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公开(公告)号：CN117998866A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311319284.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述半导体存储器装置包括：外围电路结构和堆叠在外围电路结构上的单元结构，其中，单元结构包括：单元基底，包括面对外围电路结构的第一面和与第一面相对的第二面；第一模制堆叠件件，包括顺序堆叠在第一面上的多个第一栅电极；沟道孔，延伸穿过所述多个第一栅电极；以及沟道结构，包括顺序堆叠在沟道孔中的栅极介电膜、半导体膜和可变电阻膜，并且其中，半导体膜包括与第一面和所述多个第一栅电极相交的侧壁部分，以及以平行于第一面的方式在单元基底中从侧壁部分延伸的顶板部分。
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公开(公告)号：CN117377319A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310713406.3
申请日：2023-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在制造半导体器件的方法中，沿垂直于衬底的上表面的第一方向在衬底上交替并重复地形成绝缘层和第一栅电极层以形成模制层。第一栅电极层包括掺杂有具有第一导电类型的杂质的硅。穿过模制层形成开口以暴露衬底的上表面。分别去除第一栅电极层的与开口相邻的部分以形成间隙。分别在间隙中形成水平沟道。每个水平沟道包括掺杂有具有第二导电类型的杂质的硅。在开口中形成沿第一方向延伸的竖直栅极结构。穿过模制层形成存储沟道结构以接触衬底的上表面。
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公开(公告)号：CN119451117A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410698492.X
申请日：2024-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器装置以及包括该半导体存储器装置的半导体封装件和电子系统。该半导体存储器装置包括：衬底，其包括多个垫区域和在多个垫区域中的一些垫区域之间的垫分离区域；外围电路结构，其位于衬底上并且包括外围电路；单元阵列结构，其位于外围电路结构上；第一穿通件，其在垫分离区域中延伸到衬底中；以及第二穿通件，其在垫分离区域上延伸到单元阵列结构中并且电连接到第一穿通件，其中第二穿通件与第一穿通件重叠。
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公开(公告)号：CN118076115A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311553344.0
申请日：2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可以提供半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括堆叠在衬底上并且彼此间隔开的第一栅电极；穿过第一栅电极的第一沟道结构，第一沟道结构包括第一沟道层、在第一沟道层和第一栅电极之间的第一电介质层、填充第一沟道层的内部的第一掩埋绝缘层、覆盖第一沟道层和第一电介质层的至少一部分的辅助沟道层、以及在第一掩埋绝缘层上的第一沟道焊盘；以及穿过第一栅电极的隔离区，隔离区彼此间隔开。辅助沟道层可以与第一沟道焊盘接触。第一沟道焊盘可以通过辅助沟道层与第一电介质层间隔开。
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公开(公告)号：CN117479542A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310524578.6
申请日：2023-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维非易失性存储器件，包括：水平字线，所述水平字线在垂直方向上彼此分隔开；水平铁电层，所述水平铁电层布置在所述水平字线之间，所述水平铁电层包括上水平铁电层和下水平铁电层；垂直铁电层，所述垂直铁电层与所述水平铁电层的侧壁接触并在所述垂直方向上延伸；半导体柱，所述半导体柱在所述垂直方向上穿过所述水平字线；和沟道区，所述沟道区位于所述水平字线和所述半导体柱之间，其中，所述上水平铁电层和所述下水平铁电层在所述垂直方向上通过气隙彼此分隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116709780A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310135073.0
申请日：2023-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔贤默
IPC: H10B41/27 , H10B41/30 , H10B43/27 , H10B43/30 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体器件，可以包括：下互连结构，电连接到第一衬底上的电路器件；下接合结构，连接到下互连结构和上接合结构；上互连结构，连接到上接合结构；第二衬底，在上互连结构上；栅电极，在上互连结构和第二衬底之间；沟道结构，穿透栅电极。栅电极可以在竖直方向上彼此间隔开。栅电极可以包括第一栅电极和第二栅电极。每个沟道结构可以包括沟道层，该沟道层可以包括与第一栅电极相邻的第一半导体材料层和与第二栅电极相邻的第二半导体材料层。第一半导体材料层和第二半导体材料层中的每一个可以具有单晶结构或类单晶结构。
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公开(公告)号：CN116234318A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211554218.2
申请日：2022-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：形成第一衬底和第一衬底上的第二衬底；通过在第二衬底上交替堆叠第一层间绝缘层和牺牲层来形成第一堆叠区域；通过在第一堆叠区域上交替堆叠第二层间绝缘层和牺牲层来形成第二堆叠区域；通过部分地去除第二堆叠区域来形成在第一方向上彼此间隔开的第一开口；在第一开口中形成第一填充绝缘层；通过部分地去除第一开口之间的第二堆叠区域来形成第二开口；去除通过第二开口暴露的第二牺牲层；通过在第二开口和去除了第二牺牲层的区域中形成第二填充绝缘层，来形成包括第一填充绝缘层和第二填充绝缘层的下分离区域。
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公开(公告)号：CN120035140A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411198253.4
申请日：2024-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括半导体器件的数据存储系统。一种半导体器件包括：第一基板结构，所述第一基板结构包括基板、位于所述基板上的第一电路器件、延伸到所述基板中的第二电路器件、穿透所述基板并且位于所述第二电路器件之间的栅极隔离层；以及第二基板结构，所述第二基板结构在所述第一基板结构上电连接到所述第一基板结构，并且包括电连接到所述第一电路器件和所述第二电路器件的栅电极。所述第二电路器件当中的相邻的第二电路器件相对于所述栅极隔离层对称地设置。
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公开(公告)号：CN119653783A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411151167.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种示例半导体器件包括位于衬底上的电容器结构。电容器结构包括第一电极结构、第二电极结构和电容器电介质层。第一电极结构包括在与衬底垂直的第一方向上彼此分开的第一水平电极部分和连接到每个第一水平电极部分并且在第一方向上延伸的第一导电柱。第二电极结构包括在第一方向上延伸穿过第一水平电极部分的第二导电柱和在第二导电柱的侧壁上沿第一方向彼此分开并且与第一水平电极部分交替排列的第二水平电极部分。电容器电介质层位于第二导电柱的侧壁与第一水平电极部分之间。
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公开(公告)号：CN118265308A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311766299.7
申请日：2023-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种竖直型存储器件，包括第一柱结构，在字线模制件内部的沟道孔中；以及第二柱结构，在串选择线模制件内部与沟道孔重叠的串选择线孔中。第一柱结构包括：第一栅极绝缘层和单元沟道层，在沟道孔的内壁上；可变电阻层，在单元沟道层的一侧上；第一填充绝缘层，填充沟道孔；以及连接焊盘，在第一填充绝缘层的上部中。第二柱结构包括：第二栅极绝缘层，在串选择线孔的内壁上；选择沟道层，在第二栅极绝缘层的一侧上；以及第二填充绝缘层，在选择沟道层上填充串选择线孔。
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