公开(公告)号：CN100356606C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200310109372.X

申请日：2003-12-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  张挺 ,  夏吉林 ,  封松林 ,  陈鲍尼

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备10-400nm的过渡层和50-400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10-500um的掩膜连续溅射约为10-1000nm的合金层以及20-400nm的上电极，得到了众多柱体。然后针对合金层进行腐蚀，由于该腐蚀液对上下电极和合金腐蚀速度的不同，上下电极将基本不被腐蚀；腐蚀后合金层呈现出为两头粗中间细的形状。这种中间细的结构有利于相变合金材料的相变，正是相变存储器研发设计中所要求的。最后，在上述样品上沉积填充物，在柱体中段凹进去的地方形成了间隙，间隙在此起到绝热和抑制合金层相变时膨胀的作用。相变合金层不一定是柱状，可以为其他形状。

公开(公告)号：CN1547268A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200310109372.X

申请日：2003-12-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  张挺 ,  夏吉林 ,  封松林 ,  陈鲍尼

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备10－400nm的过渡层和50－400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10－500um的掩膜连续溅射约为10－1000nm的合金层以及20－400nm的上电极，得到了众多柱体。然后针对合金层进行腐蚀，由于该腐蚀液对上下电极和合金腐蚀速度的不同，上下电极将基本不被腐蚀；腐蚀后合金层呈现出为两头粗中间细的形状。这种中间细的结构有利于相变合金材料的相变，正是相变存储器研发设计中所要求的。最后，在上述样品上沉积填充物，在柱体中段凹进去的地方形成了间隙，间隙在此起到绝热和抑制合金层相变时膨胀的作用。相变合金层不一定是柱状，可以为其他形状。