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公开(公告)号：CN103501435B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310451115.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H04N17/00
Abstract: 一种用密闭LED光源灯箱测试摄像机动态范围的方法及装置，属测试领域。其将密闭箱式分割成两个相邻的相互独立的第一/第二测试空间；在测试空间前部设置带有摄像机测试孔的前面板；在两个测试空间中分别设置LED光源；在LED光源与前面板之间分别设置透明测试卡；沿两测试空间纵向方向设置带有移动滑块的移动滑轨；LED光源设置在移动滑块上；LED光源控制端、移动滑轨控制端以及待测摄像机镜头图像输出端，与控制计算机I/O端口连接。其提供与外界隔离的密闭测试光源环境，两光源之间完全独立，没有任何串扰，LED光源的光学参数设置以及其与被测设备之间的距离及位置调整，均采用计算机控制，使得整个测试设备操作方便，测量精度大大提高。
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公开(公告)号：CN102623619B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210113628.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种基于硅基的LED芯片封装方法及LED芯片发光器件，属半导体器件领域。其在IC芯片封装生产线上对LED芯片进行封装：利用硅片作承载体，采用“键合”方式将LED芯片直接固定在硅片上；用液态玻璃在硅片表面及各个LED芯片之间形成绝缘层；对硅片置有LED芯片的一面进行抛光；采用“镀膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制备连接电极；对硅片进行切割，得到LED发光器件或LED发光器件模块产品。其降低了LED封装成本，为现有集成电路IC芯片封装生产线的应用和使用扩展了一个全新的领域，特别适于大功率LED发光器件的生产，在相同外部环境条件或电源功率的情况下可输出更大的光功率。可广泛用于LED发光器件的生产/制造领域。
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公开(公告)号：CN103501435A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310451115.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H04N17/00
Abstract: 一种用密闭LED光源灯箱测试摄像机动态范围的方法及装置，属测试领域。其将密闭箱式分割成两个相邻的相互独立的第一/第二测试空间；在测试空间前部设置带有摄像机测试孔的前面板；在两个测试空间中分别设置LED光源；在LED光源与前面板之间分别设置透明测试卡；沿两测试空间纵向方向设置带有移动滑块的移动滑轨；LED光源设置在移动滑块上；LED光源控制端、移动滑轨控制端以及待测摄像机镜头图像输出端，与控制计算机I/O端口连接。其提供与外界隔离的密闭测试光源环境，两光源之间完全独立，没有任何串扰，LED光源的光学参数设置以及其与被测设备之间的距离及位置调整，均采用计算机控制，使得整个测试设备操作方便，测量精度大大提高。
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公开(公告)号：CN101969725B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010502348.2
申请日：2010-10-11
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: Y02B20/42 , Y02B20/48 , Y02B70/126
Abstract: 本发明属于光源照明和电子技术领域，具体为一种智能型通用LED路灯照明电源系统。该系统包括输入浪涌保护及电磁干扰抑制电路，BOOST-BUCK型隔离反激式功率因素校正开关电源电路，LED芯片温度检测电路，环境亮度检测电路，万年历芯片及其外围电路，LED故障检测电路，单片机电路及恒流输出控制电路。本发明的开关电源电路以有源PFC控制芯片L6562为基础，精简了电路结构、提高了电路效率；单片机电路以芯片STC12C5606AD为控制核心，对环境亮度，LED芯片温度，时间及LED故障进行实时监测，根据不同情况智能化地调整LED输出亮度，在节能的同时，有效地延长了LED路灯的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103167669A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110417534.0
申请日：2011-12-14
Applicant: 上海北京大学微电子研究院 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种带有温度反馈的LED驱动电路，以解决LED驱动电路温度过高的问题。不同于现有LED驱动芯片过温会停止工作，导致LED出现闪烁。所述LED驱动芯片包括误差放大器，还包括过温识别模块，用于识别出LED驱动芯片过温；电压控制模块，用于在过温识别模块识别出过温的情况下，将所述误差放大器同向输入端连接的原参考电压更换为新参考电压，所述新参考电压的电压值低于原参考电压的电压值。进一步改变误差放大器的输出结果COMP；还包括PWM比较器，由于COMP的大小和流过LED的电流大小紧密相差，进一步控制了流过LED的电流。再反馈回来使LED驱动芯片的温度变化。
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公开(公告)号：CN102752929A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210216942.4
申请日：2012-06-28
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明涉及一种支持可控硅调光的高功率因数LED驱动电路。本发明实现的替换型小功率LED驱动器为电气隔离型电路，电路采用反激变换拓扑结构，使用隔离式变压器进行能量的存储和传输，使用外接的三端可控硅调光器进行调光。为实现调光功能，考虑使用集成了MOSFET的开关电源管理芯片NXPSSL2101T、使用三端可控硅调光开关产生输入信号、使用电阻分压方式产生亮度控制信号等。为实现高功率因数，考虑使用了填谷式PFC校正电路，包括3个电容和2个二极管。在小功率限制下，为实现较高效率，采用反激式拓扑结构。本发明提高了电路集成度、功率因数及电路转换效率。
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公开(公告)号：CN102661519A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210162857.4
申请日：2012-05-21
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海九高节能技术有限公司
IPC: F21S2/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种LED-PAR灯具，其使用过程中，所述气流通道能够加快所述壳体与外部环境间的气体对流和热量交换，从而提高所述LED-PAR灯具的散热效果，同时，所述散热间隙与所述气流通道相互配合，从而使得所述LED-PAR灯具的整体散热效果进一步提高，并使其照明效果和使用寿命得以相应提高。
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公开(公告)号：CN102544268A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210055499.7
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光二极管表面处理方法，该方法包括以下步骤：提供待处理的半导体发光二极管芯片；提供等离子体处理设备，该等离子体处理设备具有等离子体真空腔体和等离子体放电功能；清洁待处理的半导体发光二极管芯片并将其干燥；将清洁并干燥后的待处理的半导体发光二极管芯片放入等离子体设备的真空腔体内；将等离子体真空腔体抽真空；在抽过真空的等离子体真空腔体内注入氩气或者氮气，并控制真空腔体内的真空度；对等离子体真空腔体内的惰性气体加高压，处理一定时间后结束放电过程，退出等离子体真空腔体。本发明能够去除芯片表面至亚表面的损伤层，降低漏电流，结合后续钝化工艺，进一步改善钝化的效果，降低漏电流。
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公开(公告)号：CN101673802B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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