公开(公告)号：CN106876284B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201611043189.8

申请日：2016-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳承官 ,  权容焕 ,  崔允硕 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括上半导体芯片封装件、下半导体芯片封装件和置于封装件之间的重分配布线层图案。下封装件包括模制层，至少一个芯片嵌入模制层中，下封装件具有顶表面和倾斜的侧壁表面，重分配布线层图案沿顶表面和侧壁表面形成。上封装件和下封装件通过重分配布线层图案彼此电连接。第一封装件可由晶片级封装技术形成并可包括作为基底的重分配布线层、设置在重分配布线层上的半导体芯片以及其上设置有下封装件、重分配布线层图案和上封装件的模制层。

公开(公告)号：CN105428337B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201510573810.0

申请日：2015-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许埈荣 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/367 ,  H01L23/482 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开提供了半导体封装及其制造方法。实施例包括一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；第一半导体芯片，安装在基板上；第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的顶表面上；连接凸块，设置在第一和第二半导体芯片之间以将第二半导体芯片电连接到第一半导体芯片；以及第一散热部件，在第一和第二半导体芯片之间设置在第一半导体芯片的顶表面上且与第二半导体芯片的底表面分隔开。

公开(公告)号：CN106856194B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201610900692.4

申请日：2016-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐善京 ,  柳承官 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体芯片及其制造方法。可以提供一种半导体芯片，该半导体芯片包括：半导体器件层，包括焊盘区域和单元区域；多条最上布线，形成在半导体器件层上并以相等的距离布置在单元区域中；钝化层，形成在单元区域和焊盘区域中；多个热凸起，设置在钝化层上以与所述多条最上布线电绝缘。所述半导体器件层可以包括位于焊盘区域中的多个硅通孔(TSV)结构。所述多条最上布线可以沿一个方向平行延伸并具有相同的宽度。所述钝化层可以至少覆盖单元区域中的所述多条最上布线的顶表面并包括具有波浪形状的顶表面。

公开(公告)号：CN107689359A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710397399.5

申请日：2017-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知晃 ,  沈钟辅 ,  赵汊济 ,  李元一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2224/16188 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。

公开(公告)号：CN106856194A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201610900692.4

申请日：2016-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐善京 ,  柳承官 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体芯片及其制造方法。可以提供一种半导体芯片，该半导体芯片包括：半导体器件层，包括焊盘区域和单元区域；多条最上布线，形成在半导体器件层上并以相等的距离布置在单元区域中；钝化层，形成在单元区域和焊盘区域中；多个热凸起，设置在钝化层上以与所述多条最上布线电绝缘。所述半导体器件层可以包括位于焊盘区域中的多个硅通孔(TSV)结构。所述多条最上布线可以沿一个方向平行延伸并具有相同的宽度。所述钝化层可以至少覆盖单元区域中的所述多条最上布线的顶表面并包括具有波浪形状的顶表面。

公开(公告)号：CN105428337A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510573810.0

申请日：2015-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许埈荣 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/367 ,  H01L23/482 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开提供了半导体封装及其制造方法。实施例包括一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；第一半导体芯片，安装在基板上；第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的顶表面上；连接凸块，设置在第一和第二半导体芯片之间以将第二半导体芯片电连接到第一半导体芯片；以及第一散热部件，在第一和第二半导体芯片之间设置在第一半导体芯片的顶表面上且与第二半导体芯片的底表面分隔开。

公开(公告)号：CN104779215A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510018605.8

申请日：2015-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允硕 ,  权赫万 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了一种堆叠式半导体封装件，该堆叠式半导体封装件由于堆叠在下芯片上的上半导体芯片的特征而使得对下半导体芯片的设计限制最小化。该堆叠式半导体封装件包括：下芯片，其具有设置有多个穿通电极的穿通电极区域；以及至少一个上芯片，其堆叠在下芯片上并且具有设置有对应于多个穿通电极的多个接合焊盘的焊盘区域。所述焊盘区域沿着将上芯片的有源表面二等分的中心轴线设置。设置上芯片的焊盘区域的中心轴线布置在从下芯片的有源表面在纵向上的中心轴线移位的位置。

公开(公告)号：CN104701289A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410741246.4

申请日：2014-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供包括具有穿透硅通孔(TSV)的芯片的半导体封装以及制造该半导体封装的方法，以通过减轻或防止在最上面的芯片处发生的破裂而提供可靠且较薄的半导体封装。可以提供半导体封装，该半导体封装包括：基板；第一芯片，堆叠在基板上，第一芯片包括多个穿透硅通孔(TSV)；最上面的芯片，堆叠在第一芯片上，最上面的芯片比第一芯片厚；第一间隙填充部分，覆盖最上面的芯片的侧表面的至少一部分同时填充第一芯片与最上面的芯片之间的空间；以及密封剂，用于密封第一芯片、最上面的芯片和第一间隙填充部分。