公开(公告)号：CN117597425A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047517.9

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  李旻映 ,  许伦旼 ,  具滋旼 ,  李东炯 ,  韩多顺 ,  金旼秀 ,  金宰贤

IPC: C11D7/26

Abstract: 提供一种用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的组合物以及一种形成图案的方法，所述方法包括使用所述组合物来去除边珠的步骤，且所述组合物包括有机溶剂以及具有7g/mol·ea或大于7g/mol·ea的平均分子量的化合物。

公开(公告)号：CN117616109A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280047982.2

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李旻映 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀

IPC: C11D7/26 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

Abstract: 提供一种用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的组合物以及一种形成图案的方法，所述方法包括使用所述组合物来去除边珠的步骤，且所述组合物包括有机溶剂及经至少一个羟基(‑OH)取代的环状化合物，其中所述环状化合物具有5至30的碳数，且所述环状化合物在环中具有至少一个双键。

公开(公告)号：CN117597628A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047231.0

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 许伦旼 ,  文炯朗 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀

IPC: G03F7/16

Abstract: 提供一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上涂布含金属抗蚀剂组成物；沿基板的边缘涂布用于去除边珠的组成物；对所得物进行干燥及加热，以在基板上形成含金属抗蚀剂膜；以及对所得物进行曝光及显影以形成抗蚀剂图案，其中所述用于去除边珠的组成物可包括至少一种添加剂以及有机溶剂，所述至少一种添加剂选自亚磷酸系化合物、次亚磷酸系化合物、亚硫酸系化合物及氧肟酸系化合物。

公开(公告)号：CN117348341A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310445626.2

申请日：2023-04-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 许伦旼 ,  裵鎭希 ,  文炯朗 ,  郭泽秀 ,  朴景铃 ,  李忠宪 ,  黄丙奎

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/42 ,  G03F7/40 ,  G03G9/12

Abstract: 本发明提供一种含金属光刻胶显影剂组合物，及一种包含使用所述组合物进行显影的步骤的图案形成方法，且所述含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；以及至少一种添加剂，选自亚磷酸类化合物、次磷酸类化合物、亚硫酸类化合物以及氧肟酸类化合物，其中包含约0.0001重量％至小于约1.0重量％的量的所述添加剂。含金属光刻胶显影剂组合物可使曝光工艺之后存在于含金属光刻胶膜中的缺陷最小化且实现容易显影，由此实现极佳对比度特性、极佳敏感性以及减小的线边缘粗糙度。

公开(公告)号：CN115895661A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210954854.8

申请日：2022-08-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李智惠 ,  尹志贤 ,  李圭原 ,  赵娟振 ,  文炯朗 ,  黄基煜 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。该组合物包含无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、该聚合物的反应产物或它们的组合。

公开(公告)号：CN112680228A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011107899.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  张俊英 ,  金贤贞 ,  文炯朗 ,  李智惠 ,  韩权愚 ,  黄基煜

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN105492540A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480048288.8

申请日：2014-05-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张胜宇 ,  文炯朗 ,  禹昌秀 ,  李雨晋 ,  田桓承 ,  韩东一

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/08 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G77/08 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/20 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/06 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明涉及一种用于密封有机发光二极管的组合物，包含：(A)含有不饱和基团的有机聚硅氧烷；(B)含有化学式1的不饱和基团和环氧基的有机聚硅氧烷；(C)含有Si-H基团的有机硅酮化合物；和(D)化学式15的铂催化剂，并且涉及使用其制造的有机发光二极管显示装置。

公开(公告)号：CN104626685A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410642232.7

申请日：2014-11-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李雨晋 ,  张原志成 ,  文炯朗 ,  禹昌秀 ,  张胜宇 ,  田桓承 ,  韩东一

IPC: B32B17/10 ,  B32B7/12 ,  B32B33/00 ,  C08J7/04 ,  C08J7/14 ,  C08J7/00 ,  C08L69/00 ,  C09D183/04

CPC classification number: C08J7/047 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/107 ,  B05D7/02 ,  C08J7/042 ,  C08J7/14 ,  C08J2369/00 ,  C08J2433/00 ,  C08J2463/00 ,  C08J2475/04 ,  C08J2477/00 ,  C08J2483/04 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/31507

Abstract: 本发明涉及聚碳酸酯玻璃(glazing)及其制备方法，该聚碳酸酯玻璃包括聚碳酸酯基板和在基板的一个表面上形成的硅酮硬涂层，其中，聚碳酸酯玻璃具有使用Taber磨损仪在CS-10F磨损轮和500g负载的条件下，在500次循环测试之后根据ASTM D1003测量的，在磨损前后之间的4.5或更小的浊度差(ΔHaze)，并且具有40°至60°的水接触角。根据本发明的聚碳酸酯玻璃可以表现出优异的耐磨损性和透明度。

公开(公告)号：CN119828412A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411350373.1

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  文炯朗 ,  金兑镐 ,  扈锺必 ,  裴镇希 ,  韩美莲

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/76

Abstract: 提供一种选自用于从含金属抗蚀剂移除边缘珠粒的组合物及含金属抗蚀剂的显影剂组合物的组合物、以及使用所述组合物形成图案的方法，所述组合物包括：包含至少两个酮基的化合物；以及包含选自乙酸酯类溶剂及醇类溶剂中的至少一者的有机溶剂，其中以组合物的总重量计，以约10重量％至约70重量％的量包括包含至少两个酮基的化合物，且以组合物的总重量计，以约30重量％至约90重量％的量包括有机溶剂。

公开(公告)号：CN119024655A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410573611.9

申请日：2024-05-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  扈锺必 ,  金兑镐 ,  韩承 ,  朴庆熏 ,  宋明洙 ,  郭泽秀 ,  朴时均 ,  裵鎭希 ,  金旼秀

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/00

Abstract: 一种含金属的光刻胶显影剂组合物包括有机溶剂和磺酰亚胺类化合物。一种利用显影剂组合物形成图案的方法包括：在衬底上涂布含金属的抗蚀剂组合物；沿着衬底的边缘涂布用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物；对所得物进行干燥和加热以在衬底上形成含金属的抗蚀剂层；对含金属的抗蚀剂层进行曝光；以及涂布含金属的光刻胶显影剂组合物，并对所述含金属的光刻胶显影剂组合物进行显影。