在硅基压电薄膜传感器上先后涂敷系列生物探针，结合清洗后，采用三明治夹心技术点样特异性结合生物体微量，可测出传感器谐振频率的相应变化。进而由相应公式换算得到待测生物体的微质量。这种多功能集成传感技术与现代生物技术相结合，可使微量生物测量的高通量、强特异性、高灵敏分析成为可能。
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