公开(公告)号：CN118050960A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311374488.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 姜亨奭 ,  元俊皓 ,  许弼覠 ,  赵弘灿 ,  金日宁 ,  朴相真 ,  辛承敃 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种基板处理装置，其包括：腔室，被配置成提供用于处理基板的空间；基板支承部，被配置成在腔室中支承基板；上部供应端口，设置在腔室的上部分中，并且被配置成向基板的上表面上供应超临界流体；凹部，设置在腔室的上壁中并且具有扩散器形状，扩散器形状的直径从上部供应端口的出口逐渐增大；以及流体挡板，在凹部中设置在上部供应端口与基板之间，并且包括以相同的相位和几何尺寸重复地布置在空间中并且彼此流体连通的单元格。

公开(公告)号：CN111872851B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201911316149.X

申请日：2019-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩昇澈 ,  李龙熙 ,  严泰民 ,  权炳昊 ,  李根泽

IPC: B24B53/017 ,  B24B37/10

Abstract: 提供了一种化学机械抛光(CMP)装置的修整器和一种包括该修整器的CMP装置。所述修整器包括：盘，所述盘用于对所述CMP装置的抛光垫进行修整；驱动器，所述驱动器用于使所述盘旋转；升降器，所述升降器用于升降所述驱动器；臂，所述臂用于使所述升降器旋转；以及连接器，所述连接器用于将所述驱动器连接到所述升降器，所述驱动器相对于所述升降器是可倾斜的。

公开(公告)号：CN117133670A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310078672.3

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16

Abstract: 基板处理装置包括：润湿装置，将流体供应到基板上；基板重量测量装置，测量已经穿过润湿装置的基板的重量；以及干燥装置，对已经穿过基板重量测量装置的基板进行干燥。基板重量测量装置包括：测量室，提供测量空间；测量台，在测量室中；以及重量感测传感器，感测放置在测量台上的基板的重量。

公开(公告)号：CN110060942B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201811608953.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN116033745A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211301369.7

申请日：2022-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成根 ,  朴禧影 ,  朴晋亨 ,  李根泽 ,  张正赫 ,  郑天炯

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种能够提高器件的性能和/或可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，具有单元区和沿着单元区的外围限定的外围区，其中单元区包括由单元元件分离膜限定的有源区；单元区分离膜，在衬底中并限定单元区；以及多个存储接触，连接到有源区并沿第一方向布置。多个存储接触包括第一存储接触、第二存储接触和第三存储接触，其中第二存储接触在第一存储接触和第三存储接触之间，第一存储接触和第三存储接触中的每个包含或围绕或限定气隙，第二存储接触没有气隙。

公开(公告)号：CN115565909A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210732148.9

申请日：2022-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  郑志薰 ,  金伶厚 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于干燥晶片的装置，包括：干燥室；超临界流体供应模块，被配置为向干燥室供应超临界流体；主排放管线，连接到干燥室并且安装有主阀；以及辅助排放单元，连接到主排放管线。辅助排放单元包括：辅助排放管线，连接到主排放管线，并且被配置为当主阀关闭时将超临界流体从干燥室排放；负压罐，安装在辅助排放管线中；第一阀，安装在辅助排放管线中，该第一阀被配置为当主阀关闭时打开；以及第二阀，安装在辅助排放管线中，该第二阀被配置为与第一阀一起打开。

公开(公告)号：CN107342246A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710244681.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昭荣 ,  金贤洙 ,  孙沂周 ,  李根泽 ,  洪琮沅

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4481 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/67178 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/3321

Abstract: 本公开提供半导体制造装置以及半导体制造工艺罐。一种半导体制造装置可以包括多个反应容器，该多个反应容器可以联接在一起以在产生用于半导体制造的工艺气体的工艺中提供多个按顺序的各个阶段，其中每个反应容器可以以不同于该多个反应容器中的其它反应容器的各自的配置包括各自的半导体制造固体源材料。

公开(公告)号：CN104051299A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090605.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN100407375C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200310119797.9

申请日：2003-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相溶 ,  李根泽

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C11D3/3956 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种有选择地清除氮化钛层和未反应金属层的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化剂。清洗液还可以有效地清除光阻层和有机物。而且，清洗液可以在钨栅极技术中使用，该技术能改进器件工作特性，因此已经被重视。

公开(公告)号：CN1505106A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119797.9

申请日：2003-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相溶 ,  李根泽

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C11D3/3956 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种有选择地清除氮化钛层和非反应金属层的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化剂。清洗液还可以有效地清除光阻层和有机物。而且，清洗液可以在钨栅极技术中使用，该技术能改进器件工作特性，因此已经被重视。