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公开(公告)号：CN104701299A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310661510.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本申请公开了一种QFN封装-高速IC协同设计信号完整性分析方法。结合了QFN封装以及在片内设计了针对高速IC信号完整性测试电路，可以分析高速信号的信号完整性。该方法通用性强，面积小，可以分析高速信号，提高信号完整性分析的准确度。其包括降频电路和端接电路。其特征在于芯片内集成信号完整性测试电路集成度高，面积小，可测试高速IC信号。
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公开(公告)号：CN104681509A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310637910.6
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种改进型的双基岛封装结构，包括塑封体、外引脚、一个通过散热材质外露的基岛，一个不外露的基岛，两个芯片。本发明解决了传统双基岛封装结构存在的散热问题，同时解决了单基岛封装结构性能不佳和集成度低的问题。本发明使制造成本得到降低，且能满足电子行业小型材经，微型化的发展需求。
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公开(公告)号：CN104681508A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310635336.0
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明以QFN封装(方形扁平无引脚封装)结构为出发点，提出一种圆形扁平无引脚封装结构。其特点是：封装体外形为圆形；引线框架环形排布于塑封体内侧四周且外侧为圆弧形；芯片基岛为圆形；芯片基岛底部的导热焊盘为圆形；引线框架底部的导电焊盘环形排布于导热焊盘外侧四周且外侧为圆弧形。这种圆形扁平无引脚封装结构的优点在于：可以提高引脚数量和芯片尺寸比例，提高封装结构的散热性能，增强焊接可靠性，减小封装结构的高频寄生效应。
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公开(公告)号：CN104679929A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310637290.6
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种适合高速IC-QFN封装设计应用的封装寄生参数提取方法，用以提取封装结构中引线框架和键合金属线的电学参数。其步骤是：建立不同设计尺寸的QFN封装三维物理模型；在一定的频带范围内，采用电磁场全波分析方法提取QFN封装结构的散射参数；建立引线框架和键合线的等效电路模型；利用提取的散射参数拟合出该等效电路模型中的RLC集总参数；归纳整理引线框架和键合金属线在不同设计情况下的电学参数数据列表；通过数据分析及拟合算法建立电学参数有关物理参数变化的数学模型；最后可提取任意尺寸下的寄生电学参数。本发明具有设计思路简单清晰，在建立模型后，可不经由软件仿真而直接提取引线框架和键合金属线任意尺寸下的电学寄生参数，因而提高封装设计的灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103187320A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110452832.3
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种QFN封装防溢保护方法。塑封时，当塑料填充物流到防溢保护膜下边沿处的激光监测点处时，停止塑料填充物的填充，保证引脚金属完整地裸露在外面。可以改变防溢保护膜相对于引脚框架的外延长度以及激光监测点的位置，实现对不同的封装防溢保护的要求。
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公开(公告)号：CN103186682A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110449741.4
申请日：2011-12-29
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种新型的包含考虑电子产品封装的电、热及力学特性的协同环境。与传统的电子产品设计，封装方法和流程相比，极大地降低了设计的复杂度，减小了产品设计周期，提高了一次性设计成功率。其特征在于在集总的设计平台上提供了对电子产品封装的电、热、力学特性的全面、准确以及可重构的设计参数和性能、功能预测。通过协同考虑封装、热及力学特性对产品性能的作用，在产品的设计阶段，可以根据设计成本、实现的复杂度等方面考虑从产品核心设计优化、封装优化、热优化、及力学设计优化来优化产品性能。这样一方面保证产品性能的低成本的实现，另外提供了多个设计的自由度，降低了实现性能的复杂度，最重要的是在产品设计阶段能准确评估产品性能的预期，减少了设计迭代。
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公开(公告)号：CN103167669A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110417534.0
申请日：2011-12-14
Applicant: 上海北京大学微电子研究院 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种带有温度反馈的LED驱动电路，以解决LED驱动电路温度过高的问题。不同于现有LED驱动芯片过温会停止工作，导致LED出现闪烁。所述LED驱动芯片包括误差放大器，还包括过温识别模块，用于识别出LED驱动芯片过温；电压控制模块，用于在过温识别模块识别出过温的情况下，将所述误差放大器同向输入端连接的原参考电压更换为新参考电压，所述新参考电压的电压值低于原参考电压的电压值。进一步改变误差放大器的输出结果COMP；还包括PWM比较器，由于COMP的大小和流过LED的电流大小紧密相差，进一步控制了流过LED的电流。再反馈回来使LED驱动芯片的温度变化。
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公开(公告)号：CN103137670A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395462.4
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了纳米工艺下非对称MOS结构及其设计方法。其中该结构包括：对于NMOS，栅到源端STI的距离小于栅到漏端STI的距离；对于PMOS，栅到漏端STI的距离小于栅到源端STI的距离。其中该方法包括：对于NMOS，将器件的栅到源端STI的距离缩小而将其栅到漏端STI的距离增大，这样可以在不增加器件面积的情况下提高器件性能；对于PMOS，将器件的栅到漏端STI的距离缩小而保持栅到源端STI的距离不变，这样可以在减小器件面积的情况下提高器件性能。
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公开(公告)号：CN103134993A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397748.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/26 , G01R31/2648 , G01R31/2882 , H01L22/14 , H01L22/34
Abstract: 本发明提出了一种金属层间层内电容的分离方法，以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括：测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容，测量金属结构combmeander的层内电容，测量平行金属板结构和金属结构comb之间的层间电容，测量平行金属板结构和金属结构meander之间的层间电容；combmeander的层内电容乘二再加上平行金属板结构各与结构comb、meander之间的层间电容，再减去平行金属板结构和combmeander结构之间的总电容，便分离出金属结构combmeander的层内电容。这种金属层间层内电容的分离方法能够更加精确有效的分离出层内电容。
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