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公开(公告)号：CN106486587A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610729750.1
申请日：2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L27/156 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号：CN103325904A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310080154.1
申请日：2013-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括氮化物基半导体全方向反射器的发光装置。该发光装置包括氮化物基反射器和置于所述氮化物基反射器上的发光单元。所述氮化物基反射器包括交替层叠的未掺杂氮化物半导体层和重度掺杂氮化物半导体层。在所述重度掺杂氮化物半导体层的边缘处对其进行蚀刻，以在相邻的未掺杂氮化物半导体层之间形成空气层。
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公开(公告)号：CN119317287A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410919276.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种显示装置及制造显示装置的方法。该显示装置包括：显示基板，包括驱动电路；阵列层，提供在显示基板上并且包括多个凹槽；微型半导体芯片，提供在所述多个凹槽中的凹槽中；第二电极，从显示基板的下表面连接到第一类型半导体层；第一布线，连接到第一电极；以及第二布线，连接到第二电极，微型半导体芯片包括：第一类型半导体层；有源层，提供在第一类型半导体层上；第二类型半导体层，提供在有源层上；第一电极，提供在第二类型半导体层上。
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公开(公告)号：CN118693123A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410323862.1
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种显示装置以及制造该显示装置的方法。显示装置包括：显示基板，在其中包括多条布线；第一焊盘，提供在显示基板上并连接到所述多条布线中的第一布线；第二焊盘，提供在显示基板上、与第一焊盘间隔开并连接到所述多条布线中的第二布线；以及微型半导体芯片，包括第一电极、提供在第一电极上的p型半导体层、提供在p型半导体层上的有源层、提供在有源层上的n型半导体层以及提供在n型半导体层上的第二电极，其中微型半导体芯片具有垂直电极结构，第一电极连接到第一焊盘，第二电极连接到第二焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118053960A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311517398.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了多重微型发光器件、显示装置、制造多重微型发光器件的方法以及制造显示装置的方法。多重微型发光器件包括：多个子发光器件；多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一施加电压；配置为向所述多个子发光器件施加公共电压的第二电极；以及配置为将所述多个子发光器件彼此分隔的分隔件，并且所述多个子发光器件配置为单个芯片。
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公开(公告)号：CN117672945A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310814503.1
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/00
Abstract: 本公开涉及一种微型半导体芯片的巨量转移方法和巨量转移设备。该巨量转移多个微型半导体芯片的方法包括：将多个第一微型半导体芯片巨量转移到第一基板上，使得它们设置在第一基板的多个第一凹槽中；确定是否存在空的第一凹槽；以及将第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中，其中该定位可以包括将多个第二微型半导体芯片转移到与第一基板分开的第二基板上；以及利用静电力或电磁力从第二基板吸附第二微型半导体芯片并将吸附的第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中。
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公开(公告)号：CN117352601A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310450252.3
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种芯片湿式转移装置，包括被配置为将大量微型半导体芯片施加给转移基板的第一芯片施加模块、被配置为将大量微型半导体芯片排列在多个凹槽中的第一芯片排列模块、被配置为施加少量微型半导体芯片的第二芯片施加模块、以及被配置为排列少量微型半导体芯片的第二芯片排列模块。
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公开(公告)号：CN116053376A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210812814.X
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种微型发光器件和包括其的显示装置。该微型发光器件包括：掺有具有第一导电类型的第一杂质的第一半导体层；布置在第一半导体层的上表面上的发光层；布置在发光层的上表面上并掺有具有与第一导电类型电相反的第二导电类型的第二杂质的第二半导体层；布置在第二半导体层的上表面上的绝缘层；布置在绝缘层的上表面上并电连接到第一半导体层的第一电极；布置在绝缘层的上表面上并电连接到第二半导体层的第二电极；以及布置在第一半导体层的下表面上并具有平坦表面的铝氮化物层。
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公开(公告)号：CN116031342A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210895487.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种发光器件、包括该发光器件的显示装置以及制造该发光器件的方法。该发光器件包括：发光单元，包括布置在上表面上以彼此分开的第一电极和第二电极；延伸层，发光单元嵌入在该延伸层中并且该延伸层具有比发光单元的宽度大的宽度；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，第一电极焊盘和第二电极焊盘布置在延伸层的上表面上以彼此分开并且分别电连接到第一电极和第二电极。
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