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公开(公告)号：CN1271715C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN03104321.6
申请日：2003-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00 , G11C14/00
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/3454 , G11C2211/5634
Abstract: 半导体存储装置向存储块内的特定的存储单元进行写入动作时，在施加规定期间写入电压后，采用读出放大器电路及比较器进行校验动作。根据校验动作的结果，判断向存储单元的写入不足时，根据存储控制电路的指示再次进行写入动作。此时，存储控制电路调节写入电压。
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公开(公告)号：CN1271714C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN03104318.6
申请日：2003-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/78 , G11C16/00
CPC classification number: G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 向存储单元阵列(12)内的非易失性存储单元MC1的存储区域(L2)和非易失性存储单元(MC2)的存储区域(L1)存储多个数据时，第1控制电路(200)导通开关电路(SW52)，向位线(BL2)供给规定的写入电位(VCCW)。另外，第2控制电路(300)导通开关电路(SW61)和(SW63)，根据各个存储单元存储的数据量，向位线(BL1)和(BL2)分别输出源极电位(Vg)。
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公开(公告)号：CN1263041C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03122096.7
申请日：2003-04-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种薄膜磁性体存储器，对应MTJ存储单元的各列设置位线(BL)。另一方面，对应MTJ存储单元的各行设置作为读出选择线用的字线(WL)与作为写入选择线用的写入数位线(WDL)。并且独立设置字线译码器(20r)与数据线译码器(20w)，前者根据读出端口(2)上输入的读出地址(ADDr)有选择地激活字线(WL)，后者根据写入端口(3)上输入的写入地址(ADDw)有选择地激活写入数位线(WDL)。
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公开(公告)号：CN1252600C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03149353.X
申请日：2003-06-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 电源控制部(2)在切断要设为待机状态的相应的电路模块的电源或者整个芯片的电源之前，对该相应的电路模块激活控制信号ST，使该电路模块将数据处理后的运算结果向存储器部(4)转移。电源控制部(2)对处于待机状态的该相应的电路模块再次供给电源时，激活电源供给开始后的控制信号RES，将转移到存储器部(4)的数据恢复到相应的电路模块。进行数据转移和恢复时，电路模块中的触发器串联，采用与通常不同的通路进行数据转送。从而，提供可保持内部信息且高速转移到降低消耗功率的待机模式的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1505039A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN03152245.9
申请日：2003-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 在MRAM器件中，将存储块(MA)分为四个区(A～D)，对应于四个区(A～D)分别设置四个恒流电路(13～16)。位线驱动器(10～12)从四个区(A～D)按每区两条选择八条位线(BL)，在各位线(BL)上流入对应于该位线(BL)的恒流电路的输出电流。因此，能够稳定流入位线(BL)的写入电流，且能够进行稳定的数据写入。
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公开(公告)号：CN1489063A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03149353.X
申请日：2003-06-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 电源控制部(2)在切断要设为待机状态的相应的电路模块的电源或者整个芯片的电源之前，对该相应的电路模块激活控制信号ST，使该电路模块将数据处理后的运算结果向存储器部(4)转移。电源控制部(2)对处于待机状态的该相应的电路模块再次供给电源时，激活电源供给开始后的控制信号RES，将转移到存储器部(4)的数据恢复到相应的电路模块。进行数据转移和恢复时，电路模块中的触发器串联，采用与通常不同的通路进行数据转送。从而，提供可保持内部信息且高速转移到降低消耗功率的待机模式的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1480945A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03130943.7
申请日：2003-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 作为与读出电流路径连接的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)使用在半导体衬底SUB上的绝缘膜(200)上形成的半导体层(205)来制造，包含杂质区(110、120)、栅区(130)和体区(210)。即，为了削减其关断漏泄电流，用SOI(绝缘体上的硅)结构来制造存取晶体管(ATR)。
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公开(公告)号：CN1477645A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03124142.5
申请日：2003-05-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C15/046 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/02 , G11C29/816 , G11C29/846
Abstract: 在MRAM的存储单元阵列中，借助于将正常存储单元与保持基准值的基准存储单元进行比较，使每一个单元存储1位数据。备用存储单元用2个单元存储1位数据。在备用存储单元的2个单元中写入互补的数值，借助于将这2个单元与读出放大器连接，来读出所存储的1位数据。多配置在阵列周边部分的备用存储单元部分抗元件完成后的尺寸离散性的能力增强，可以提高置换成备用存储单元进行补救时的成功率。
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公开(公告)号：CN1477643A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03123159.4
申请日：2003-04-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/062 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/1675 , G11C13/0004 , G11C15/02 , G11C15/04 , G11C15/046 , G11C29/02 , G11C29/026 , G11C29/028 , G11C29/50 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/008 , G11C2207/063 , G11C2213/72 , G11C2213/79
Abstract: 设有数据检索时进行对存储单元行非易失地写入的存储信息跟检索信息的一致性比较动作的电流检测电路。该电流检测电路对如下两种电流进行比较：即与存放存储信息的存储单元行的各存储单元对应的各位线中流过的数据读出电流，以及与存放检索信息的各检索存储单元对应的各位线中流过的数据读出电流。
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