公开(公告)号：CN1492507A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN02107979.X

申请日：1997-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 安田宪一 ,  濑户川润 ,  大石司

IPC: H01L27/00

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C5/147

Abstract: 提供具有高效率地配置的内部电源电路的半导体装置。在半导体芯片(1)的半导体装置形成区域(10)中配置基准电压发生电路和备用降压电路，配置包含邻接于实际消耗电流的电路区、在运行周期时工作的运行降压电路的区域(12a、12b、11)。与将备用降压电路和运行降压电路都配置在各电流消耗电路附近的结构相比，可以抑制面积的增加，可以高效率地配置内部电源电路。

公开(公告)号：CN1267994C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02107979.X

申请日：1997-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 安田宪一 ,  濑户川润 ,  大石司

IPC: H01L27/00

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C5/147

Abstract: 提供具有高效率地配置的内部电源电路的半导体装置。在半导体芯片(1)的半导体装置形成区域(10)中配置基准电压发生电路和备用降压电路，配置包含邻接于实际消耗电流的电路区、在运行周期时工作的运行降压电路的区域(12a、12b、11)。与将备用降压电路和运行降压电路都配置在各电流消耗电路附近的结构相比，可以抑制面积的增加，可以高效率地配置内部电源电路。

公开(公告)号：CN1104052C

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN97118410.0

申请日：1997-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 安田宪一 ,  濑户川润 ,  大石司

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C5/147

Abstract: 提供具有高效率地配置的内部电源电路的半导体装置。在半导体芯片(1)的半导体装置形成区域(10)中配置基准电压发生电路和备用降压电路，配置包含邻接于实际消耗电流的电路区、在运行周期时工作的运行降压电路的区域(12a、12b、11)。与将备用降压电路和运行降压电路都配置在各电流消耗电路附近的结构相比，可以抑制面积的增加，可以高效率地配置内部电源电路。

公开(公告)号：CN1186344A

公开(公告)日：1998-07-01

申请号：CN97118410.0

申请日：1997-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 安田宪一 ,  濑户川润 ,  大石司

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C5/147

Abstract: 提供具有高效率地配置的内部电源电路的半导体装置。在半导体芯片(1)的半导体装置形成区域(10)中配置基准电压发生电路和备用降压电路,配置包含邻接于实际消耗电流的电路区、在运行周期时工作的运行降压电路的区域(12a、12b、11)。与将备用降压电路和运行降压电路都配置在各电流消耗电路附近的结构相比,可以抑制面积的增加,可以高效率地配置内部电源电路。