LED侧面钝化层质量的测试结构及测试方法

    公开(公告)号:CN102569122B

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201210054565.9

    申请日:2012-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构,通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极,从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量,并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测;同时,还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法,通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻,并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较,从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测;该方法简单方便,并且成本较低。

    多模式PWM控制电路
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103166434A

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201110417622.0

    申请日:2011-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种新型多模式PWM控制电路,与传统PWM控制电路相比,特征在于采用多通道多电压的PWM比较器,根据开关电源系统的反馈电压的不同,改变PWM比较器的参考电压的大小。采用这种方法,可以满足不同负载下动态控制流过LED的电流的需求,进而控制芯片工作在不同模式,实现全负载范围高效率。此电路结构不仅能够满足多模式控制需求,还附加了软启动峰值电流控制,防止系统启动过冲,进一步完善了系统功能。还附加了前沿消隐控制,防止电压检测端过冲时引起的错误判断。

    一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN101954617B

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN200910055069.3

    申请日:2009-07-20

    Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法,包括:采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光;采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光;所述第二浓度低于第一浓度,所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比,使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后,再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光,不必再经过退火步骤。此外,由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小,磨削效率高,分散性好,因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明,抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。

    一种以LED灯为引诱光源的溺水捕杀害虫的方法及装置

    公开(公告)号:CN102599128A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201110458675.7

    申请日:2011-12-31

    Inventor: 李抒智 杨卫桥

    Abstract: 一种以LED灯为引诱光源的溺水捕杀害虫的方法及装置,属捕捉或杀灭昆虫装置领域。其通过设置水槽、空心立柱、发光部件承载台和LED发光部件,使得LED发光部件的出光向下射入液体中;在水槽底部的内表面,设置反光层,用于对LED发光部件发出的光线进行漫反射;通过漫反射的方式来形成出光光源,吸引害虫;其采用溺水扑杀的方式,用充有液体的水槽来构成杀虫装置;利用水槽中的液体、空心立柱和发光部件承载台,构成LED发光部件的冷却部件,将LED发光部件工作时所产生的热量传导和散出。其提高了诱虫灯工作时的安全性与可靠性,具有良好的捕杀效率,达到了安全、节能、环保的效果。可广泛用于农、林业捕捉/杀灭有害昆虫领域。

    一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置

    公开(公告)号:CN101625400B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN200910056425.3

    申请日:2009-08-14

    Abstract: 一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置,属测试领域。其在各光电探测器信号输出端,设置前置放大器、A/D变换模块和无线发射模块,在终端微机系统信号输入端,设置一个受单片机控制的无线数据接收模块;无线数据接收模块和多个无线发射模块构成多对一的、星型网络拓扑结构的无线信号传输单元;将各光电探测器的输出信号进行数字化并按时序地且附有地址编码地进行无线发射,无线数据接收模块在单片机的控制下,对所有无线发射模块所发出的无线传输信号按地址编码进行自动巡检/接收并送入终端微机系统;终端微机系统进行实时自动巡检并采集各组LED灯具的光强变化数据,对每一被测灯具,实施测试管理和集中数据处理。

    一种POSS/环氧纳米杂化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN101985513A

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:CN201010179346.4

    申请日:2010-05-20

    Inventor: 游波 唐勇 潘倩

    Abstract: 本发明属于化工及光电技术领域,具体涉及一种高耐热POSS/环氧纳米杂化材料及其制备方法和应用。高耐热POSS/环氧纳米杂化材料包含:(a)至少一种环氧树脂,(b)至少一种多面体低聚硅倍半氧烷(POSS),(c)至少一种酸性固化剂,(d)非必须有机硅烷,(e)非必须助剂。本发明制备的POSS/环氧纳米杂化材料没有相分离现象,既具有环氧树脂粘结性好、机械强度和抗剪强度高、可加工性好的特点,同时又具有POSS耐热性高、绝缘性好、弹性强、耐老化性好、透明性好的特点,生产和制备过程简单且易于控制、生产过程不含任何溶剂,是一种环保、节能的POSS/环氧纳米杂化材料绿色合成方法。用于胶黏剂、LED封装材料、光电转换材料、绝缘材料、涂层材料、电路保护材料、光学保护材料等。

    一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN101954617A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200910055069.3

    申请日:2009-07-20

    Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法,包括:采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光;采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光;所述第二浓度低于第一浓度,所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比,使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后,再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光,不必再经过退火步骤。此外,由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小,磨削效率高,分散性好,因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明,抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。

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