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公开(公告)号：CN112038343B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010465073.3
申请日：2020-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器器件，该存储器器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一字线和第一位线，第二区域具有第二字线和第二位线；第一存储单元阵列，包括第一区域中的第一存储单元，第一存储单元阵列具有易失性，并且每个第一存储单元包括具有与第一字线中的对应第一字线相邻的第一沟道区的单元开关以及连接到单元开关的电容器；以及第二存储单元阵列，包括第二区域中的第二存储单元，第二存储单元阵列具有非易失性，并且每个第二存储单元包括与第二字线中的对应第二字线相邻的第二沟道区、以及第二字线的对应第二字线与第二沟道区之间的铁电层。
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公开(公告)号：CN118076115A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311553344.0
申请日：2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可以提供半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括堆叠在衬底上并且彼此间隔开的第一栅电极；穿过第一栅电极的第一沟道结构，第一沟道结构包括第一沟道层、在第一沟道层和第一栅电极之间的第一电介质层、填充第一沟道层的内部的第一掩埋绝缘层、覆盖第一沟道层和第一电介质层的至少一部分的辅助沟道层、以及在第一掩埋绝缘层上的第一沟道焊盘；以及穿过第一栅电极的隔离区，隔离区彼此间隔开。辅助沟道层可以与第一沟道焊盘接触。第一沟道焊盘可以通过辅助沟道层与第一电介质层间隔开。
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公开(公告)号：CN111146202B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201911075053.9
申请日：2019-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴玄睦
Abstract: 一种半导体器件包括第一基板结构，其具有第一基板、设置在第一基板上的电路元件和设置在电路元件上的第一接合焊盘。第二基板结构连接到第一基板结构。第二基板结构包括：第二基板，具有第一表面和第二表面；彼此间隔开的第一导电层和第二导电层；焊盘绝缘层，具有暴露第二导电层的一部分的开口；以及栅电极，在第一方向上堆叠为彼此间隔开并且电连接到电路元件。第一接触插塞在第二表面上沿第一方向延伸并且连接到栅电极。第二接触插塞在第二表面上沿第一方向延伸并且电连接到第二导电层。第二接合焊盘电连接到第一接触插塞和第二接触插塞。
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公开(公告)号：CN109300901B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810825306.9
申请日：2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/20 , H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。
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公开(公告)号：CN116916659A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310413110.X
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的栅电极、穿过栅电极的第一和第二垂直结构、第一上互连结构和第二上互连结构，第一和第二垂直结构包括背栅电极、铁电材料层、沟道层和栅极绝缘层，第一上互连结构包括在第二方向上延伸的位线、电连接到第一垂直结构的第一背栅电极的下表面的第一接触插塞、以及在第二方向上在位线之间延伸并且电连接到第一接触插塞的第一背栅极互连，第二上互连结构包括电连接到第二垂直结构的第二背栅电极的上表面的第二接触插塞、以及在第二方向上延伸并且电连接到第二接触插塞的第二背栅极互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116634775A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310181732.4
申请日：2023-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置，包括：源极结构；栅电极，在垂直于源极结构的上表面的第一方向上彼此间隔开并且堆叠；以及沟道结构，在第一方向上延伸穿过栅电极，并且包括介电层、电荷存储层、隧穿层、沟道层和掩埋半导体层。介电层在栅电极和电荷存储层之间。隧穿层在电荷存储层和沟道层之间。沟道层在隧穿层和掩埋半导体层之间。沟道层的下部的外表面与源极结构接触，并且介电层包括铁电材料，沟道层包括氧化物半导体材料，并且掩埋半导体层包括硅(Si)。
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公开(公告)号：CN109273448B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810725247.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极，沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括在垂直于第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开的子栅电极以及将其中的子栅电极彼此连接的至少一个栅极连接部；通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极；以及虚设通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极，虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括栅极连接部的区域中布置在第一虚设通道之间的第二虚设通道。
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公开(公告)号：CN113972209A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110389976.2
申请日：2021-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。
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公开(公告)号：CN111354761A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911299184.5
申请日：2019-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了融合存储器装置及其制造方法。融合存储器装置包括：第一存储器装置，其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第一衬底和位于第一衬底的有源表面上的第一存储器单元电路；非存储器装置，其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第二衬底和位于第二衬底的有源表面上的非存储器电路，所述非存储器装置设置在第一存储器装置上；和第二存储器装置，其位于第二衬底的无源表面上，并且包括与第一存储器单元电路不同的第二存储器单元电路。非存储器装置设置在第一存储器单元电路和第二存储器单元电路之间，并且对第一存储器单元电路和第二存储器单元电路中的每一个的电操作进行控制。
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公开(公告)号：CN111176551A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910741893.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种储存设备，包括：存储器控制器，该存储器控制被配置为在写入操作模式下输出从储存设备的外部接收的用户数据，并且在读取操作模式下接收读取数据；以及存储器设备，该存储器设备包括存储器单元阵列和随机输入和输出(I/O)引擎，随机I/O引擎被配置为在写入操作模式下使用随机I/O码对从存储器控制器提供的用户数据进行编码，并且在读取操作模式下通过使用随机I/O码对由数据I/O电路从存储器单元阵列读取的内部读取数据进行解码来生成读取数据。
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