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公开(公告)号：CN110767766A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810836030.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述应变平衡GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及依次层叠于所述硅衬底上的Ge缓冲层和吸收层；所述吸收层，包括沿垂直于所述硅衬底的方向交替堆叠的拉应变Si1-x-yGexSny层与压应变Ge1-aSna层，以达到应变平衡；其中，0
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公开(公告)号：CN112305671B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201910676834.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于狭缝波导的锥形偏振分束器及制备方法，分束器包括锥形耦合器及偏振滤波器；锥形耦合器包括条形硅波导及狭缝波导，条形硅波导及狭缝波导在耦合长度方向上具有相反的宽度变化趋势；偏振滤波器包括串联在锥形耦合器的TE输出端的第一偏振滤波器及串联在锥形耦合器的TM输出端的第二偏振滤波器，第一偏振滤波器用以TE偏振态的传导，并将TM偏振态耦合到第一狭缝波导中；第二偏振滤波器用以过滤TE偏振态，并将TM偏振态的偏振模式从第二狭缝波导向第二条形硅波导转化。本发明器件可利用集成工艺制备，工艺简单且容差较大，尺寸较小，在较宽的波长范围内均可以实现较高的消光比，易于实现与其他器件的集成。
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公开(公告)号：CN118033813A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211425114.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于双尖端锥形耦合结构的端面耦合器及制作方法，包括埋氧层、波导层及包层，波导层包括在第一方向上依次且间隔排列的第一至第三波导组，第一波导组包括在第二方向上依次连接的第一波导及第二波导，按照上述连接方式，第二波导组包括第三波导及第四波导，第三波导组包括第五波导及第六波导，第二方向垂直于第一方向，第二波导组的输入端与第一波导组及第三波导组的输入端在第二方向上错开预设距离，第四波导为直波导，其他波导为锥形波导，第一波导、第三波导、第五波导的宽度在第二方向上逐渐增大，第二波导、第六波导的宽度在第二方向上逐渐减小。本发明的端面耦合器在降低偏振依赖性的同时，降低器件的插入损耗，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN117673175A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211041274.6
申请日：2022-08-29
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01T1/26
Abstract: 本发明提供一种硅基波导型锗探测器及其制备方法，硅基波导型锗探测器包括：SOI衬底，SOI衬底包括依次层叠的硅衬底、埋氧层和顶层硅，顶层硅包含硅波导结构；锗基探测层，位于硅波导结构上；反射膜结构，覆盖于锗基探测层上，用于将波导结构传输进入锗基探测层且未被锗基探测层吸收的光线反射回锗基探测层内再进行吸收。本发明通过在锗基探测层四周设置反射膜结构，从而引入构建了小型的光学谐振腔，减小了光的损耗，可以让未被吸收的光线不断在锗中重复吸收，有效提升了锗的吸收，在同样的光吸收效果下，本发明的器件尺寸可以比传统的锗探测器大大减小，而且具有工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN116417333A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111670157.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L25/075 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供一种电沉积电极结构、全彩化显示结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：形成包括多个第一电极块的第一电极层于绝缘基板上，形成第一绝缘层；形成包括多个第二电极块的第二电极层于第一绝缘层上，第一、第二电极块在水平方向上间隔排布；形成第二绝缘层；形成多个第一开口以显露第一电极块；形成第三电极块于第一开口中；形成多个第二开口以显露第二电极块；形成第四电极块于第二开口中。本发明将二维平面上制备的电极变为三维电极，利用电极之间的绝缘层来隔绝电极间相互影响，解决了二维平面电极容易短路的问题。由于两层电极的连线可以上下排布，节约了排布面积，使得像素间距进一步缩小，进而可以得到更高分辨率的色彩转换膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111830627B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201910328570.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种偏振分束器及其形成方法。所述偏振分束器包括：衬底；位于所述衬底表面且均沿第一方向延伸的第一波导、狭缝波导和第二波导；所述第一波导、所述狭缝波导与所述第二波导在沿与所述第一方向垂直的第二方向上平行排列，且所述狭缝波导位于所述第一波导与所述第二波导之间；所述第一方向为光线的传播方向，所述第一方向与所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；所述光线中的横磁偏振光能够自所述第一波导经所述狭缝波导耦合至所述第二波导。本发明实现了对光线中TM偏振模式与TE偏振模式的分离，在未来的偏振复用以及传感等方面有着诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN116247108A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111483805.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法，包括步骤：1)于SOI晶圆的第一主面沉积隔离介质层；2)采用低压化学气相沉积工艺于沉积隔离介质层上和SOI晶圆的第二主面分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层；3)刻蚀第二氮化硅层，以至少去除第二氮化硅层的部分厚度；4)采用等离子体增强化学气相沉积工艺于SOI晶圆的第二主面沉积高应力氮化硅层；5)刻蚀第一氮化硅层，以形成氮化硅波导，高应力氮化硅层用于在形成氮化硅波导时使氮化硅波导达到应力平衡。本发明不仅解决了氮化硅波导应力不平衡的问题而且还保护了晶圆正面的器件，可广泛应用于硅光子技术中。
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公开(公告)号：CN115407452A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110586775.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请提供一种光混频器及其制造方法，光混频器包括：基底层；输入波导，其为条状，输入波导的输入端接收输入光；多模干涉波导，其为矩形，多模干涉波导的输入端与输入波导的输出端耦接，接收从输入波导传输的光，多模干涉波导对接收的光进行混频处理；输出波导，其为条状，设置于基底层，输出波导的输入端与多模干涉波导的输出端耦接，接收从多模干涉波导的输出端输出的混频光，输出波导对接收的混频光进行传输，并从输出波导的输出端输出；以及覆盖层，其覆盖输入波导、多模干涉波导以及输出波导各自的上表面和侧面，输入波导、多模干涉波导以及输出波导的材料均为氮化硅，该输入波导的数量为3个，该输出波导的数量为3个。
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公开(公告)号：CN111834486B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201910243160.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1‑xPbx，其中，0
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公开(公告)号：CN111312827B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811428096.6
申请日：2018-11-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种单向载流子传输光电探测器及其制造方法。该探测器包括：位于衬底表面的阴极接触层，所述阴极接触层用于和阴极电极接触；位于所述阴极接触层表面的电子收集区；位于所述电子收集区表面的缓冲层；位于所述缓冲层表面的光吸收区，所述光吸收区的材料为锗锡，所述光吸收区吸收光并生成电子和空穴；位于所述光吸收区表面的势垒层，所述势垒层与所述光吸收区界面形成导带带阶，所述带阶阻止所述光吸收区生成的电子穿过所述界面；以及位于所述势垒层表面的阳极接触区。本申请有利于实现大功率高速单向载流子传输探测器。
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