公开(公告)号：CN119451117A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410698492.X

申请日：2024-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜昑孝 ,  金泓秀 ,  李全一 ,  崔贤默

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 提供了半导体存储器装置以及包括该半导体存储器装置的半导体封装件和电子系统。该半导体存储器装置包括：衬底，其包括多个垫区域和在多个垫区域中的一些垫区域之间的垫分离区域；外围电路结构，其位于衬底上并且包括外围电路；单元阵列结构，其位于外围电路结构上；第一穿通件，其在垫分离区域中延伸到衬底中；以及第二穿通件，其在垫分离区域上延伸到单元阵列结构中并且电连接到第一穿通件，其中第二穿通件与第一穿通件重叠。

公开(公告)号：CN119653783A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411151167.8

申请日：2024-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  姜昑孝 ,  崔贤默 ,  洪淳亨

IPC: H10D1/68 ,  H10F39/12

Abstract: 一种示例半导体器件包括位于衬底上的电容器结构。电容器结构包括第一电极结构、第二电极结构和电容器电介质层。第一电极结构包括在与衬底垂直的第一方向上彼此分开的第一水平电极部分和连接到每个第一水平电极部分并且在第一方向上延伸的第一导电柱。第二电极结构包括在第一方向上延伸穿过第一水平电极部分的第二导电柱和在第二导电柱的侧壁上沿第一方向彼此分开并且与第一水平电极部分交替排列的第二水平电极部分。电容器电介质层位于第二导电柱的侧壁与第一水平电极部分之间。