公开(公告)号：CN101201538A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710194762.X

申请日：2007-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵恩亨 ,  左圣熏 ,  孙镇昇 ,  李斗铉 ,  金海成

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F9/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: G03F9/7084 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种图案模板及其制造方法，该图案模板包括柔性基底、形成在柔性基底上并包括图案的模板模子和对准标记，对准标记的折射率大于模板模子的折射率。通过提供包括图案区的主模板、在图案区涂覆用于模子的树脂、通过在用于模子的树脂上安装柔性板并通过照射UV射线固化用于模子的树脂来形成模板模子、将模板模子与主模板分离、在模板模子上涂覆薄的金属膜并在模板模子的两侧均形成对准标记，来制造该图案模板。

公开(公告)号：CN118693153A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410223345.7

申请日：2024-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  朴葰颖 ,  张在兰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/48

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，该衬底包括在第一水平方向上延伸的多个器件区；在多个器件区上的多个栅电极，该多个栅电极在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸；多个源极/漏极区，该多个源极/漏极区中的每一个源极/漏极区在多个栅电极当中的在第一水平方向上彼此相邻的一对栅电极之间，多个源极/漏极区在多个器件区的部分上；多个栅极切割区，该多个栅极切割区切割多个栅电极并在第一水平方向上延伸；以及多个接触结构，该多个接触结构包括多个接触主体部分和多个接触指部分，多个接触主体部分填充多个栅极切割区并在第一水平方向上延伸。

公开(公告)号：CN110031989B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201811177146.8

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  加州理工学院

Inventor： 李斗铉 ,  R.索科延 ,  呂宥蓉 ,  G.K.什玛内什 ,  H.阿特瓦特 ,  R.帕拉 ,  白瓒郁

IPC: G02F1/017

Abstract: 提供了一种量子点(QD)光调制器以及包括该QD光调制器的装置。QD光调制器可以包括：含QD层，包括具有发光特性的QD；折射率变化层，与含QD层相邻地布置；以及反射器，布置为面对含QD层。折射率变化层可以包括其中载流子密度变化的载流子密度变化区，并且载流子密度变化区可以与含QD层相邻地布置。含QD层的发光特性可以根据折射率变化层的性质的变化来调制。QD光调制器还可以包括布置在含QD层上的纳米天线结构。

公开(公告)号：CN116364776A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211664988.2

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  朴贤镐 ,  金善培 ,  朴珍煐 ,  张在兰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅结构，在第一方向上间隔开，并包括在第二方向上延伸的栅电极；源/漏凹陷，在相邻的栅结构之间；源/漏图案，在源/漏凹陷中；源/漏接触部，连接到源/漏图案，并包括上部和源/漏图案上的下部；以及接触硅化物膜，沿源/漏接触部的下部设置在源/漏接触部与源/漏图案之间。源/漏图案包括：半导体衬膜，沿源/漏凹陷延伸并包括硅锗；半导体填充膜，在半导体衬膜上并包括硅锗；以及半导体插入膜，沿源/漏接触部的下部的侧壁延伸并包括硅锗。

公开(公告)号：CN115979429A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202210506328.5

申请日：2022-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丙圭 ,  金镇明 ,  宋炳权 ,  梁有盛 ,  李斗铉 ,  朱爀

IPC: G01J5/20 ,  G01J5/24

Abstract: 提供了一种长波红外(LWIR)传感器，包括：衬底、所述衬底上的磁阻器件、以及所述磁阻器件上的LWIR吸收层，其中，所述磁阻器件的电阻基于温度而变化，并且其中，所述LWIR吸收层被配置为吸收LWIR光线并生成热量。

公开(公告)号：CN115966577A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210432874.9

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  金镇明 ,  宋炳权 ,  梁有盛 ,  李丙圭

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 一种窗口组件包括：透明窗口层；以及被设置在所述窗口层的第一表面上的第一编码掩模层，所述第一编码掩模层具有被配置为改变穿过所述窗口组件的光的第一性质的第一形状。所述第一编码掩模层可以包括：包括相位调制超图案的超表面。所述超表面还可以包括幅度调制超图案。具有被配置为改变穿过所述窗口组件的光的第二性质的第二形状的第二编码掩模层还可以被设置在所述窗口层的第二表面上。

公开(公告)号：CN115483287A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210653655.3

申请日：2022-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  郭玟灿

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底上的有源区；与衬底上的有源区相交的栅极结构；栅极结构的两侧上的源极/漏极区；暴露源极/漏极区的接触孔中的接触结构，接触结构包括阻挡层和插塞层；以及接触孔的剩余空间中的绝缘图案，其中，接触结构包括填充接触孔的下部的第一部分和从第一部分的一区域突出的第二部分，插塞层从第一部分连续地延伸到第二部分，并且第二部分的阻挡层在第二部分的插塞层两侧上具有位于比第二部分的插塞层的上表面低的水平处的上端。

公开(公告)号：CN113903835A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110759474.4

申请日：2021-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  金善日 ,  朴晶铉 ,  申昶均 ,  郑秉吉

IPC: H01L33/06

Abstract: 提供了一种光调制元件，包括：第一接触层；第二接触层；有源层，设置在第一接触层与第二接触层之间；第一接触插塞，设置在第一接触层与有源层之间；以及第二接触插塞，设置在第二接触层与有源层之间，其中，第一接触插塞和第二接触插塞中的至少一个的宽度小于有源层的宽度。

公开(公告)号：CN112415737A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010086775.0

申请日：2020-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秉吉 ,  金善日 ,  朴晶铉 ,  李斗铉

IPC: G02B26/06

Abstract: 提供了一种光调制器件，包括：可变反射镜，该可变反射镜包括多个栅格结构，所述多个栅格结构包括折射率基于材料的温度而变化的材料；分布式布拉格反射镜，该分布式布拉格反射镜与可变反射镜间隔开且设置在可变反射镜上方，该分布式布拉格反射镜包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层，并且第一材料层的折射率与第二材料层的折射率不同；以及加热部，该加热部被配置为加热所述多个栅格结构并且与分布式布拉格反射镜相对地设置在可变反射镜下方。

公开(公告)号：CN111048486A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910857746.7

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  宋炫升 ,  卢永昌 ,  申宪宗 ,  刘素罗 ,  郑涌植

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。