公开(公告)号：CN1480945A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03130943.7

申请日：2003-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人 ,  石川正敏 ,  大石司

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 作为与读出电流路径连接的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)使用在半导体衬底SUB上的绝缘膜(200)上形成的半导体层(205)来制造，包含杂质区(110、120)、栅区(130)和体区(210)。即，为了削减其关断漏泄电流，用SOI(绝缘体上的硅)结构来制造存取晶体管(ATR)。

公开(公告)号：CN1329919C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03101282.5

申请日：2003-01-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石川正敏

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: MTJ存储单元(MC)具有响应于对应的字线的激活而导通的存取晶体管(ATR)和电阻随存储数据而变化的隧道磁阻元件(TMR)。存取晶体管(ATR)的源与供给接地电压(GND)的源线(SL1～SLn)连接。为了抑制非选择的存取晶体管中的关断漏泄电流，各存取晶体管(ATR)由同一芯片上形成了的比其它MOS晶体管(TL)的阈值电压大的MOS晶体管构成。

公开(公告)号：CN1459791A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03104320.8

申请日：2003-01-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大石司 ,  石川正敏

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 构成MTJ存储单元的隧道磁电阻元件(TMR)，连接在位线(BL)和搭接片(SL)之间。各存储单元列中，搭接片(SL)为同一行块内的多个隧道磁电阻元件(TMR)所共有。存取晶体管(ATR)连接在搭接片(SL)和接地电压(GND)之间，响应对应的字线(WL)导通与截止。分别在给以连接于同一搭接片的存储单元群为对象的、选择存储单元施加预定磁场的前后进行数据读出，根据对数据读出结果的比较，从选择存储单元读出存储数据。

公开(公告)号：CN1411000A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02142748.8

申请日：2002-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大石司 ,  日高秀人 ,  石川正敏

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 构成MTJ存储单元的隧道磁阻元件连接在位线与条带之间。条带为同一子阵列内的在行方向上相邻的多个隧道磁阻元件所共有。存取晶体管连接在条带和接地电压之间，响应于对应的字线而导通或关断。由于无需与各隧道磁阻元件对应地设置存取晶体管就能进行数据读出，所以可以使阵列面积小型化。

公开(公告)号：CN100505085C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN03104320.8

申请日：2003-01-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大石司 ,  石川正敏

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 构成MTJ存储单元的隧道磁电阻元件(TMR)，连接在位线(BL)和搭接片(SL)之间。各存储单元列中，搭接片(SL)为同一行块内的多个隧道磁电阻元件(TMR)所共有。存取晶体管(ATR)连接在搭接片(SL)和接地电压(GND)之间，响应对应的字线(WL)导通与截止。分别在给以连接于同一搭接片的存储单元群为对象的、选择存储单元施加预定磁场的前后进行数据读出，根据对数据读出结果的比较，从选择存储单元读出存储数据。

公开(公告)号：CN1292438C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN03130943.7

申请日：2003-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人 ,  石川正敏 ,  大石司

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 作为与读出电流路径连接的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)使用在半导体衬底SUB上的绝缘膜(200)上形成的半导体层(205)来制造，包含杂质区(110、120)、栅区(130)和体区(210)。即，为了削减其关断漏泄电流，用SOI(绝缘体上的硅)结构来制造存取晶体管(ATR)。

公开(公告)号：CN1482616A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03131290.X

申请日：2003-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人 ,  石川正敏 ,  大石司

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 作为连接到读出电流路径上的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)用表面沟道型场效应晶体管来构成。表面沟道型场效应晶体管与埋入沟道型场效应晶体管相比，其沟道电阻低，可减轻读出电流路径的RC负载。伴随于此，可进行高速的数据读出。

公开(公告)号：CN100350497C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03131290.X

申请日：2003-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人 ,  石川正敏 ,  大石司

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 作为连接到读出电流路径上的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)用表面沟道型场效应晶体管来构成。表面沟道型场效应晶体管与埋入沟道型场效应晶体管相比，其沟道电阻低，可减轻读出电流路径的RC负载。伴随于此，可进行高速的数据读出。

公开(公告)号：CN1276436C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02142748.8

申请日：2002-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大石司 ,  日高秀人 ,  石川正敏

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 构成MTJ存储单元的隧道磁阻元件连接在位线与条带之间。条带为同一子阵列内的在行方向上相邻的多个隧道磁阻元件所共有。存取晶体管连接在条带和接地电压之间，响应于对应的字线而导通或关断。由于无需与各隧道磁阻元件对应地设置存取晶体管就能进行数据读出，所以可以使阵列面积小型化。

公开(公告)号：CN1469383A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03101282.5

申请日：2003-01-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石川正敏

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: MTJ存储单元(MC)具有响应于对应的字线的激活而导通的存取晶体管(ATR)和电阻随存储数据而变化的隧道磁阻元件(TMR)。存取晶体管(ATR)的源与供给接地电压(GND)的源线(SL1～SLn)连接。为了抑制非选择的存取晶体管中的关断漏泄电流，各存取晶体管(ATR)由同一芯片上形成了的比其它MOS晶体管(TL)的阈值电压大的MOS晶体管构成。