公开(公告)号：CN117673175A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211041274.6

申请日：2022-08-29

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 李欣雨 ,  蔡艳 ,  涂芝娟 ,  汪巍 ,  余明斌

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  G01T1/26

Abstract: 本发明提供一种硅基波导型锗探测器及其制备方法，硅基波导型锗探测器包括：SOI衬底，SOI衬底包括依次层叠的硅衬底、埋氧层和顶层硅，顶层硅包含硅波导结构；锗基探测层，位于硅波导结构上；反射膜结构，覆盖于锗基探测层上，用于将波导结构传输进入锗基探测层且未被锗基探测层吸收的光线反射回锗基探测层内再进行吸收。本发明通过在锗基探测层四周设置反射膜结构，从而引入构建了小型的光学谐振腔，减小了光的损耗，可以让未被吸收的光线不断在锗中重复吸收，有效提升了锗的吸收，在同样的光吸收效果下，本发明的器件尺寸可以比传统的锗探测器大大减小，而且具有工艺兼容性。

公开(公告)号：CN119836016A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202311316878.1

申请日：2023-10-11

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 李欣雨 ,  涂芝娟 ,  蔡艳 ,  汪巍

IPC: H10F30/22 ,  H10F77/14 ,  H10F77/1223 ,  H10F71/00

Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制备方法。该光电探测器包括：第一光波导，其设置于衬底的表面，沿第一方向延伸；第一掺杂区，其具有第一掺杂类型，在第二方向上位于该第一光波导的一侧；以及第二掺杂区，其具有不同于该第一掺杂类型的第二掺杂类型，在该第二方向上位于该第一光波导的另一侧，该第一方向和该第二方向平行于该衬底的表面，并且该第一方向与该第二方向交叉，该第一光波导包括第一部分和第二部分，在垂直于该衬底的表面的第三方向上，该第一部分比该第二部分更靠近该衬底的表面，该第二部分的至少一部分在该第二方向上的尺寸小于该第一部分的至少一部分在该第二方向上的尺寸。本申请的光电探测器具有较高的响应度与带宽。

公开(公告)号：CN115700928A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202110800726.3

申请日：2021-07-15

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 李欣雨 ,  汪巍 ,  蔡艳 ,  余明斌

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制造方法，所述光电探测器包括：波导，其设置于基板，由第一材料构成；以及光吸收层，其设置于所述波导的表面；所述光吸收层包括第一材料部和第二材料部，所述第一材料部中形成有凹陷部，所述第二材料部设置于所述凹陷部中，所述第一材料部由所述第一材料构成，所述第二材料部由第二材料构成，针对所述预定波长的光，所述第一材料的折射率小于所述第二材料的折射率。根据本申请，将光电探测器的光吸收层设置为由折射率不同的两种材料交替布置而形成的结构，由此，能够增大倏逝波在吸收层中的吸收率，从而兼顾高响应度和高带宽。