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公开(公告)号:CN1271715C
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN03104321.6
申请日:2003-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00 , G11C14/00
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/3454 , G11C2211/5634
Abstract: 半导体存储装置向存储块内的特定的存储单元进行写入动作时,在施加规定期间写入电压后,采用读出放大器电路及比较器进行校验动作。根据校验动作的结果,判断向存储单元的写入不足时,根据存储控制电路的指示再次进行写入动作。此时,存储控制电路调节写入电压。
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公开(公告)号:CN1459863A
公开(公告)日:2003-12-03
申请号:CN03104321.6
申请日:2003-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00 , G11C14/00
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/3454 , G11C2211/5634
Abstract: 半导体存储装置向存储块内的特定的存储单元进行写入动作时,在施加规定期间写入电压后,采用读出放大器电路及比较器进行校验动作。根据校验动作的结果,判断向存储单元的写入不足时,根据存储控制电路的指示再次进行写入动作。此时,存储控制电路调节写入电压。
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